2SK2719
东芝场效应晶体管
硅N沟道MOS型（ π - MOSIII ）
2SK2719
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 3.7
（典型值）。
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 2.6 S（典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 720 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
脉冲
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
（注3）
通道温度
存储温度范围
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
900
900
±30
3
A
9
125
295
3
12.5
150
55~150
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
1.门
2.漏极（散热片）
3.源
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-65
2-16C1B
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复性雪崩能量
重4.6克（典型值）
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.0
50.0
单位
° C / W
° C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
=
25 V ，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
58
μH,
R
G
=
25
Ω,
I
AR
=
45 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最高结温
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
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2006-11-10
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