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2SD1547
彩电行输出
应用程序（无阻尼二极管）
!
!
高集电极 - 基极电压（V
CBO
=1500V)
高速开关
NPN型三重扩散型
平面硅晶体管
2-16E3A
绝对最大额定值（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极耗散（ TC = 25
℃)
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
1500
800
6
7
50
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性（T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 发射极截止电流（V
BE
=0)
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
测试条件
V
CE
= 1400 V ，R
BE
=0
V
CB
= 800 V，I
E
=0
V
EB
= 4V ,
I
C
=
0
V
CE
= 5V ,
I
C
=1A
I
B
=1.2A
I
C
=6A ,
民
典型值
最大
1.0
10
1.0
单位
mA
A
mA
V
8
5.0
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1547
描述
·带
TO-3P （H） IS包
高
电压，高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
●颜色
电视机行输出的应用
切换
调节器的输出应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
·
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
7
3.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
2SD1547
典型值。
最大
单位
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
3.0
5.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
1.5
V
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
μA
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= 5V ;我
C
=0
1
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
8
20
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
165
pF
t
f
下降时间
I
CP
= 6A ，我
B1
（结束）
=1.2A
0.5
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1547
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1547
描述
·采用TO- 3P （H ） IS包
·高电压，高转速
·低集电极饱和电压
应用
·彩电行输出的应用
·开关稳压器输出的应用
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（TO -3P （H）， IS）和符号
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
7
3.5
50
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
2SD1547
符号
典型值。
最大
单位
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
8
3.0
5.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
集电极截止电流
10
A
发射极截止电流
1
mA
直流电流增益
20
跃迁频率
3
兆赫
集电极输出电容
165
pF
t
f
下降时间
I
CP
= 6A ，我
B1
（结束）
=1.2A
0.5
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1547
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.15 MM）
3
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20046HS-13A00
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2N1011
供货商
型号
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数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SD1547
    -
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    -
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    终端采购配单精选

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深圳市春涛电子有限公司
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联系人：王云
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2SD1547
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2SD1547
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2SD1547
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