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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1115K
描述
·采用TO- 220封装
·达林顿
应用
·对于高压开关
和点火器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
7
3
6
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 2A ; PW = 50μs的
F = 50Hz时， L = 10MH
I
C
= 0.1A ，我
E
=0
I
E
= 50毫安，我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=20mA
I
C
= 2A ;我
B
=20mA
V
CE
= 300V ;
BE
=A
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
500
民
300
400
7
2SD1115K
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
h
FE
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.5
2.0
0.1
V
V
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
=2A;I
B1
=- I
B2
=20mA
打开-O FF时间
22
s
1.0
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1115K
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
2SD1115(K)
硅NPN三重扩散
应用
高压开关，点火器
概要
TO-220AB
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2 3
4.5 k
（典型值）
250
（典型值）
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
Tj
TSTG
1
评级
400
300
7
3
6
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SD1115(K)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极维持
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
关闭
民
400
300
7
—
500
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
1.0
22
最大
—
—
—
100
—
1.5
2.0
—
—
V
V
s
s
I
C
= 2 A，I
B1
= –I
B2
= 20毫安
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
I
C
= 2 A， PW = 50微秒，
F = 50Hz时， L = 10毫亨
I
E
= 50 mA时，我
C
= 0
V
CE
= 300 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 2 V，I
C
= 2 A*
1
I
C
= 2 A，I
B
能力= 20 mA *
1
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC（ W）
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
安全工作区
10
3
i
C（峰值）
I
C（最大值）
150
TA = 25°C
热
)
1s
t
5
°
C
ms
笑
=2
=1
s1
(T
C
PW
0m
化
=1
ERA
Op
DC
PW
集电极电流I
C
(A)
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.005
0.5 1.0 2
5 10 20 50 100200 500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SD1115(K)
典型的输出特性
5
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
4
1.0
0.8
0.6
0.4
3
2
0.2毫安
1
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
10,000
直流电流传输比H
FE
5,000
2,000
1,000
500
200
100
0.1
T
C
=
75
°
C
25
–2
5
V
CE
= 2 V
脉冲
0.2
0.5 1.0
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （SAT）
(V)
饱和电压与集电极电流
10
5
l
C
= 100 l
B
T
C
= 25°C
脉冲
V
BE （SAT）
2
1.0
0.5
V
CE （SAT）
0.2
0.1
0.1
0.2
0.5 1.0
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
3
2SD1115(K)
当使用此文件时，请记住以下几点：
1.本文件可以全部或部分地，可以随时更改，恕不另行通知。
2.保留所有权利：没有人被允许复制或复制，以任何形式，全部或部分
没有日立的许可本文件。
3.日立公司将不负责对用户的损害可能会导致意外或任何
根据该文件的用户的单元的操作期间等原因。
4.电路和其它实施例在此描述是为了仅仅以指示特征和
日立的半导体产品的性能。日立公司不承担任何责任，不
知识产权权利要求书或其他问题可能会导致基于该应用程序的
本文描述的例子。
5.没有获发牌照以暗示或其他任何专利或任何第三方的其他权利
或日立有限公司
6.医疗应用：日立的产品不得用于医疗用途
应用程序，而日立的销售公司相应人员的书面同意。
这种使用包括，但不限于，生命维持系统中的使用。日立的产品购买者
请计划使用的产品用于医疗时，通知相关日立销售办事处
应用程序。
株式会社日立制作所
半导体& IC事业部。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111
传真： （ 03 ） 3270-5109
欲了解更多信息，写信至：
日立美国有限公司
半导体& IC事业部。
2000塞拉利昂点百汇
布里斯班， CA. 94005-1835
美国
联系电话： 415-589-8300
传真： 415-583-4207
日立欧洲公司
电子元件组
欧洲大陆
Dornacher大街3
D- 85622克恩
慕尼黑
联系电话： 089-9 91 80-0
传真： 089-9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元器件事业部。
北欧总部
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA
英国
电话： 0628-585000
传真： 0628-778322
日立（亚洲） 。有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡0104
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲（香港）有限公司
单元706 ，北塔，
环球金融中心
海港城，广东道
尖沙咀，九龙
香港
联系电话： 27359218
传真： 27306071
4
2SD1115(K)
硅NPN三重扩散
应用
高压开关，点火器
概要
TO-220AB
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
2 3
4.5 k
（典型值）
250
（典型值）
3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
Tj
TSTG
1
评级
400
300
7
3
6
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
2SD1115(K)
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
集电极基极击穿
电压
集电极到发射极维持
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
符号
V
（ BR ） CBO
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
I
首席执行官
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
关闭
民
400
300
7
—
500
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
1.0
22
最大
—
—
—
100
—
1.5
2.0
—
—
V
V
s
s
I
C
= 2 A，I
B1
= –I
B2
= 20毫安
单位
V
V
V
A
测试条件
I
C
= 0.1毫安，我
E
= 0
I
C
= 2 A， PW = 50微秒，
F = 50Hz时， L = 10毫亨
I
E
= 50 mA时，我
C
= 0
V
CE
= 300 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 2 V，I
C
= 2 A*
1
I
C
= 2 A，I
B
能力= 20 mA *
1
最大集电极耗散曲线
60
集电极耗散功率PC（ W）
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
安全工作区
10
3
i
C（峰值）
I
C（最大值）
150
TA = 25°C
热
)
1s
t
5
°
C
ms
笑
=2
=1
s1
(T
C
PW
0m
化
=1
ERA
Op
DC
PW
集电极电流I
C
(A)
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.005
0.5 1.0 2
5 10 20 50 100200 500
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
2SD1115(K)
典型的输出特性
5
T
C
= 25°C
集电极电流I
C
(A)
4
1.0
0.8
0.6
0.4
3
2
0.2毫安
1
I
B
= 0
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
直流电流传输比
与集电极电流
10,000
直流电流传输比H
FE
5,000
2,000
1,000
500
200
100
0.1
T
C
=
75
°
C
25
–2
5
V
CE
= 2 V
脉冲
0.2
0.5 1.0
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （SAT）
(V)
饱和电压与集电极电流
10
5
l
C
= 100 l
B
T
C
= 25°C
脉冲
V
BE （SAT）
2
1.0
0.5
V
CE （SAT）
0.2
0.1
0.1
0.2
0.5 1.0
2
5
集电极电流I
C
(A)
10
3
2SD1115(K)
当使用此文件时，请记住以下几点：
1.本文件可以全部或部分地，可以随时更改，恕不另行通知。
2.保留所有权利：没有人被允许复制或复制，以任何形式，全部或部分
没有日立的许可本文件。
3.日立公司将不负责对用户的损害可能会导致意外或任何
根据该文件的用户的单元的操作期间等原因。
4.电路和其它实施例在此描述是为了仅仅以指示特征和
日立的半导体产品的性能。日立公司不承担任何责任，不
知识产权权利要求书或其他问题可能会导致基于该应用程序的
本文描述的例子。
5.没有获发牌照以暗示或其他任何专利或任何第三方的其他权利
或日立有限公司
6.医疗应用：日立的产品不得用于医疗用途
应用程序，而日立的销售公司相应人员的书面同意。
这种使用包括，但不限于，生命维持系统中的使用。日立的产品购买者
请计划使用的产品用于医疗时，通知相关日立销售办事处
应用程序。
株式会社日立制作所
半导体& IC事业部。
立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100 ，日本
联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111
传真： （ 03 ） 3270-5109
欲了解更多信息，写信至：
日立美国有限公司
半导体& IC事业部。
2000塞拉利昂点百汇
布里斯班， CA. 94005-1835
美国
联系电话： 415-589-8300
传真： 415-583-4207
日立欧洲公司
电子元件组
欧洲大陆
Dornacher大街3
D- 85622克恩
慕尼黑
联系电话： 089-9 91 80-0
传真： 089-9 29 30 00
日立欧洲公司
电子元器件事业部。
北欧总部
Whitebrook公园
较低的Cookham路
梅登黑德
伯克希尔SL6 8YA
英国
电话： 0628-585000
传真： 0628-778322
日立（亚洲） 。有限公司
16哥烈码头20-00 ＃
日立塔
新加坡0104
联系电话： 535-2100
传真： 535-1533
日立亚洲（香港）有限公司
单元706 ，北塔，
环球金融中心
海港城，广东道
尖沙咀，九龙
香港
联系电话： 27359218
传真： 27306071
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1115K
描述
·带
的TO-220封装
·达林顿
应用
For
高压开关
和点火器的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
400
300
7
3
6
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CBO
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
条件
I
C
= 2A ; PW = 50μs的
F = 50Hz时， L = 10MH
I
C
= 0.1A ，我
E
=0
I
E
= 50毫安，我
C
=0
I
C
= 2A ;我
B
=20mA
I
C
= 2A ;我
B
=20mA
V
CE
= 300V ;
BE
=∞
I
C
= 2A ; V
CE
=2V
500
民
300
400
7
2SD1115K
典型值。
最大
单位
V
V
V
1.5
2.0
0.1
V
V
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
=2A;I
B1
=- I
B2
=20mA
打开-O FF时间
22
μs
1.0
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1115K
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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2SA954
2SJ648
2N3767
2SC4536QS
22-28-3065
2SD2341S
270V224R501B1A1
23620
2904-05-321
2N5957
292254
2SK3446
2SC3277
296HC501A3C
23284
2SD1261AQ
2-1393818-2
2SK3505
2SK3798_06
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