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晶体管
2SB1236 / 2SB1186
2SC4132 / 2SD1857 / 2SD2343 / 2SD1763
(94L-268-A56)
(96-175-C56)
276
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1186
描述
·采用TO- 220Fa包
·低集电极饱和votlage
·补键入2SD1763
·高击穿电压
应用
·对于低频功率使用
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-1.5
-3.0
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= -1mA ;我
B
=0
I
C
= -50μA ;我
E
=0
I
E
= -50μA ;我
C
=0
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -4V ;我
C
=0
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
100
民
-120
-120
-5
2SB1186
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
-2.0
-1.5
-1.0
-1.0
320
50
30
V
V
A
A
兆赫
pF
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1186
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1186
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和votlage
.Complement
键入2SD1763
高
击穿电压
应用
For
在低频功率使用
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
固电
IN
导½
半
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
-120
-120
-5
-1.5
-3.0
单位
V
V
V
A
A
开基
集电极开路
集电极电流峰值
T
a
=25℃
2.0
W
20
150
-55~150
℃
℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1186
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -50μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
-1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ;我
E
=0
-1.0
I
EBO
发射极截止电流
h
FE
f
T
固电
IN
直流电流增益
导½
半
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1.0
μA
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
100
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
C
OB
集电极输出电容
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
ES
昂
CH
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
ND
ICO
EM
OR
UCT
320
50
30
兆赫
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1186
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1186
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和votlage
.Complement
键入2SD1763
高
击穿电压
应用
For
在低频功率使用
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-1.5
-3.0
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1186
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -50μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
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-1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ;我
E
=0
-1.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1.0
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
100
320
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
50
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
30
pF
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
2
JMnic
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1186
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SB1186
描述
·带
TO- 220Fa包
ULOW
集电极饱和votlage
.Complement
键入2SD1763
高
击穿电压
应用
For
在低频功率使用
放大器的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
参数
集电极 - 基极电压
集电极发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
20
150
-55~150
℃
℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
-120
-120
-5
-1.5
-3.0
2.0
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
2SB1186
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -1mA ;我
B
=0
-120
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -50μA ;我
E
=0
-120
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -50μA ;我
C
=0
-5
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
-2.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= -1A ，我
B
=-0.1A
-1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -100V ;我
E
=0
-1.0
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -4V ;我
C
=0
-1.0
μA
h
FE
直流电流增益
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
100
320
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.1A ; V
CE
=-5V
50
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
= 0; F = 1MHz的; V
CB
=-10V
30
pF
h
FE
分类
E
100-200
F
160-320
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SB1186
图2外形尺寸（ unindicated公差：
±0.15
mm)
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    2SB1186
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