M
特点
24C01C
1K 5.0V我
2
C
串行EEPROM
封装类型
PDIP / SOIC
A0
A1
A2
VSS
1
8
VCC
TEST
SCL
SDA
至5.5V单电源供电，工作在4.5
低功耗CMOS技术
- 1毫安典型工作电流
- 10
待机电流典型值5.5V
组织为128个字节（ 128 ×8 ），单块
2线串行接口总线，I
2
C兼容
100kHz和400 kHz的兼容性
多达16个字节页写缓存
自定时写周期（包括自动擦除）
快速的1毫秒写入周期时间字节或页模式
地址线，可实现对公交车8设备
- 100擦除/写周期保证
ESD保护＆ GT ; 4,000V
数据保留和GT ; 200年
8引脚PDIP ， SOIC和TSSOP封装
可用于扩展级温度范围
- 商业（ C） ：
0
°
C至+70
°
C
- 工业级（I ） ：
-40
°
C至+ 85
°
C
- 汽车（ E）
-40
°
C至+ 125
°
C
24C01C
2
3
4
7
6
5
TSSOP
描述
Microchip Technology Inc.的24C01C是1K位
串行电可擦除的PROM的电压范围
的4.5V至5.5V 。该设备被组织成一个单一的
128× 8位存储器与2线串行接口模块
脸上。低电流设计允许与典型操作
待机和只有10工作电流
A和1毫安
分别。该装置具有一个页面写功能
最多16个字节的数据，并且具有快速的写入周期时间
只有1毫秒为字节页写。实用
地址线允许多达8个的连接
在同一总线上最多8K位24C01C设备
连续的EEPROM存储器。该器件可
在标准的8引脚PDIP ， 8引脚SOIC （ 150万） ，并
TSSOP封装。
A0
A1
A2
V
SS
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
TEST
SCL
SDA
24C01C
框图
A0 A1 A2
高压发生器
I / O
控制
逻辑
内存
控制
逻辑
XDEC
EEPROM
ARRAY
SDA ，SCL
VCC
VSS
SENSE AMP
R / W控制
YDEC
I
2
C是飞利浦公司的商标。
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21201A第1页
24C01C
1.0
1.1
电动
特征
最大额定值*
表1-1：
名字
V
SS
SDA
SCL
V
CC
A0, A1, A2
TEST
引脚功能表
功能
地
串行数据
串行时钟
+ 4.5V至5.5V电源
芯片选择
测试引脚：可以接高电平，低电平或
左浮动
V
CC
........................................................................ 7.0V
所有输入和输出w.r.t. V
SS
...... -0.6V到V
CC
+1.0V
储存温度...........................- 65 ° C至+ 150°C
环境温度。电源采用.......- 65°C至+ 125°C
引线焊接温度（ 10秒） ... + 300°C
所有引脚的ESD保护
......................................≥
4千伏
*注意：
强调上述“最大额定值”，可能
对器件造成永久性损坏。这是一个值仅为
该装置的这些或任何其他条件的功能操作
以上这些在本规范的运作上市表明是
不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，其围
消耗臭氧层物质可能会影响器件的可靠性。
表1-2：
DC特性
V
CC
= + 4.5V至+ 5.5V
商业（ C） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
符号
V
IH
V
IL
V
HYS
V
OL
I
LI
I
LO
C
IN
, C
OUT
I
CC
读
I
CC
写
I
CCS
-10
-10
—
—
—
—
0.05 V
CC
分钟。
0.7 V
CC
.3 V
CC
—
.40
10
10
10
1
3
50
TAMB = 0
°
C至+70
°
C
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
TAMB = -40
°
C至+ 125
°
C
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
pF
mA
mA
A
（注）
I
OL
= 3.0毫安， V
CC
= 4.5V
V
IN
= 0.1V至5.5V ， WP = VSS
V
OUT
= 0.1V至5.5V
V
CC
= 5.0V （注）
TAMB = 25
°
C，F = 1兆赫
V
CC
= 5.5V ， SCL = 400千赫
V
CC
= 5.5V
V
CC
= 5.5V ， SDA ，SCL = = V
CC
条件
所有参数均适用于试样
除非另有网络编辑的工作范围
指出。
参数
SCL和SDA引脚：
高电平输入电压
低电平输入电压
施密特触发器输入迟滞
低电平输出电压
输入漏电流
输出漏电流
引脚电容（所有输入/输出）
工作电流
待机电流
记
：此参数是周期性采样，而不是100 ％测试。
DS21201A第2页
初步
1997 Microchip的技术公司
24C01C
表1-3：
AC特性
VCC = 4.5V至5.5V
商业（ C） ：
工业级（I ） ：
汽车（ E） ：
TAMB = 0
°
C至+70
°
C
TAMB = -40
°
C至+ 85
°
C
TAMB = -40
°
C至+ 125
°
C
单位
千赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注
所有参数均适用于特定网络版能操作
阿婷的范围，除非另有说明。
参数
时钟频率
时钟高电平时间
时钟低电平时间
SDA和SCL上升时间
SDA和SCL下降时间
START条件保持时间
启动条件建立时间
数据输入保持时间
数据输入建立时间
停止条件的建立时间
时钟输出有效
总线空闲时间
符号
F
CLK
T
高
T
低
T
R
T
F
T
HD
:
STA
T
SU
:
STA
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
T
AA
T
BUF
TAMB
＆ GT ;
+85
°
C
分钟。
—
4000
4700
—
—
4000
4700
0
250
4000
—
4700
马克斯。
100
—
—
1000
300
—
—
—
—
—
3500
—
-40
°
C
≤
TAMB
≤
+85
°
C
分钟。
—
600
1300
—
—
600
600
0
100
600
—
1300
马克斯。
400
—
—
300
300
—
—
—
—
—
900
—
（注1 ）
（注1 ）
在此之后的第一个科幻
产生时钟脉冲
仅与重复
启动条件
（注2 ）
输出下降时间从V
IH
最低至V
IL
最大
输入滤波器尖峰抑制
（ SDA和SCL引脚）
写周期时间
耐力
T
OF
T
SP
T
WR
—
—
—
1M
250
50
1.5
—
20 +0.1 C
B
—
—
1M
250
50
1
—
ns
ns
（注2 ）
时间总线必须是自由的
新传输之前
可以启动
（注1 ） ，C
B
≤
100 pF的
（注3）
MS字节或页模式
25次
°
C，V
CC
= 5.0V ，座
模式（注4 ）
注1 ：
未经100％测试。
B
=在pF的总线上的总电容。
2:
作为发送器，器件必须提供内部最小延迟时间，以弥补理解过程把网络定义区域
（最低300纳秒） SCL的下降沿，以避免产生意外的启动或停止条件。
3:
合并牛逼
SP
和V
HYS
特定网络阳离子是由于施密特触发器输入可以改善噪声
尖峰抑制。这省去了一个TI的特定网络连接的阳离子为标准操作。
4:
该参数没有进行测试，但性能可以保证。对于一个特定的应用程序估计耐用性
阳离子，请咨询可在我们的BBS或网站获得的总耐力模式。
图1-1：
总线时序数据
T
F
T
高
T
R
SCL
T
SU
:
STA
T
低
T
HD
:
DAT
T
SU
:
DAT
T
SU
:
申通快递
SDA
IN
T
HD
:
STA
T
SP
T
AA
T
BUF
SDA
OUT
1997 Microchip的技术公司
初步
DS21201A第3页
QQ：2880707522 复制
