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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1114
描述
·带
TO- 3封装
电压
ùWide
安全工作区
应用
For
功率放大器的应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
325
300
7
4
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
20
10
300
325
7
2SC1114
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.8
1.5
100
100
V
V
μA
μA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1114
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1114
描述
·采用TO-3封装
·高电压
·安全运行的广域
应用
·对于功率放大器的应用
钉扎(参见图2 )
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
?
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25?
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
325
300
7
4
100
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
?
?
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CEO ( SUS )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10毫安;我
B
=0
I
C
= 1毫安;我
E
=0
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
I
C
= 2A ,我
B
=0.4A
V
CB
= 325V ;我
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=4V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
20
10
300
325
7
2SC1114
典型值。
最大
单位
V
V
V
0.8
1.5
100
100
V
V
A
A
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1114
图2外形尺寸
3
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    2SC1114
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