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2SK3582TV
东芝场效应晶体管硅N沟道结型
2SK3582TV
对于ECM
应用超小型ECM
0.2±0.05
1.2±0.05
0.3±0.05
3
0.8±0.05
单位:mm
1.2±0.05
0.8±0.1
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
特征
栅 - 漏电压
栅电流
漏极功耗(大
=
25°C)
结温
存储温度范围
符号
V
GDO
I
G
P
D
T
j
T
英镑
等级
-20
10
100
125
55~125
单位
V
mA
mW
°C
°C
0.4
1
2
0.4
0.28±0.02
注意:
在重负载下连续使用(高如应用程序
温度/电流/电压和在显著变化
温度等)可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件(即工作
温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝设计相应的可靠性
半导体可靠性手册( “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ )和个人
可靠性数据(即可靠性试验报告,估计故障率,
等)。
VESM2
JEDEC
JEITA
东芝
1.Drain
2.Source
3.Gate
-
-
2-1H1A
重量:为0.8mg (典型值)。
IDSS分类
A级
80 200 μA
B-排名
170 300μA
记号
型号名称
顶栅
批号
IDSS分类标志
答: A级
B: B-排名
等效电路
D
5
G
S
注意事项
有关于包装的顶部,其具有相同的电位的栅极端子的金属板。不要使用
它作为一个终端。
1
2007-11-01
0.09±0.03
2SK3582TV
电气特性
(Ta=25°C)
特征
漏电流
漏电流
栅极 - 源极截止电压
正向转移导纳
栅 - 漏电压
输入电容
电压增益
三角洲电压增益
三角洲电压增益
噪声电压
总谐波失真
时间输出稳定性
符号
I
DSS
I
D
V
DS
=
2 V, V
GS
=
0
V
DD
=
2 V , RL = 2kΩ的, CG
=
10pF
测试条件
80
-0.1
0.55
-20
-5.0
典型值。
1.0
3.6
0
0
-1.0
1.0
100
最大
300
340
-0.65
+2.0
-1.0
-3.0
50
200
单位
A
A
V
mS
V
pF
dB
dB
dB
mV
%
ms
V
GS ( OFF )
V
DS
=
2 V,I
D
=
1μA
|Y
fs
|
V
DS
=
2 V,V
GS
=
0V
V
( BR ) GDO
IG=-10μA
C
国际空间站
Gv
DGV ( F)
DGV ( V)
VN
THD
TOS
V
DS
=
2 V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
=
2V ,RL = 2kΩ的, CG
=
10pF的,女
=
1kHz,vin=100mV
V
DD
=
2V ,RL = 2kΩ的, CG
=
10pF,f
=
为1kHz到100Hz , VIN = 100mV的
V
DD
=
2V至1.5V , RL = 2kΩ的, CG
=
10pF,f
=
1kHz时, VIN = 100mV的
V
DD
=
2V ,RL = 1kΩ的, CG
=
10pF的,提起笔= 80分贝,A型滤波器
V
DD
=
2V ,RL = 2kΩ的, CG
=
10pF的,女
=
1kHz时, VIN = 50mV的
V
DD
=
2V ,RL = 2kΩ的, CG
=
10pF
时间输出稳定性的试验方法
a)测试电路
b)测试信号
V
DD
2kΩ
V
DD=2.0V
VOUT
VOUT
10pF
0V
V
DD -ID * RL
0V
t
os
90%
2V
50%
2
2007-11-01
2SK3582TV
600
VDS=2V
常见的来源
Ta
=
25 °C
I
D
– V
GS
3
| YFS | : VDS = 2V
VGS=0V
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25 °C
| YFS | - 我
DSS
漏电流
I
D
400
正向转移导纳
|Y
fs
| (女士)
500
(A)
2
300
IDSS=290μA
200
1
100
110μA
0
-1.0
0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
100
200
300
400
500
600
栅 - 源电压
V
GS
(V)
漏电流
I
DSS
(A)
V
GS ( OFF )
– I
DSS
-500
GV-我
DSS
0
栅极 - 源极截止电压
V
GS ( OFF )
(V )
电压增益GV(分贝)
-400
–1
-300
–2
GV : VDD = 2V
Cg=5pF
RL =采用2.2kΩ ,
f=1kHz
vin=100mV
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25°C
0
100
200
300
400
500
600
-200
VGS (OFF) : VDS = 2V
ID
=
1μA
-100
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25 °C
0
100
200
300
400
500
600
–3
–4
0
–5
漏电流
I
DSS
(A)
漏电流
I
DSS
(A)
DGV (V ) - 我
DSS
-3.0
DGV : VDD = 2V → 1.5V
Cg=5pF
RL =采用2.2kΩ ,
f=1kHz
vin=100mV
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25°C
60
VN : VDD = 2V
Cg=10pF
RL = 1kΩ的
f=1kHz
80分贝AMP
A-曲线过滤器
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25°C
VN - 我
DSS
( dB)的
(毫伏)
VN
噪声电压
-2.5
50
DGV ( V)
-2.0
40
30
三角洲电压增益
-1.5
-1.0
20
-0.5
10
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
100
200
300
400
500
600
漏电流
I
DSS
(A)
漏电流
I
DSS
(A)
3
2007-11-01
2SK3582TV
THD-我
DSS
2.0
THD : VDD = 2V
Cg=5pF
RL =采用2.2kΩ
f=1kHz
vin=50mV
IDSS : VDS = 2V
VGS=0V
常见的来源
Ta
=
25°C
10
C
国际空间站
– V
DS
总谐波失真
总谐波失真( % )
1.5
(PF )
输入电容
C
国际空间站
5
1.0
0.5
0
0
100
200
300
400
500
600
1
VGS=0V
f=1kHz
常见的来源
Ta
=
25°C
1
5
10
漏电流
I
DSS
(A)
漏 - 源极电压
V
DS
(V)
4
2007-11-01
2SK3582TV
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2007-11-01
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    2SK3582TV
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    -
    -
    -
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联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
2SK3582TV
TOSHIBA
2019
79600
VESM2
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:755-83210909 / 83616256
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2SK3582TV
TOSHIBA主营品牌
22+
33000
VESM2
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2SK3582TV
TOSHIBA
25+23+
12500
VESM2
绝对原装全新正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3582TV
TOSHIBA/东芝
21+
14600
VESM2
全新原装正品/质量有保证
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2346+
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联系人:刘经理
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2SK3582TV
TOSHIBA/东芝
21+
16890
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