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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3277
描述
·带
TO- 3PN封装
高
电压，大电流
·快速
开关速度
ùWide
安全工作区
应用
·400V/10A
开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=∞
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1.2A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
C
= 1.2A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
15
8
民
400
500
7
2SC3277
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
50
V
V
μA
μA
20
120
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;I
B1
=-I
B2
=1.4A
R
L
=28.6Ω,P
W
=20μs
V
CC
=200V
1.0
2.5
1.0
μs
μs
μs
h
FE-1
分类
L
15-30
M
20-40
N
30-50
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3277
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3277
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3277
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压，大电流
·快速开关速度
·安全运行的广域
应用
· 400V / 10A的开关稳压器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
500
400
7
10
20
90
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 5毫安; R
BE
=;
I
C
= 1毫安，我
E
=0
I
E
= 1毫安，我
C
=0
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
I
C
= 6A ，我
B
=1.2A
V
CB
= 400V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1.2A ; V
CE
=5V
I
C
= 6A ; V
CE
=5V
I
C
= 1.2A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
15
8
民
400
500
7
2SC3277
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
OB
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.0
1.5
10
10
50
V
V
A
A
20
120
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=7A;I
B1
=-I
B2
=1.4A
R
L
=28.6E,P
W
=20s
V
CC
=200V
1.0
2.5
1.0
s
s
s
h
FE-1
分类
L
15-30
M
20-40
N
30-50
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC3277
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC3277
4
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2SK3446
296HC501A3C
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2SD1261AQ
2-1393818-2
2SK3505
2SK3798_06
22-26-8031
2SD916
2-487544-8
2SA1978
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