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数据表
MOS场效应
2SK3305
开关
N沟道功率MOS FET
工业用
订购信息
产品型号
2SK3305
2SK3305-S
2SK3305-ZJ
包
TO-220AB
TO-262
TO-263
描述
该2SK3305是N通道DMOS FET器件，具有一个
低栅极电荷和开关特性优良，并
设计用于高电压应用，例如开关电源
电源，交流电源适配器。
特点
低栅极电荷：
Q
G
= 13 NC TYP 。 （V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A)
栅极电压等级：
±30
V
低通态电阻
R
DS （ ON）
= 1.5
MAX 。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A)
雪崩能力评级
(TO-220AB)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS （AC）的
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T
P
T
T
ch
T
英镑
500
±30
±5
±20
75
1.5
150
-55到+150
5.0
125
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
(TO-263)
(TO-262)
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
Note2
Note2
I
AS
E
AS
注意事项1 。
PW
≤
10
S，占空比
≤
1 %
2.
起始物为
ch
= 25 ° C，V
DD
= 150 V ，R
G
= 25
,
V
GS
= 20 V
0 V
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
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文档编号
D14003EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2000年3月NS CP （ K）
日本印刷
1998,2000
2SK3305
电气特性（T
A
= 25 °C)
特征
漏极漏电流
门源漏电流
栅极到源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ OFF ）
| y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F（ S- D）的
t
rr
Q
rr
I
F
= 5.0 A，V
GS
= 0 V
I
F
= 5.0 A，V
GS
= 0 V ，的di / dt = 50A /
s
V
DD
= 400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 5.0 A
V
DD
= 150 V，I
D
= 2.5 A，V
GS （ ON）
= 10 V,
R
G
= 10
,
R
L
= 60
测试条件
V
DS
= 500 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
2.5
1.0
3.0
1.3
700
115
6
16
3
33
5.5
13
4
4.5
0.9
0.6
3.3
1.5
分钟。
典型值。
马克斯。
100
±100
3.5
单位
A
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
s
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
→
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
V
GS
R
L
V
DD
I
D
90 %
90 %
I
D
V
GS
电波表
0
10 %
V
GS （ ON）
90 %
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
≤
1 %
I
D
电波表
0
10 %
t
D（上）
t
on
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
10 %
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D14003EJ1V0DS00
2SK3305
典型特征（T
A
= 25°C)
图1 。正向偏置的降额因子
安全工作区
100
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
100
图2 。总功耗对比
外壳温度
P
T
- 总功耗 - W
80
80
60
40
60
40
20
20
0
20
40
60
80
100 120
140
160
0
20
40
60
80
100 120
140
160
T
c
- 外壳温度 - C
图3.正向偏置安全工作区
100
I
D（脉冲）
PW
10
R
D
S
(o
n)
T
c
- 外壳温度 - C
4所示。漏电流与
漏源极电压
脉冲
10
I
D
- 漏电流 - 一个
LIM
d
ITE
Po
10
10
0
1m
s
m
s
s
s
I
D
- 漏电流 - 一个
=
10 V
V
GS
= 20 V
8.0 V
10
8
6
4
2
I
D（ DC）的
we
1
rD
国际空间站
ip
at
io
V
GS
= 6.0 V
n
Li
0.1
1
T
c
= 25 C
单脉冲
10
100
m
ITE
d
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
Figure5 。漏电流与
栅极至源极电压
1000
100
脉冲
0
4
8
12
16
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
I
D
- 漏电流 - 一个
10
1
0.1
0.01
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
0.001
0
5
10
15
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
数据表D14003EJ1V0DS00
3
2SK3305
Figure6 。瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 - C / W
R
第（章-a）的
= 62.5 C / W
10
R
TH（ CH-C ）
= 1.67 C / W
1
0.1
T
c
= 25 C
单脉冲
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
Figure7 。远期转移导纳主场迎战
漏电流
图8.。漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
4.0
Iy
fs
我 - 正向转移导纳 - S
10
T
A
= –25 C
25 C
75 C
125 C
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
1
3.0
I
D
= 5.0 A
2.0
I
D
= 2.5 A
0.1
1.0
0.01
0.01
V
DS
= 10 V
脉冲
0.1
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
100
0.0
脉冲
0
5
10
15
20
25
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
Figure9 。漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
V
GS （ OFF ）
- 门源截止电压 - V
Figure10 。门源截止电压主场迎战
通道温度
4.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
3.0
3.0
脉冲
2.0
2.0
1.0
1.0
0
0.1
0.0
–50
0
50
100
150
200
1
10
100
I
D
- 漏电流 - 一个
T
ch
- 通道温度 - C
4
数据表D14003EJ1V0DS00
2SK3305
R
DS （ ON）
- 漏极至源极导通状态电阻 -
Figure11 。漏极至源极导通电阻与
通道温度
3.0
I
D
= 5.0 A
2.0
I
D
= 2.5 A
图12所示。源极到漏极二极管
正向电压
100
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
脉冲
10
1
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
1.0
0.1
V
GS
= 10 V
0.0
–50
0
50
100
150
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
T
ch
- 通道温度 - C
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
Figure14 。开关特性
100
Figure13 。电容与漏极TO
源极电压
V
GS
= 0 V
F = 1.0 MHz的
C
国际空间站
C
OSS
t
D（上）
, t
r
, t
D（关闭）
, t
f
- 开关时间 - NS
10000
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
r
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
1000
10
100
10
C
RSS
1
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
0.1
1
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
1
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
Figure15 。反向恢复时间对比
漏电流
2000
1800
Figure16 。动态输入/输出特性
800
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 V
700
600
500
400
300
200
V
DS
100
2
4
6
8
10
12
14
V
DD
= 400 V
250 V
125 V
V
GS
14
12
10
8
6
4
2
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0.1
1
10
100
I
F
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
数据表D14003EJ1V0DS00
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
I
D
= 5.0 A
5
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推荐型号
26PCKNP6G
2035048-3
299-43-314-11-001000
2415-6212TB
2-1102618-5
241300
2SC3770
2SC1114
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2SK3697-01
2-1419104-0
24-350000-10
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202D128X0100B5
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