【】,IC型号2SA1384,2SA1384 PDF资料,2SA1384经销商,ic,电子元器件-51电子网

SMD型

高压控制应用

2SA1384

晶体管

特点

高电压： V

CBO

= -300V , V

首席执行官

= -300V

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= -0.5V （最大）

小集电极输出电容：C

ob

=为6.0pF

P

C

= 1 2W （安装在陶瓷基板）

小扁包

补充2SC3515

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

Jumction温度

存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

P

C *

T

j

T

英镑

等级

-300

-8

-100

-20

500

1000

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

* 2SA1384安装在陶瓷基体（ 250毫米

2

×0.8 T）

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

I

CBO

I

EBO

Testconditons

V

CB

= -300V ，我

E

= 0

V

EB

= -8V ，我

C

= 0

-300

30

150

-0.5

-1.0

50

70

6

8

V

兆赫

pF

民

典型值

最大

-0.1

单位

ìA

V

（ BR ） CBO

I

C

= -0.1mA ，我

E

= 0

V

（ BR ） CEO

I

C

= -1mA ，我

B

= 0

h

FE

V

CE

= -10V ，我

C

= -20mA

V

CE （ SAT ）

I

C

= -20mA ，我

B

= -2mA

V

BE （ SAT ）

I

C

= -20mA ，我

B

= -2mA

f

T

C

ob

V

CE

= -10V ，我

C

= -20mA

V

CB

= -20V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

www.kexin.com.cn

1

SMD型

2SA1384

h

FE

分类

记号

秩

h

FE

30

R

90

50

J

O

150

晶体管

电气特性曲线

2

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SMD型

2SA1384

晶体管

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3

SMD型

2SA1384

晶体管

4

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2SA1384

东芝三极管

PNP硅三重扩散型（ PCT程序）

2SA1384

高压控制应用

等离子显示器，数码管驱动器应用

阴极射线管的亮度控制中的应用

高电压： V

CBO

=

300

V, V

首席执行官

=

300

V

低饱和电压： V

CE （SAT）

=

0.5

V（最大值）

小集电极输出电容：C

ob

= 6 pF的（典型值）。

补充2SC3515

小扁包

P

C

= 1.02.0 W（安装在陶瓷基板）

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

集电极耗散功率

P

C

（注1 ）

结温

存储温度范围

T

j

T

英镑

等级

300

8

100

20

500

1000

150

55

150

mW

单位

V

mA

PW- MINI

JEDEC

JEITA

东芝

―

SC-62

2-5K1A

重量0.05克（典型值）。

°C

注1： 2SA1384安装在陶瓷基板（ 250毫米

2

× 0.8 t)

注2 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

1

2006-11-09

2SA1384

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

符号

I

CBO

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

直流电流增益

（注3）

h

FE （2）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

测试条件

V

CB

=

300

V，I

E

= 0

V

EB

=

8

V，I

C

=

0

I

C

=

0.1

妈，我

E

= 0

I

C

=

1

妈，我

B

= 0

V

CE

=

10

V，I

C

=

20

mA

V

CE

=

10

V，I

C

=

1

mA

I

C

=

20

妈，我

B

=

2

mA

I

C

=

20

妈，我

B

=

2

mA

V

CE

=

10

V，I

C

=

20

mA

V

CB

=

20

V，I

E

= 0中，f = 1 MHz的

民

―

300

30

20

―

50

―

典型值。

―

70

6

最大

0.1

―

150

―

0.5

1.0

―

8

V

兆赫

pF

单位

μA

V

注3 ：小时

FE （1）

分类R： 30 90 ，O： 50 150

记号

产品型号（或缩写代码）

J

LOT号

性能指标

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

2

2006-11-09

2SA1384

I

C

– V

CE

（低电压区域）

100

常见

辐射源

Ta

=

25°C

10

5

3

2

1

0.8

60

0.6

0.4

0.3

20

0.2

IB

= 0.1

mA

0

2

4

6

8

10

12

14

0

80

100

常见

辐射源

Ta

=

100°C

10

5

3

2

1

0.5

40

0.3

0.2

20

IB

= 0.1

mA

0

2

4

6

8

10

12

14

I

C

– V

CE

（低电压区域）

（MA ）

集电极电流I

C

集电极电流I

C

（MA ）

80

60

40

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

I

C

– V

CE

（低电压区域）

100

10

80

5

3

2

常见

辐射源

Ta

= 55°C

10

100

90

8

I

C

– V

CE

（低电流区）

80

70

60

50

6

40

4

30

20

IB

= 10 μA

0

常见

辐射源

Ta

=

25°C

（MA ）

集电极电流I

C

60

1

40

0.8

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

IB

= 0.1

mA

12

14

20

集电极电流I

C

（MA ）

0

2

4

6

8

2

0

10

40

80

120

160

200

240

280

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

I

C

– V

CE

（低电流区）

10

70

8

60

50

常见

辐射源

Ta

=

100°C

10

I

C

– V

CE

（低电流区）

常见

辐射源

Ta

= 55°C

（MA ）

40

8

100

90

80

4

70

60

50

2

40

30

20

IB

= 10 μA

240

280

集电极电流I

C

6

集电极电流I

C

30

6

4

20

2

IB

= 10 μA

0

40

80

120

160

200

240

280

0

40

80

120

160

200

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

集电极 - 发射极电压V

CE

(V)

3

2006-11-09

2SA1384

h

FE

– I

C

500

1000

h

FE

– I

C

共发射极

500

VCE =

10

V

直流电流增益

FE

300通用发射器

直流电流增益

FE

Ta

=

25°C

100

50

30

1

VCE =

10

V

300

Ta

=

100°C

100

50

30

25

55

5

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

10

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

5

10

V

BE （SAT）

– I

C

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

IC / IB

=

10

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

3

共发射极

IC / IB

=

10

1

0.5

0.3

Ta

=

100°C

0.1

0.05

0.03

0.1

0.3

1

25

55

3

10

30

100

1

0.5

0.3

Ta

= 55°C

25

100

0.1

0.3

1

3

10

30

100

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

f

T

– I

C

500

过渡频率f

T

（兆赫）

共发射极

300

Ta

=

25°C

集电极输入电容C

ib

（PF ）

集电极输出电容C

ob

（PF ）

C

ib

, C

ob

– V

R

300

f

=

1兆赫

100

50

30

CIB （ IC = 0 ）

Ta

=

25°C

100

50

30

VCE =

20

V

10

5

10

5

3

穗轴（IE = 0）

10

0.3

1

3

10

30

1

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

集电极电流I

C

（MA ）

反向电压

V

R

(V)

4

2006-11-09

2SA1384

P

C

- TA

1.2

①

（1）安装在陶瓷基板

2

(250 mm

×

0.8 t)

（ 2 ）无散热片

0.8

500

300

安全工作区

IC MAX（脉冲）

IC MAX（连续）

100毫秒*

10毫秒*

1毫秒*

(W)

P

C

1.0

100

集电极耗散功率

（MA ）

集电极电流I

C

②

50

30

直流操作

Ta

=

25°C

0.6

0.4

10

5

3

0.2

0

1

*:

单不重复脉冲

Ta

=

25°C

曲线必须是线性降额

0.3

同的温度升高。

测试：无基材。

最大VCEO

0.1

1

3

10

30

100

300

0.5

20

40

60

80

100

120

140

160

环境温度Ta （C ）

1000

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

5

2006-11-09

SMD型

产品speci fi cation

2SA1384

特点

高电压： V

CBO

= -300V , V

首席执行官

= -300V

低饱和电压： V

CE （ SAT ）

= -0.5V （最大）

小集电极输出电容：C

ob

=为6.0pF

P

C

= 1 2W （安装在陶瓷基板）

小扁包

补充2SC3515

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

Jumction温度

存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

C

P

C *

T

j

T

英镑

等级

-300

-8

-100

-20

500

1000

150

-55到+150

单位

V

mA

mW

* 2SA1384安装在陶瓷基体（ 250毫米

2

×0.8 T）

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

I

CBO

I

EBO

Testconditons

V

CB

= -300V ，我

E

= 0

V

EB

= -8V ，我

C

= 0

-300

30

150

-0.5

-1.0

50

70

6

8

V

兆赫

pF

民

典型值

最大

-0.1

单位

ìA

V

（ BR ） CBO

I

C

= -0.1mA ，我

E

= 0

V

（ BR ） CEO

I

C

= -1mA ，我

B

= 0

h

FE

V

CE

= -10V ，我

C

= -20mA

V

CE （ SAT ）

I

C

= -20mA ，我

B

= -2mA

V

BE （ SAT ）

I

C

= -20mA ，我

B

= -2mA

f

T

C

ob

V

CE

= -10V ，我

C

= -20mA

V

CB

= -20V ，我

E

= 0中，f = 1MHz的

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sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 4

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SA1384

h

FE

分类

记号

秩

h

FE

30

R

90

50

J

O

150

电气特性曲线

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2 4

SMD型

产品speci fi cation

2SA1384

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4008-318-123

3 4

DIP

TYPE

SMD型

SMD

TYPE

茶体管

晶体管

产品speci fi cation

2SA1384

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4 4