2SK3697-01
N沟道硅功率MOSFET
200407
FUJI功率MOSFET
外形图
(mm)
超级FAP -G系列
特点
高速开关
无二次击穿
雪崩型
低导通电阻
低驱动功率
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
UPS （不间断电源）
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
不重复
最大雪崩电流
重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
峰值二极管恢复的di / dt
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
I
AR
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
-di / dt的
P
D
T
ch
T
英镑
评级
600
600
±42
±2.7
±168
±30
42
21
828
20
5
100
600
2.50
+150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
V
A
A
mJ
备注
V
GS
=-30V
Ta=25°C
等效电路示意
漏极（D ）
总胆固醇
＆ LT ;
25°C
=
总胆固醇
＆ LT ;
150°C
=
栅极（G ）
注* 2
源极（S ）
注* 2 ： StartingTch = 25 ° C，L = 861
H，V
CC
=60V
看到了“雪崩能量”图
注* 3 ：我
F
< -I
D
， -di / DT = 100A /
S，V
CC
< BV
DSS
， Tch< 150℃
=
=
=
< -I
D
， -dV / DT =为5kV /
S，V
CC
< BV
DSS
,Tch<150°C
*注4 ：我
F
=
=
=
KV / μs的V
DS
<600V
=
KV / μs注* 3
A / μs注* 4
Tc=25°C
W
Ta=25°C
°C
°C
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
= 250A
V
GS
=0V
I
D
= 250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=600V V
GS
=0V
V
DS
=480V V
GS
=0V
V
GS
=±30V V
DS
=0V
I
D
= 21A V
GS
=10V
I
D
= 21A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MH
V
CC
=300V
I
D
=21A
V
GS
=10V
R
GS
=10
V
CC
=300V
I
D
=42A
V
GS
=10V
L = 861μH总胆固醇= 25°C
I
F
= 42A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 42A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
分钟。
600
3.0
典型值。
马克斯。
5.0
25
2.0
100
0.17
单位
V
V
A
mA
nA
S
pF
20
10
1.0
10
0.14
40
5100
7650
700
1050
48
72
60
90
90
135
180
270
30
45
105
160
44
65
30
45
1.10
160
1.00
ns
nC
42
1.70
250
2.5
A
V
ns
C
热特性
项
热阻
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
0.208
50.0
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3697-01
特征
允许功耗
（D）= F（ Tc）的
FUJI功率MOSFET
800
120
110
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
700
100
600
90
80
500
20V
10V
8V
7.0V
PD [ W]
ID [ A]
70
60
50
400
300
40
200
30
20
100
10
0
0
25
50
75
100
125
150
0
0
4
8
12
16
6.5V
VGS=6.0V
20
24
TC [
°
C]
VDS [V]的
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
100
典型的跨导
GFS = F （ ID ） ： 80
脉搏测试， VDS = 25V ，总胆固醇= 25
°
C
10
10
ID [ A]
1
1
0.1
0.1
0.1
GFS [S]
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
10
100
VGS电压[V]的
ID [ A]
0.4
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ： 80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
VGS=6V
6.5V
0.5
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 21A ， VGS = 10V
0.4
0.3
RDS （上）
]
7.0V
8V
10V
20V
RDS （上）
]
0.3
马克斯。
0.2
0.2
典型值。
0.1
0.1
0.0
0
20
40
60
80
100
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
TCH [
°
C]
2
2SK3697-01
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （次） = F（总胆固醇） ： VDS = VGS ，ID = 250
A
FUJI功率MOSFET
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
14
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 42A ，总胆固醇= 25
°
C
12
VCC = 120V
马克斯。
10
480V
8
300V
VGS （ TH） [V]
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
20
40
2
4
分钟。
VGS电压[V]的
6
60
80
100
120
140
160
180
TCH [
°
C]
QG [ NC ]
10
5
典型电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100
反向二极管的典型正向特性
IF = F（ VSD） ：80
的脉动测试，总胆固醇= 25
°
C
10
4
西塞
10
C [ pF的]
10
3
科斯
1
10
2
CRSS
1
IF [ A]
0
1
2
3
10
10
10
10
10
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
VDS [V]的
VSD [V]的
10
3
典型的开关特性与ID
T = F（ ID ） ： VCC = 300V ， VGS = 10V ， RG = 10
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
E（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V ， I（ AV） < = 42A
2500
I
AS
=17A
2000
TD （关闭）
10
2
1500
TD （上）
EAV [兆焦耳]
I
AS
=26A
T [ NS ]
1000
I
AS
=42A
tr
tf
10
1
500
0
10
0
10
1
10
2
0
25
50
75
100
125
150
ID [ A]
开始总胆固醇[
°
C]
3
2SK3697-01
FUJI功率MOSFET
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
I（ AV ） = F （首发TCH） ： VCC = 60V
60
50
40
I
AV
[A]
30
不重复
（单脉冲）
20
重复
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
开始总胆固醇[
°
C]
10
2
最大雪崩电流脉宽
I
AV
= F （T
AV
） ：首发总胆固醇= 25
°
C,Vcc=60V
单脉冲
雪崩电流I
AV
[A]
10
1
10
0
10
-1
10
-8
10
-2
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
AV
[秒]
10
1
最大瞬态热阻抗
第i （ CH-C ）= F（T）为：D = 0
10
0
第i （ CH-C ）
°
C / W]
10
-1
10
-2
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
4
1.Scope
2.Construction
3.Applications
此规定富士功率MOSFET 2SK3697-01
N沟道增强型功率MOSFET
切换
TO-247
Outview看到8/19页
4.Outview
5.Absolute最大额定值在Tc = 25 ℃（除非另有说明）
描述
漏源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
不重复
最大雪崩电流
重复
最大雪崩电流
不重复
最大雪崩能量
最大漏源的dV / dt
峰值二极管恢复的dv / dt
峰值二极管恢复-di / dt的
最大功率耗散
工作和存储
符号
V
DS
V
DSX
I
D
I
DP
V
GS
I
AS
I
AR
E
AS
dV
DS
/ DT
dv / dt的
-di / dt的
P
D
T
ch
特征
600
600
±
42
±
2.7
±
168
±
30
42
21
828
20
5
100
2.50
600
150
单位
V
V
A
A
A
V
A
A
mJ
KV / μs的
KV / μs的
A / μs的
W
°C
Tch=25°C
*1
Tch<=150°C
*1
*2
VDS<=600V
*3
*4
Ta=25°C
Tc=25°C
Ta=25°C
V
GS
=-30V
备注
这种材料和本文所述的信息的属性
富士电气有限公司。他们应既不转载，复制，
借出，或披露任何方式进行使用任何
第三方或用于制造无目的
快递富士电机有限公司的书面同意。
T
英镑
-55到+150
温度范围
°C
* 1见雪崩电流图（页17/19 ）
* 2 L = 861μH ， VCC = 60V ，启动总胆固醇= 25 ° C，看到雪崩能量图（页18/19 ）
*3 I
F
≤-I
D
,-di/dt=100A/s,Vcc≤BV
DSS
， Tch≤150 ° C * 4 I
F
≤-I
D
,dV/dt=5kV/s,Vcc≤BV
DSS
,Tch≤150°C
在Tc 6.Electrical特征= 25 ℃（除非另有规定）
静态评级
描述
漏源
击穿电压BV
DSS
栅极阈值
电压V
GS
（ TH ）
零栅极电压
漏电流I
DSS
栅极 - 源
漏电流I
GSS
漏源
在国家阻抗R
DS
（上）
符号
条件
I
D
=250A
V
GS
=0V
I
D
=250A
V
DS
=V
GS
V
DS
=600V
T
ch
=25°C
VGS=0V
VDS=480V
T
ch
=125°C
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
V
DS
=0V
I
D
=21A
V
GS
=10V
-
0.14
0.17
-
10
100
nA
3.0
-
-
-
10
1.0
5.0
25
2.0
V
A
mA
600
-
-
V
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
富士电气有限公司。
MS5F5476
DWG.NO.
3 / 19
H04-004-03
QQ：2880707522 复制
