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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第279页 > 2SK3569
2SK3569
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3569
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.54Ω （ TYP。）
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 8.5S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 k)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
600
±30
10
40
45
363
10
4.5
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
单位
V
V
V
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
2
° C / W
° C / W
注1：请使用上的条件的设备，该通道的温度低于150℃。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
6.36 mH的，我
AR
=
10 A，R
G
=
25
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电敏感器件。请谨慎操作。
3
1
1
2004-03-04
2SK3569
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
10 A
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
s
=
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
I
D
=
5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 A,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
600 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
5 A
民
±30
600
2.0
0.7
典型值。
0.54
8.5
1500
15
180
22
50
36
180
42
23
19
最大
±10
100
4.0
0.75
pF
单位
A
V
A
V
V
S
ns
R
L
=
40
V
DD
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1300
16
最大
10
40
1.7
单位
A
A
V
ns
C
记号
K3569
※
TYPE
※
批号
2
2004-03-04
2SK3569
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10,8
6
5.3
20
10
5.1
5
4.8
6
4.6
4
4.4
2
4.2
I
D
– V
DS
8
6
16
5.5
5.25
12
5
8
4.75
4.5
VGS
=
4 V
0
0
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(A)
8
I
D
漏电流
漏电流
I
D
4
VGS
=
4V
0
0
2
4
6
8
10
10
20
30
(A)
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
(V)
20
常见的来源
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25℃
8
脉冲测试
(A)
16
VDS
=
20 V
脉冲测试
I
D
漏电流
12
漏源电压
V
DS
6
ID
=
10 A
8
Tc
= 55°C
4
100
25
0
0
2
4
6
8
10
4
2
5
2.5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
10
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
()
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
Tc
= 55°C
25
100
1
VGS
=
10 V½15V
1
常见的来源
VDS
=
20 V
0.1
0.1
脉冲测试
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流
I
D
(A)
漏电流
I
D
(A)
3
2004-03-04
2SK3569
R
DS （ ON）
TC =
2.5
100
I
DR
– V
DS
I
DR
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
常见的来源
脉冲测试
2.0
ID
=
12A
1.5
6
1.0
VGS
=
10 V
0.5
3
反向漏电流
(A)
1
10
5
3
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
VGS
=
0,
1
V
0.8
1.0
1.2
0
80
40
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
4
1000
科斯
100
C
3
电容
2
常见的来源
1
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
CRSS
10种常见来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
0.1
1
10
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
(V)
80
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
V
DS
400
60
VDS
VDD
=
100 V
16
漏源电压
300
200
200
VGS
400
常见的来源
100
ID
=
3 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
0
0
10
20
30
40
50
12
40
8
20
4
0
0
40
80
120
160
200
0
60
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2004-03-04
2SK3569
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
t
0.01
0.01
单脉冲
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
2.78°C/W
10½
100½
1
10
0.001
10μ
100μ
1½
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
100
s
*
400
500
E
AS
– T
ch
(A)
10
ID MAX（连续）
*
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
300
漏电流
I
D
1毫秒
*
直流操作
Tc
=
25°C
200
1
100
0.1
※
单一不重复的脉冲
Tc=25℃
曲线
线性
必须
同
BE
降额
IN
0
25
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
T
ch
(°C)
VDSS最大
100
1000
增加
0.01
1
温度。
10
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
V
DD
=
90 V，L
=
6.36mH
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2004-03-04
2SK3569
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（ π - MOSVI ）
2SK3569
开关稳压器的应用
低漏源导通电阻，R
DS （ ON）
= 0.54Ω （ TYP。）
高正向转移导纳： | Y
fs
| = 8.5S （典型值）。
低漏电流：I
DSS
= 100
μA
(V
DS
= 600 V)
增强型： V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=
20 kΩ)
栅源电压
DC
漏电流
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
600
600
±30
10
40
45
363
10
4.5
150
-55~150
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
单位
V
V
V
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
脉冲（T
=
1毫秒）
（注1 ）
漏极功耗（TC
=
25°C)
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
SC-67
2-10U1B
重量：2.7克（典型值）。
注意：
重负载下连续使用（如高温/电流/电压的施加而在显著变化
温度等）可能会导致此产品的可靠性降低显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和可靠性
方法）和个人可靠性数据（即可靠性测试报告和估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
2
注1 ：确保通道温度不超过150 。
注2 ： V
DD
=
90 V，T
ch
=
25 ° C（初始） ，L
=
6.36 mH的，我
AR
=
10 A，R
G
=
25
Ω
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道温度
此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。
3
1
2006-11-08
2SK3569
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
排水截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
t
f
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
400 V, V
GS
=
10 V，I
D
=
10 A
税
＆ LT ;
1%, t
w
=
10
μs
=
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
t
on
10 V
V
GS
0V
50
Ω
I
D
=
5 A
V
OUT
V
DS
=
25 V, V
GS
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
V
GS
= ±25
V, V
DS
=
0 V
I
G
= ±10 μA,
V
DS
=
0 V
V
DS
=
600 V, V
GS
=
0 V
I
D
=
10毫安，V
GS
=
0 V
V
DS
=
10 V，I
D
=
1毫安
V
GS
=
10 V，I
D
=
5 A
V
DS
=
10 V，I
D
=
5 A
民
±30
600
2.0
0.7
典型值。
0.54
8.5
1500
15
180
22
50
36
180
42
23
19
最大
±10
100
4.0
0.75
pF
单位
μA
V
μA
V
V
Ω
S
ns
R
L
=
40
Ω
V
DD
200 V
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（大
=
25°C)
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
（注1 ）
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
测试条件
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V
I
DR
=
10 A，V
GS
=
0 V,
dI
DR
/ DT
=
100 A / μs的
民
典型值。
1300
16
最大
10
40
1.7
单位
A
A
V
ns
μC
记号
K3569
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-08
2SK3569
I
D
– V
DS
10
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10,8
6
4.6
4
4.4
2
4.2
6
5.3
20
10
5.1
5
4.8
I
D
– V
DS
8
6
16
5.5
5.25
12
5
8
4.75
4.5
VGS
=
4 V
0
0
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
(A)
8
漏电流I
D
漏电流I
D
(A)
4
VGS
=
4V
0
0
2
4
6
8
10
10
20
30
40
50
漏源电压
V
DS
(V)
漏源电压
V
DS
(V)
I
D
– V
GS
V
DS
(V)
20
常见的来源
10
V
DS
– V
GS
常见的来源
Tc
=
25℃
8
脉冲测试
(A)
16
VDS
=
20 V
脉冲测试
漏电流I
D
12
漏源电压
6
ID
=
10 A
8
Tc
= 55°C
4
100
25
0
0
2
4
6
8
10
4
2
5
2.5
0
0
4
8
12
16
20
栅源电压
V
GS
(V)
栅源电压
V
GS
(V)
Y
fs
– I
D
正向转移导纳
Y
fs
(S)
100
10
R
DS （ ON）
– I
D
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
Tc
= 55°C
25
100
1
VGS
=
10 V½15V
1
常见的来源
VDS
=
20 V
0.1
0.1
脉冲测试
1
10
100
0.1
0.1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
3
2006-11-08
2SK3569
R
DS （ ON）
TC =
2.5
100
I
DR
– V
DS
反向漏电流I
DR
(A)
常见的来源
Tc
=
25°C
脉冲测试
10
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(
Ω)
常见的来源
脉冲测试
2.0
ID
=
10A
1.5
5A
1.0
VGS
=
10 V
0.5
2.5A
1
10
5
3
1
0.1
0
0.2
0.4
0.6
VGS
=
0,
1
V
0.8
1.0
1.2
0
80
40
0
40
80
120
160
外壳温度
Tc
(°C)
漏源电压
V
DS
(V)
电容 - V
DS
10000
西塞
5
V
th
TC =
栅极阈值电压
V
th
(V)
（PF ）
4
1000
科斯
100
C
3
电容
2
常见的来源
1
VDS
=
10 V
ID
=
1毫安
脉冲测试
0
80
40
0
40
80
120
160
CRSS
10种常见来源
VGS
=
0 V
f
=
1兆赫
Tc
=
25°C
1
0.1
1
10
100
漏源电压
V
DS
(V)
外壳温度
Tc
(°C)
P
D
TC =
V
DS
(V)
80
500
动态输入/输出
特征
(V)
栅源电压
V
GS
20
漏极功耗
P
D
(W)
400
VDS
16
60
漏源电压
300
VDD
=
100 V
200
常见的来源
100
VGS
200
ID
=
10 A
Tc
=
25°C
脉冲测试
0
0
400
12
40
8
20
4
0
0
40
80
120
160
200
10
20
30
40
50
0
60
外壳温度
Tc
(°C)
总栅极电荷
Q
g
（ NC ）
4
2006-11-08
2SK3569
r
th
– t
w
归一化瞬态热
阻抗
日（T ）
/R
TH（ CH-C ）
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
PDM
t
0.01
0.01
单脉冲
T
税
=
t/T
RTH （ CH-C ）
=
2.78°C/W
10½
100½
1
10
0.001
10μ
100μ
1½
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
100
ID MAX（脉冲）
*
100
μs
*
ID MAX（连续）
*
400
500
E
AS
– T
ch
10
雪崩能量
E
AS
（兆焦耳）
(A)
300
漏电流I
D
1毫秒
*
直流操作
Tc
=
25°C
200
1
100
0.1
※
单一不重复的脉冲
Tc=25℃
曲线
线性
必须
同
BE
降额
IN
0
25
50
75
100
125
150
通道温度（初始）
T
ch
(°C)
VDSS最大
100
1000
增加
0.01
1
温度。
10
15 V
15
V
B
VDSS
I
AR
V
DD
V
DS
漏源电压
V
DS
(V)
测试电路
R
G
=
25
Ω
V
DD
=
90 V，L
=
6.36mH
电波表
Ε
AS
=
1
B VDSS
L
I2
B
2
VDSS
VDD
5
2006-11-08
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