【功率晶体管2SB1638 ， 2SB1638APNP硅外延平面型单位：mm用于低压开关7.0±0.3】,IC型号2SB1638,2SB1638 PDF资料,2SB1638经销商,ic,电子元器件-51电子网

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功率晶体管

2SB1638 ， 2SB1638A

PNP硅外延平面型

单位：mm

用于低压开关

7.0±0.3

3.0±0.2

3.5±0.2

s

特点

q

q

q

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

的盼着电流传输比H良好的线性

FE

I型包使散热片直接焊接到

在印刷电路板，小型电子设备等。

(T

C

=25C)

评级

–40

–50

–20

–40

–5

–12

–7

15

1.3

150

-55到+150

单位

V

7.2±0.3

0.8±0.2

1.1±0.1

1.0±0.2

10.0

–0.

+0.3

0.85±0.1

0.4±0.1

0.75±0.1

2.3±0.2

s

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SB1638

2SB1638A

2SB1638

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CP

I

C

P

C

T

j

T

英镑

4.6±0.4

1

2

3

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

I型包

3.5±0.2

2.0±0.2

7.0±0.3

单位：mm

0 0.15

发射极电压2SB1638A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极电流T

C

=25°C

耗散

Ta=25°C

结温

储存温度

V

10.2±0.3

7.2±0.3

V

A

A

3.0±0.2

1.0最大。

2.5

0.75±0.1

0.5 MAX 。

0.9±0.1

0 0.15

W

C

C

1.1±0.1

1

2

3

2.3±0.2

4.6±0.4

s

电气特性

参数

集电极截止

当前

发射Cuto FF电流

集电极到发射极

电压

2SB1638

2SB1638A

2SB1638

2SB1638A

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

我型封装（ Y）

(T

C

=25C)

符号

I

CBO

I

EBO

V

首席执行官

h

FE1

h

FE2*

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

C

ob

t

on

t

英镑

t

f

I

C

= -2A ，我

B1

= -66mA ，我

B2

= 66毫安

条件

V

CB

= -40V ，我

E

= 0

V

CB

= -50V ，我

E

= 0

V

EB

= -5V ，我

C

= 0

I

C

= -10mA ，我

B

= 0

V

CE

= -2V ，我

C

= – 0.1A

V

CE

= -2V ，我

C

= –2A

I

C

= -5A ，我

B

= – 0.16A

I

C

= -5A ，我

B

= – 0.16A

V

CE

= -10V ，我

C

= - 0.5A ， F = 10MHz时

V

CB

= -10V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

150

140

0.1

0.5

0.1

–20

–40

45

90

260

– 0.6

–1.5

V

V

兆赫

pF

s

s

s

民

典型值

最大

–50

–50

–50

单位

A

A

V

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

贮存时间

下降时间

*

h

FE2

等级分类

Q

90至180

P

130 260

秩

h

FE2

2.5±0.2

1.0

2.5±0.2

1.0

1

功率晶体管

P

C

- TA

20

–6

(1) T

C

= TA

（2）不带散热片

(P

C

=1.3W)

15

I

B

=–60mA

–5

T

C

=25C

–50mA

–45mA

–40mA

–35mA

–30mA

–3

–25mA

–20mA

–2

–15mA

–10mA

–1

(2)

0

0

20

40

60

80 100 120 140 160

0

0

–1

–2

–3

–4

–5

–6

–5mA

2SB1638 ， 2SB1638A

I

C

— V

CE

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

–10

V

CE （ SAT ）

— I

C

I

C

/I

B

=30

T

C

=100C

25C

–1

–25C

集电极耗散功率P

C

(W)

–3

集电极电流I

C

(A)

–4

10

(1)

– 0.3

– 0.1

5

– 0.03

– 0.01

– 0.1

– 0.3

–1

–3

–10

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

V

BE （ SAT ）

— I

C

–10

h

FE

— I

C

I

C

/I

B

=30

10000

V

CE

=–2V

10000

3000

1000

300

100

30

10

3

f

T

— I

C

V

CE

=–10V

f=10MHz

T

C

=25C

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

正向电流传输比H

FE

–3

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.1 – 0.3

T

C

=100C

25C

–1

T

C

=–25C

100C

25C

– 0.3

–25C

– 0.1

– 0.03

– 0.01

– 0.1

过渡频率f

T

（兆赫）

–10

–30

–100

3000

– 0.3

–1

–3

–10

–1

–3

1

– 0.01 – 0.03 – 0.1 – 0.3

–1

–3

–10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

C

ob

— V

CB

10000

–10

I

E

=0

f=1MHz

T

C

=25C

t

on

, t

英镑

, t

f

— I

C

脉冲吨

w

=1ms

占空比= 1 ％

I

C

/I

B

=30

(–I

B1

=I

B2

)

V

CC

=–20V

T

C

=25C

安全操作区（ ASO ）

–100

–30

非重复脉冲

T

C

=25C

I

CP

–10

I

C

–3

–1

300ms

10ms

t=1ms

集电极输出电容C

ob

（PF ）

3000

开关时间t

on

,t

英镑

,t

f

(

s

)

–3

1000

300

100

30

10

3

1

– 0.1 – 0.3

–1

t

英镑

t

on

t

f

– 0.3

– 0.1

集电极电流I

C

(A)

– 0.3

– 0.1

– 0.03

– 0.03

– 0.01

–1

–3

–10

–30

–100

0

–1

–2

–3

–4

–5

–6

–7

–8

– 0.01

–1

–3

–10

–30

集电极基极电压V

CB

(V)

集电极电流I

C

(A)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

2

2SB1638A

–100 –300 –1000

2SB1638

功率晶体管

R

日（T ）

— t

10

3

（ 1 ）不带散热片

（2）在一个50

×

50

×

2毫米铝散热片

2SB1638 ， 2SB1638A

热阻R

th

（吨）（ C / W）

10

2

(1)

(2)

10

1

10

–1

10

–3

10

–2

10

–1

1

10

10

2

10

3

10

4

时间t （S ）

3

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