【2SK3446硅N沟道功率MOS FET电源开关ADE - 208-1566F （ Z）第7位。版2】,IC型号2SK3446,2SK3446 PDF资料,2SK3446经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK3446

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

ADE - 208-1566F （ Z）

第7位。版

2003年1月

特点

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

低导通电阻

DS （ ON）

=1.5

（典型值）。（在V

= 4 V)

概要

TO-92MOD.

1.源

2.漏

3.门

2SK3446

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

1 %

2.值在TA = 25℃

符号

DSS

GSS

D（脉冲）

PCH

总胆固醇

TSTG

Note2

Note1

评级

150

±10

0.9

150

-55到+150

单位

°C

Rev.6号文件， 2003年1月， 10个2页

2SK3446

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

150

±10

—

0.5

—

0.8

—

典型值

—

1.5

1.9

1.4

3.5

0.5

1.8

1.0

最大

—

±10

1.5

1.95

2.5

—

1.5

—

单位

IF = 1 A，V

= 0

Note3

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= ±100

= 0

= ±8 V, V

= 0

= 150 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 0.5 A ，V

= 4 V

Note3

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

（ BR ） GSS

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

= 0.5 A ，V

= 2.5 V

= 0.5 A ，V

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 100 V

= 4 V

= 1 A

= 4 V，I

= 0.5 A

= 60

Note3

体漏二极管的反向恢复吨

时间

注： 3.脉冲测试

IF = 1 A，V

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

Rev.6号文件， 2003年1月， 10个3页

2SK3446

主要特点

功率与温度降额

1.6

P沟（W）的

(A)

最高安全工作区

0.3

0.1

0.03

操作

0.01

限于由R

DS （ ON）

0.003

TA = 25°C

这个区域是

1.2

100

1毫秒

散热通道

漏电流

0.8

TIO

)

0.4

100

150

200

环境温度

的Ta （℃）

0.001

0.1 0.3 1

3 10 30 100

500

漏极至源极电压V

(V)

典型的输出特性

2.5

脉冲测试

漏电流I

(A)

典型的传输特性

= 10 V

脉冲测试

TC = -25°C

25°C

75°C

2.5 V

1.5

漏电流

= 1.5 V

0.5

漏源极电压

(V)

栅极至源极电压

(V)

Rev.6号文件， 2003年1月， 10第4页

2SK3446

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

DS （ ON）

()

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

脉冲测试

0.5

= 2.5 V

=1A

0.5 A

0.2 A

0.2

0.1

0.3

(A)

栅极至源极电压

(V)

漏电流

静态漏极至源极通态电阻

DS （ ON）

()

正向转移导纳| YFS | （ S）

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

脉冲测试

0.2 A

= 1 A 0.5 A

正向转移导纳主场迎战

漏电流

TC = -25°C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

= 10 V

脉冲测试

0.1

0.3

25°C

75°C

= 2.5 V

0.2 A

0.5 A

= 1 A

–25

= 4 V

100 125 150

(°C)

外壳温度

漏电流I

(A)

Rev.6号文件， 2003年1月， 10个5页

2SK3446

硅N沟道功率MOS FET

电源开关

ADE - 208-1566E （ Z）

6 。版

2002年11月

特点

能够2.5 V门极驱动

低驱动电流

低导通电阻

DS （ ON）

=1.5

（典型值）。（在V

= 4 V)

概要

TO-92MOD.

1.源

2.漏

3.门

2SK3446

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

占空比

≤

1 %

2.值在TA = 25℃

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

150

±10

0.9

150

-55到+150

单位

°C

Rev.5号文件， 2002年11月， 5个2页

2SK3446

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

150

典型值

—

1.5

1.9

1.4

3.5

0.5

1.8

1.0

最大

—

±10

1.5

1.95

2.5

—

1.5

—

单位

IF = 1 A，V

= 0

Note3

IF = 1 A，V

= 0

DIF / DT = 100 A / μs的

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

= ±100

= 0

= ±8 V, V

= 0

= 150 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 0.5 A ，V

= 4 V

Note3

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

QGS

QGD

D（上）

D（关闭）

（ BR ） GSS

±10

—

0.5

—

0.8

—

= 0.5 A ，V

= 2.5 V

Note3

= 0.5 A ，V

= 10 V

Note3

= 10 V

= 0

F = 1 MHz的

= 100 V

= 4 V

= 1 A

= 4 V，I

= 0.5 A

= 60

体漏二极管的反向恢复吨

时间

注： 3.脉冲测试

Rev.5号文件， 2002年11月， 5个3页

2SK3446

包装尺寸

截至2002年7月的

单位：mm

4.8 ± 0.4

3.8 ± 0.4

0.65 ± 0.1

0.75最大

0.55最大

0.60 MAX

2.3最大

0.7

10.1敏

8.0 ± 0.5

0.5最大

1.27

2.54

日立代码

JEDEC

JEITA

质谱（参考值）

TO-92国防部

—

符合

0.35 g

Rev.5号文件， 2002年11月， 5个第4页

2SK3446

放弃

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后记7.0

Rev.5号文件， 2002年11月，共5页