【2SK3176东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π -MOSV)2SK3176开关稳压器， DC-】,IC型号2SK3176_07,2SK3176_07 PDF资料,2SK3176

2SK3176

东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π -MOS

V)

2SK3176

开关稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器

应用

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

=

38毫欧（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

|

=

30 S（典型值）

低漏电流：I

DSS

=

100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

=

200 V)

增强型： V

th

=

1.5 3.5 V（V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安）

单位：mm

绝对最大额定值

（大

=

25°C)

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

=

20 kΩ)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

200

±20

30

120

150

925

30

15

150

55

150

单位

V

A

W

mJ

A

mJ

°C

1.门

2.漏极（散热片）

3.源

脉冲（注1 ）

（ TC

=

25°C)

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复雪崩能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

重4.6克（典型值）

SC-65

2-16C1B

注1 ：请在使用条件下的设备，该通道的温度低于150 ℃。

注2 ： V

DD

=

50 V ，T

ch

=

25 ° C（初始），L

=

1.66 mH的，R

G

=

25

Ω,

I

AR

=

30 A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。

注4 ：

重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加和显著变化

在温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的

经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性

方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。

此晶体管是静电敏感器件。

请谨慎操作。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

0.833

50.0

单位

° C / W

1

2007-03-16

2SK3176

电气特性

（大

=

25°C)

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

测试条件

V

GS

= ±16

V, V

DS

=

0 V

V

DS

=

200 V, V

GS

=

0 V

I

D

=

10毫安，V

GS

=

0 V

V

DS

=

10 V，I

D

=

1毫安

V

GS

=

10 V，I

D

=

15 A

V

DS

=

10 V，I

D

=

15 A

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

V

DS

=

10 V, V

GS

=

0 V，F

=

1兆赫

10 V

0V

4.7

Ω

I

D

=

15 A

R

L

=

6.7

Ω

V

OUT

民

200

1.5

15

典型值。

38

30

5400

580

1900

15

55

25

190

125

80

45

最大

±10

100

3.5

52

ns

nC

单位

μA

V

mΩ

S

pF

V

GS

V

DD

100 V

税

≤

1%, t

w

=

10

μs

V

DD

160 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

30 A

V

DD

160 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

30 A

V

DD

160 V, V

GS

=

10 V，I

D

=

30 A

源极 - 漏极额定值和特性

（大

=

25°C)

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

（注1 ）

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

I

DR

=

30 A，V

GS

=

0 V

I

DR

=

30 A，V

GS

=

0 V,

dI

DR

/ DT

=

100 A / μs的

I

DR

=

30 A，V

GS

=

0 V,

dI

DR

/ DT

=

100 A / μs的

民

典型值。

270

3.0

最大

30

90

2.0

单位

A

V

ns

μC

记号

东芝

K3176

产品编号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2

2007-03-16

2SK3176

I

D

– V

DS

20

10

16

8

6

4

50

15

10

4.8

6

5

I

D

– V

DS

4.6

4.4

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

15

12

5

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

3.8

40 8

30

4.2

8

3.6

20

4

3.8

4

VGS

=

3.4 V

10

VGS

=

3.6 V

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0

4

8

12

16

20

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

50

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

5

V

DS

– V

GS

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

40

V

DS

(V)

漏源电压

4

漏电流I

D

(A)

30

3

20

25

10

100

0

Tc

= 55°C

2

ID

=

30 A

1

15

7.5

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

|Y

fs

| – I

D

100

常见的来源

VDS

=

10 V

脉冲测试

Tc

= 55°C

10

5

3

25

R

DS （ ON）

– I

D

0.5

0.3

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

正向转移导纳

|Y

fs

| (S)

30

100

漏源导通电阻

R

DS

(Ω)

50

0.1

0.05

0.03

VGS

=

10 V

15

1

0.3 0.5

1

3

5

10

30

50

100

0.01

1

3

5

10

30

50

100

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

3

2007-03-16

2SK3176

R

DS （ ON）

TC =

0.10

常见的来源

VGS

=

10 V

脉冲测试

100

ID

=

30 A

15

7.5

0.06

50

30

常见的来源

Tc

=

25°C

脉冲测试

I

DR

– V

DS

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(Ω)

0.08

反向漏电流I

DR

(A)

10

5

0.04

5

3

0.02

3

VGS

=

0 V

0

80

40

0

40

80

120

160

1

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

壳温度

(°C)

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

5

10000

西塞

V

th

TC =

常见的来源

VDS

=

10 V

ID

=

1毫安

脉冲测试

V

th

(V)

栅极阈值电压

4

（PF ）

3000

电容C

3

1000

科斯

300

常见的来源

VGS

=

0 V

f

=

1兆赫

Tc

=

25°C

30

0.1

0.3

1

3

10

30

100

CRSS

2

1

100

0

80

40

0

40

80

120

160

漏源电压

V

DS

(V)

壳温度

(°C)

P

D

TC =

250

200

动态输入/输出

特征

20

常见的来源

ID

=

30 A

Tc

=

25°C

脉冲测试

15

80

VDD

=

40 V

100

160

漏极功耗P

D

(W)

V

DS

(V)

200

VDS

150

漏源电压

10

100

50

VGS

5

50

0

40

80

120

160

200

0

40

80

120

160

0

200

壳温度

(°C)

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

4

2007-03-16

栅源电压

150

V

GS

(V)

2SK3176

r

th

– t

w

3

归瞬态热阻抗

r

th

/R

th

（ CH -C ）

1

税

=

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.03

0.05

0.02

单脉冲

0.01

0.005

0.003

10

μ

100

μ

1m

10 m

100 m

PDM

t

T

税

=

t/T

RTH （ CH-C ）

=

0.833°C/W

1

10

脉冲宽度

t

w

(s)

安全工作区

300

ID MAX（脉冲） *

1000

E

AS

– T

ch

E

AS

（兆焦耳）

雪崩能量

100

800

漏电流I

D

(A)

100

μs*

50

30

1毫秒*

ID MAX（连续）

600

10

5

3

400

直流操作

Tc

=

25°C

200

1

0.5

*:

单非重复性

脉冲锝

=

25°C

线性地增加

温度。

0.1

1

3

5

10

30

VDSS最大

50

100

300 500

0

25

50

75

100

125

150

通道温度（初始）T

ch

(°C)

0.3曲线必须降低

15 V

15

V

B

VDSS

I

AR

V

DD

V

DS

电波表

漏源电压

V

DS

(V)

测试电路

R

G

=

25

Ω

V

DD

=

50 V，L

=

1.66 mH的

1

2

B

VDSS

Ε

AS

=

·L ·I·

B

2

V

DD

VDSS

5

2007-03-16