【SMD型MOS场效应2SK3430TO-263+0.11.27-0.1MOSFET单位：mm+0.1】,IC型号2SK3430,2SK3430 PDF资料,2SK3430经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

MOS场效应

2SK3430

263

+0.1

1.27

-0.1

MOSFET

单位：mm

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

特点

超低导通电阻：

DS(on)1

= 7.3 m

DS(on)2

= 15 m

MAX 。（V

= 10 V，I

= 40 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2800 pF的典型。

内置栅极保护二极管

+0.2

5.28

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

MAX 。（V

= 4 V，I

= 40 A)

+0.2

8.7

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

=25

通道温度

储存温度

* PW

10秒，占空比1 ％

英镑

符号

DSS

GSS

等级

200

1.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

排水截止电流

栅极漏电流

水道截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

关闭

= 80A ，V

=32V, V

= 10 V

=40A,V

GS （ ON）

=10V,R

=10 ,V

=20V

=10V,V

=0,f=1MHZ

Testconditons

=40V,V

= 20V,V

=10V,I

=1mA

=10V,I

=40A

=10V,I

=40A

=4V,I

=40A

1.5

2.0

5.9

10.5

2800

730

320

110

1800

170

350

7.3

民

典型值

最大

2.5

单位

5.60

1门

2漏

3源

www.kexin.com.cn

初步数据表

MOS场效应

2SK3430

开关

N沟道功率MOS FET

工业用

订购信息

产品型号

2SK3430

2SK3430-S

2SK3430-Z

包

TO-220AB

TO-262

TO-220SMD

描述

的2SK3430是N沟道MOS场效应晶体管

设计用于高电流的开关应用。

特点

超低导通电阻：

DS(on)1

= 7.3 mΩ以下。（V

= 10 V，I

= 40 A)

DS(on)2

= 15 mΩ以下。（V

= 4 V，I

= 40 A)

内置栅极保护二极管

(TO-220AB)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2800 pF的典型。

绝对最大额定值（T

= 25°C)

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

Note1

DSS

GSS

D（ DC）的

D（脉冲）

英镑

Note2

±20

±80

±200

1.5

150

-55到+150

137

°C

(TO-262)

总功率耗散（T

= 25°C)

总功率耗散（T

= 25°C)

通道温度

储存温度

单雪崩电流

单雪崩能量

(TO-220SMD)

注意事项1 。

≤

S，占空比

≤

1 %

起始物为

= 25 ° C，R

= 25

= 20 V

→

0 V

热阻

渠道情况

渠道环境

RTH （ CH -C ）

RTH （ CH -A ）

1.49

83.3

° C / W

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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查

供应及其他信息。

文档编号

D14599EJ1V0DS00 （第1版）

发布日期2000年3月NS CP （ K）

日本印刷

商标

表示主要修改点。

1999,2000

2SK3430

电气特性（T

= 25 °C)

特征

符号

DS(on)1

DS(on)2

栅极到源截止电压

正向转移导纳

漏极漏电流

门源漏电流

GS （ OFF ）

| y

DSS

GSS

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

F（ S- D）的

= 80 A，V

= 0 V

= 80 A，V

= 0 V,

的di / dt = 100 A /

= 80 A，V

= 32 V, V

= 10 V

= 40 A，V

GS （ ON）

= 10 V, V

= 20 V,

= 10

测试条件

= 10 V，I

= 40 A

= 4 V，I

= 40 A

= 10 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 40 A

= 40 V, V

= 0 V

= ±20 V, V

= 0 V

= 10 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

2800

730

320

110

1800

170

350

1.0

1.5

分钟。

典型值。

5.9

10.5

2.0

±10

马克斯。

7.3

2.5

单位

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

体二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

测试电路1雪崩能力

D.U.T.

= 25

PG 。

= 20

→

0 V

测试电路2开关时间

D.U.T.

PG 。

90 %

电波表

10 %

GS （ ON）

90 %

DSS

= 1

占空比

≤

1 %

电波表

10 %

D（上）

D（关闭）

关闭

10 %

起始物为

测试电路3栅极电荷

D.U.T.

= 2毫安

PG 。

初步数据表D14599EJ1V0DS00

2SK3430

封装图（单位：mm ）

1 ） TO- 220AB （ MP -25 ）

2 ） TO- 262 （ MP -25鳍片切割）

3.0±0.3

10.6 MAX 。

10.0

4.8最大。

1.0±0.5

3.6±0.2

5.9 MIN 。

1.3±0.2

(10)

4.8最大。

1.3±0.2

15.5 MAX 。

1 2 3

6.0 MAX 。

12.7分钟。

1.3±0.2

12.7分钟。

8.5±0.2

0.75±0.1

2.54 TYP 。

0.5±0.2

2.54 TYP 。

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin （漏）

2.8±0.2

0.75±0.3

2.54 TYP 。

0.5±0.2

2.54 TYP 。

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin （漏）

2.8±0.2

3 ） TO- 220SMD （ MP- 25Z ）

(10)

4.8最大。

1.3±0.2

等效电路

漏

1.0±0.5

8.5±0.2

门

)

0.5

.8R

(

体

二极管

1.4±0.2

1.0±0.3

2.54 TYP 。 1

11±0.4

3.0±0.5

0.5±0.2

3 2.54 TYP 。

1.Gate

2.Drain

3.Source

4.Fin （漏）

门

保护

二极管

来源

备注

连接在所述晶体管的栅极和源极之间的二极管用作抗ESD的保护器。

当此装置实际使用时，一个额外的保护电路，如果一个电压从外部要求的

超过额定电压可以施加到该装置。

2.8±0.2

初步数据表D14599EJ1V0DS00

2SK3430

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从使用这些电路，软件和信息时造成当事人。

而NEC公司一直在不断的努力，以增强其半导体器件的可靠性，

的缺陷的可能也不能完全消除。损坏或人身伤害的风险，最大限度地减少人员或

来自于NEC半导体器件的缺陷而产生的财产，客户必须把足够的安全性

在其设计的措施，如冗余度，防火和防故障功能。

NEC公司的设备被分类成下列三个质量等级：

＆ QUOT ;标准＆ QUOT ;，＆ QUOT ;特殊＆ QUOT ;和＆ QUOT ;比＆ QUOT ;.只有特定的质量等级适用于开发基于一个设备

顾客指定"quality保证program"针对特定应用程序。推荐的应用

一个设备取决于其质量等级，如以下所示。客户必须检查每个设备的质量等级

在一个特定的应用程序在使用它之前。

标准：计算机，办公自动化设备，通信设备，测试和测量设备，

音频和视频设备，家用电子电器，机床，个人电子

设备和工业机器人

特别声明：运输设备（汽车，火车，船舶等），交通控制系统，防灾

系统，防止犯罪系统，安全设备和医疗设备（不包括专门设计的

生命支持）

具体有：飞机，航空航天设备，海底中继设备，原子能控制系统，生命

支持系统或用于生命支持等医疗设备

NEC的设备的质量等级是"Standard"除非在NEC的数据表或数据手册另有规定。

如果用户打算使用的应用程序比标准质量等级规定的其他NEC的设备，

他们应该提前联系本公司销售代表。

M7 98. 8

SMD型

产品speci fi cation

2SK3430

263

+0.1

1.27

-0.1

单位：mm

+0.1

1.27

-0.1

+0.2

4.57

-0.2

特点

超低导通电阻：

DS(on)1

= 7.3 m

DS(on)2

= 15 m

MAX 。（V

= 10 V，I

= 40 A)

低C

国际空间站

: C

国际空间站

= 2800 pF的典型。

内置栅极保护二极管

+0.2

5.28

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

0.1max

+0.1

0.81

-0.1

2.54

+0.2

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

2.54

-0.2

+0.2

15.25

-0.2

MAX 。（V

= 4 V，I

= 40 A)

+0.2

8.7

-0.2

2.54

+0.2

0.4

-0.2

绝对最大额定值大= 25

参数

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

功耗

=25

通道温度

储存温度

* PW

10秒，占空比1 ％

英镑

符号

DSS

GSS

等级

200

1.5

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

排水截止电流

栅极漏电流

水道截止电压

正向转移导纳

漏极至源极导通电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

门源费

栅漏电荷

符号

DSS

GSS

GS （ OFF ）

DS(on)1

DS(on)2

国际空间站

OSS

RSS

关闭

= 80A ，V

=32V, V

= 10 V

=40A,V

GS （ ON）

=10V,R

=10 ,V

=20V

=10V,V

=0,f=1MHZ

Testconditons

=40V,V

= 20V,V

=10V,I

=1mA

=10V,I

=40A

=10V,I

=40A

=4V,I

=40A

1.5

2.0

5.9

10.5

2800

730

320

110

1800

170

350

7.3

民

典型值

最大

2.5

单位

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

5.60

1门

2漏

3源

4008-318-123

1 1