数据表
硅晶体管
2SA1376 , 1376A
PNP硅外延晶体管
用于高电压放大器
特点
高电压
V
首席执行官
:
180
V /
200
V
(2SA1376/2SA1376A)
优秀
FE
线性
在小尺寸高总功耗:
P
T
: 0.75 W
与2SC3478和2SC3478A互补晶体管
封装图(单位:mm )
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
°
2SA1376/2SA1376A
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C( DC )
I
C(脉冲)
*
P
T
T
j
T
英镑
评级
200
180/200
5
100
200
0.75
150
55
+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒,占空比
≤
50%
电气特性(Ta = 25 ° C)
°
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
DC基极电压
集电极饱和电压
基本饱和电压
输出电容
增益带宽积
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
BE
**
V
CE ( SAT )
**
V
BE ( SAT )
**
C
ob
f
T
t
on
t
关闭
条件
V
CB
=
200
V,I
E
= 0
V
EB
=
5
V,I
C
= 0
V
CE
=
10
V,I
C
=
10
mA
V
CE
=
10
V,I
C
=
100
mA
V
CE
=
10
V,I
C
=
10
mA
I
C
=
50
妈,我
B
=
5
mA
I
C
=
50
妈,我
B
=
5
mA
V
CB
=
30
V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
V
CE
=
10
V,I
E
= 10毫安
I
C
=
10
妈,我
B1
=
I
B2
=
1
毫安,
V
CC
= –10 V
80
135
81
600
分钟。
2SA1376/2SA1376A
典型值。
马克斯。
100
100
300/200
650
0.2
0.8
3.5
120
0.16
1.5
600/400
700
0.3
1.2
4.0
单位
nA
nA
mV
V
V
pF
兆赫
s
s
**脉冲测试PW
≤
350
S,占空比
≤
每脉冲2 %
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号D16194EJ1V0DS00
发布日期2002年4月 CP ( K)
日本印刷
2002
1998