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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第279页 > 2SK1400A
初步
数据表
2SK1400A
硅N沟道MOS FET
高速电源开关
特点
低导通电阻
RDS （ ON） = 0.6
（典型值） 。 （在我
D
= 4 A，V
GS
= 10 V ，TA = 25C ）
高速开关
低驱动电流
REJ03G0940-0300
Rev.3.00
2010年4月1日
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
1
2
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
10
s,
占空比
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
PCH
Note2
总胆固醇
TSTG
Note1
评级
350
30
7
28
7
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
REJ03G0940-0300 Rev.3.00
2010年4月1日
第1页6
2SK1400A
初步
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注意：
3.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
350
30
—
—
2.0
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.6
5.0
635
230
40
10
50
60
40
1.0
240
最大
—
—
10
250
3.0
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 280 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V
Note3
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V
Note3
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 4 A
V
GS
= 10 V
R
L
= 7.5
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
Note3
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A / μs的
REJ03G0940-0300 Rev.3.00
2010年4月1日
第2 6
2SK1400A
初步
主要特点
最高安全工作区
100
10
15 V
典型的输出特性
5.5 V
6V
10 V
TA = 25°C
脉冲测试
5V
6
漏电流I
D
(A)
10
PW
μ
s
=
10
0
μ
s
漏电流I
D
(A)
10
8
1
操作在此
区域由限定
R
DS （ ON）
TC = 25°C
1次射门
4
4.5 V
2
4V
V
GS
= 3.5 V
4
8
12
16
20
0.1
1
10
100
1000
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极电压V
DS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏电流（典型值）
5
V
GS
= 10 V
TA = 25°C
脉冲测试
10
V
DS
= 20 V
脉冲测试
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
8
2
1
0.5
6
4
75°C
2
TA = 25°C
–25°C
0.2
0.1
0.05
0.5
0
2
4
6
8
10
1.0
2
5
10
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻 - 温度曲线（典型）
2.0
500
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间（典型）
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
1.6
I
D
= 10 A
5A
反向恢复时间吨RR （ NS ）
V
GS
= 10 V
脉冲测试
200
100
50
1.2
0.8
2A
0.4
20
10
5
0.2
的di / dt = 50A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25 ° C，脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
0
–40
0
40
80
120
160
案例温度T
C
(°C)
反向漏电流I
DR
(A)
REJ03G0940-0300 Rev.3.00
2010年4月1日
第3页6
2SK1400A
典型的电容比。
漏源极电压
10000
初步
动态输入特性（典型）
漏极至源极电压V
DS
(V)
500
V
DD
= 50 V
100 V
200 V
V
GS
V
DS
20
西塞
电容C （PF ）
400
16
1000
科斯
300
12
200
8
100
CRSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
TA = 25°C
10
0
10
20
30
40
50
100
200 V
100 V
V
DD
= 50 V
8
16
24
4
I
D
= 7 A
TA = 25°C
0
32
40
0
漏极至源极电压V
DS
(V)
反向漏电流 -
源极到漏极电压（典型值）
10
栅极电荷Qg （ NC ）
反向漏电流I
DR
(A)
8
V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
6
4
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
REJ03G0940-0300 Rev.3.00
2010年4月1日
第4 6
栅极至源极电压V
GS
(V)
2SK1400A
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
初步
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
T
C
= 25°C
1.0
0.1
0.05
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 2.50 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.02
0.03
e
1
0.0
吨普尔斯
ho
1S
T
100
μ
1m
10 m
100 m
0.01
10
μ
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
VIN
10%
波形
90%
R
L
50
Ω
VIN
10 V
V
DD
= 30 V
VOUT
10%
90%
90%
t
D（关闭）
10%
t
D（上）
t
r
t
f
REJ03G0940-0300 Rev.3.00
2010年4月1日
分页： 5 6
2SK1400 ， 2SK1400A
硅N沟道MOS FET
REJ03G0940-0200
（上一个： ADE- 208-1280 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AC -A
（包名称： TO- 220AB ）
D
G
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
1
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页6
2SK1400 ， 2SK1400A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25
°
C
2SK1400
2SK1400A
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
2
PCH *
总胆固醇
TSTG
1
符号
V
DSS
评级
300
350
±30
7
28
7
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°
C
°
C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
2SK1400
2SK1400A
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
300
350
±30
—
—
2.0
—
—
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
0.50
0.60
5.0
635
230
40
10
50
60
40
1.0
240
最大
—
—
—
±10
250
3.0
0.70
0.80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 240 V, V
GS
= 0
V
DS
= 280 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
3
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
3
栅源击穿电压
门源漏电流
零栅压漏2SK1400
当前
2SK1400A
门源截止电压
静态漏源2SK1400
态电阻
2SK1400A
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体流失二极管正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 3.脉冲测试
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
Rev.2.00 2005年9月7日第2 6
2SK1400 ， 2SK1400A
主要特点
功率与温度降额
60
最高安全工作区
50
a
O
每
LIM ATI
伊特上
d。在
B Y形日
R是
(o
通道耗散P沟（W）的
20
n)
DS
漏电流I
D
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
10
PW
=
10
ar
e
0
s
40
1
10
m
s
s
m
s
Sh
ot
D
C
O
pe
(1
ra
TIO
n
)
=
(T
C
20
TA = 25
°
C
1
3
10
2SK1400
2SK1400A
25
0
50
100
150
30
100
°
C
)
300
1,000
案例温度T
C
(°C)
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
10
15 V
5.5 V
6V
10 V
10
脉冲测试
5V
6
典型的传输特性
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
8
8
V
DS
= 20 V
脉冲测试
6
4
4.5 V
4
75°C
2
TA = 25°C
–25°C
2
4V
V
GS
= 3.5 V
4
8
12
16
20
0
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
I
D
= 10 A
6
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10 V
15 V
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
4
5A
2
2A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
0.2
0.1
0.05
0.5
0
4
8
12
16
20
1.0
2
5
10
20
50
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第3页6
2SK1400 ， 2SK1400A
静态漏源导通状态
电阻与温度
2.0
脉冲测试
V
GS
= 10 V
10 A
1.2
5A
2A
0.8
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
V
DS
= 20 V
脉冲测试
1.6
20
10
5
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
2
1
0.5
0.1
0.4
0
–40
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
漏电流I
D
(A)
体漏二极管反向
恢复时间
500
10,000
关于国家静态漏源
电阻与漏极电流
反向恢复时间吨RR （ NS ）
西塞
电容C （PF ）
200
100
50
1,000
科斯
20
10
5
0.2
的di / dt = 50A / μs的，V
GS
= 0
TA = 25°C
脉冲测试
0.5
1
2
5
10
20
100
CRSS
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
500
V
DD
= 50 V
100 V
200 V
V
GS
V
DS
20
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
500
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
税
≤
1 %
开关时间t（ NS ）
400
16
200
100
50
t
r
t
D（上）
t
f
300
12
t
D（关闭）
200
8
20
10
5
0.1
100
200 V
100 V
V
DD
= 50 V
8
16
24
I
D
= 7 A
4
0
32
40
0
0.2
0.5
1
2
5
10
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 6
2SK1400 ， 2SK1400A
反向漏电流 -
源极到漏极电压
10
反向漏电流I
DR
(A)
8
脉冲测试
6
4
2
5 V, 10 V
V
GS
= 0, –5 V
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压V
SD
(V)
归瞬态热阻抗
γ
S
(t)
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
3
D=1
0.5
0.3
0.1
0.2
T
C
= 25°C
1.0
0.1
0.05
θch -C
(t) =
γ
S
(t)
θch -C
θch -C
= 2.50 ° C / W ，T
C
= 25°C
P
DM
PW
1
D = PW
T
0.02
0.03
0.01
10
e
1
0.0
吨普尔斯
ho
1S
100
1m
10 m
100 m
T
10
脉冲宽度PW （S ）
开关时间测试电路
输入电压监视器
VOUT监控
D.U.T
VIN
10%
波形
90%
R
L
50
VIN
10 V
V
DD
= 30 V
VOUT
10%
90%
90%
t
D（关闭）
10%
t
D（上）
t
r
t
f
Rev.2.00 2005年9月7日第5 6
2SK1400 ， 2SK1400A
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器和DC-DC转换器
概要
TO-220AB
D
G
1
2
3
1.门
2.漏
（法兰）
3.源
S
2SK1400 ， 2SK1400A
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1400
2SK1400A
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
300
350
±30
7
28
7
50
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1400 ， 2SK1400A
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
K1400
K1400A
V
（ BR ） GSS
I
GSS
I
DSS
符号最小值
V
（ BR ） DSS
300
350
±30
—
—
典型值
—
—
—
—
—
最大
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 240 V, V
GS
= 0
V
DS
= 280 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.50
0.60
5.0
635
230
40
10
50
60
40
1.0
240
3.0
0.70
0.80
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 7 A，V
GS
= 0
I
F
= 7 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
K1400
K1400A
门源截止电压
静态漏源K1400
导通状态电阻
K1400A
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
3
2SK1400 ， 2SK1400A
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
50
ar
ea
O
I S元
LIM ATI
伊特上
d。在
经t ^ h
R是
(o
n)
最高安全工作区
10
20
漏电流I
D
(A)
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
DS
10
40
PW
C
D
O
0
s
=
1
s
10
m
s
m
s
n
TIO
ra
pe
(1
Sh
ot
)
=
(T
C
20
TA = 25°C
1
2SK1400
2SK1400A
3
30
10
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
)
°C
25
典型的输出特性
10
15 V
8
漏电流I
D
(A)
5.5 V
6V
10 V
10
脉冲测试
5V
6
漏电流I
D
(A)
典型的传输特性
8
V
DS
= 20 V
脉冲测试
6
4
4.5 V
4
75°C
2
TA = 25°C
–25°C
2
4V
V
GS
= 3.5 V
4
12
16
8
漏极至源极电压V
DS
(V)
20
0
0
2
6
8
4
栅极至源极电压V
GS
(V)
10
4
2SK1400 ， 2SK1400A
漏极至源极饱和电压V
DS （ ON）
(V)
漏极至源极饱和电压
与门源电压
10
脉冲测试
8
I
D
= 10 A
6
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
5
脉冲测试
2
1
0.5
V
GS
= 10 V
15 V
静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
4
5A
2
2A
0.2
0.1
0
8
4
12
16
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
0.05
0.5
1.0
5
10
20
2
漏电流I
D
(A)
50
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
静态漏源导通状态
电阻与温度
正向转移导纳
yfs
(S)
2.0
脉冲测试
V
GS
= 10 V
10 A
1.2
5A
2A
0.8
50
正向转移导纳
与漏电流
V
DS
= 20 V
脉冲测试
1.6
20
10
5
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
2
1
0.5
0.1
0.4
0
–40
0
80
120
40
案例温度T
C
(°C)
160
0.2
1
0.5
2
漏电流I
D
(A)
5
10
5
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210-12MSD
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