订购数量： ENN6436
N沟道MOSFET硅
2SK3280
DC / DC转换器应用
特点
·低导通电阻。
· 4V的驱动器。
·超高速开关。
包装尺寸
单位：mm
2083B
[2SK3280]
6.5
5.0
4
1.5
2.3
0.5
0.85
0.7
5.5
7.0
0.8
1.6
1.2
0.6
1
2
3
7.5
0.5
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
2.3
2.3
三洋： TP
单位：mm
2092B
[2SK3280]
6.5
5.0
4
2.3
1.5
0.5
5.5
7.0
0.85
1
0.6
0.5
0.8
2
3
2.5
1.2
0 0.2
1.2
1 ：门
2 ：排水
3 ：源
4 ：漏
三洋： TP -FA
2.3
2.3
描述或此处包含的任何及所有SANYO产品没有特定网络连接的阳离子，能够处理
适用于要求极高的可靠性，如生命支持系统，飞机的
控制系统或其他应用程序的故障可合理预期会导致严重的
物理和/或财产损失。使用前，用您的SANYO代表咨询离您最近的
描述或在此类应用中所包含的所有三洋的产品。
三洋承担所造成的产品使用AT值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或其他
在产品规格中列出的所有参数）和所有SANYO产品描述或包含
在本文中。
三洋电机有限公司。半导体公司
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
60800TS （ KOTO ） TA- 2615 No.6436-1 / 4
2SK3280
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（脉冲）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
Tc=25C
条件
评级
30
±20
20
45
1
30
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
W
C
C
电气特性
在Ta = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极电荷"Miller"
二极管的正向电压
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
| YFS |
RDS(on)1
RDS(on)2
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
ID = 1mA时， VGS = 0
VDS = 30V ， VGS = 0
VGS = ± 16V ， VDS = 0
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 10A
ID = 10A ， VGS = 10V
ID = 10A ， VGS = 4.5V
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
VDS = 10V ， F = 1MHz的
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
请参阅特定网络版测试电路
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 20A
VDS = 10V ，V GS = 10V ，ID = 20A
IS = 20A ， VGS = 0
1.0
12
18
15
22
1000
410
160
11
210
80
85
17
3.3
1.7
1.0
1.2
20
31
条件
评级
民
30
1
±10
2.4
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
开关时间测试电路
VDD=15V
VIN
10V
0V
VIN
PW=10s
D.C.≤1%
ID=10A
RL=1.5
D
VOUT
G
P.G
50
2SK3280
S
No.6436–2/4
2SK3280
10
ID - VDS
6.0V
4.5V
3.5
V
20
18
ID - VGS
VDS=10V
9
8
8.0V
0V
16
3.
漏电流，我
D
– A
7
漏电流，我
D
– A
14
12
10
8
10.0V
6
5
4
3
2
1
0
0
VGS=2.5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
漏极至源极电压，V
DS
– V
60
55
IT01822
60
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
--2
5
2
°
C
25
°
C
4
TC =
75
°
6
C
IT01823
RDS （ ON） - VGS
Tc=25°C
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
– m
RDS （ ON） - 锝
静态漏 - 源
通态电阻，R
DS （ ON）
– m
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
50
10A
40
30
ID=4A
20
A
, I =4
= 4.5V
V GS
I = 10A
= 10.0V ，D
V GS
10
0
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
0.1
2
3
5
7
2
3
5
IT01824
外壳温度，TC - C
100
7
5
3
2
IT01825
y
fs - ID
VDS=10V
IF - 室间隔缺损
VGS=0
正向转移导纳， | YFS | - S
正向电流I
F
– A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
°
C
--25
TC =
C
75
°
25
°
C
漏电流，我
D
– A
1.0
7
10
IT01826
0.01
7
5
3
2
0.001
0.2
75
°
C
25
°
C
0.5
0.3
0.4
--25
°
0.6
0.7
TC =
C
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
二极管的正向电压， VSD - V
10
IT01827
10000
7
5
3
2
1000
7
5
3
2
100
7
5
3
2
10
0
5
西塞，科斯，的Crss - VDS
f=1MHz
栅极 - 源极电压，V
GS
– V
VGS - 的Qg
VDS=10V
ID=20A
9
8
7
6
5
4
3
2
1
10
15
20
25
30
IT01828
0
0
西塞，科斯，的Crss - pF的
西塞
科斯
CRSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10 11 12 13 14 15 16 17
IT01829
漏极至源极电压，V
DS
– V
总栅极电荷QG - 数控
No.6436–3/4
2SK3280
1000
7
5
SW时间 - ID
VDD=15V
VGS=10V
TD （关闭）
tf
切换时间， SW时间 - NS
3
100
7
5
3
2
ASO
IDP=45A
<10s
1m
100s
10
s
ms
漏电流，我
D
– A
2
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
ID=20A
DC
op
e
RAT
离子
tr
TD （上）
10
7
5
3
2
1.0
0.1
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
操作在此
区域由的RDS（on ）的限制。
1.0
10
0.1
7
5
3
2
Tc=25°C
单脉冲
0.01
0.01 2 3 5 7 0.1
2 3
漏电流，我
D
– A
1.5
IT01830
40
漏极至源极电压，V
DS
– V
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
IT01831
PD - TA
允许功耗，P
D
– W
PD - 锝
允许功耗，P
D
– W
35
30
25
20
15
10
5
0
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
环境温度TA - C
IT01832
外壳温度，TC - C
IT01833
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特点，以及在独立国家所描述的产品功能，并且不保证
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三洋电机有限公司努力为客户提供高品质高可靠性的产品。然而，任何和所有
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电路，电路错误预防安全设计，多余的设计和结构设计。
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