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2SD2480
东芝三极管
硅NPN外延型（达林顿功率晶体管）
2SD2480
微电机驱动，锤驱动应用
切换应用程序
功率放大器的应用
单位：mm
高直流电流增益：H
FE
= 2000 （分钟） （V
CE
= 2 V，I
C
= 1 A)
低饱和电压： V
CE （SAT）
= 1.5伏（最大） （我
C
= 1 A，I
B
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
100
100
8
2
3
0.5
1.3
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-8M1A
重量：0.88克（典型值）。
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和温度的显著变化等）可能会导致本产品
减少在可靠性显著即使操作条件（即操作
温度/电流/电压等）的绝对最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告
和估计故障率等）。
等效电路
集热器
BASE
≈
4 k
≈
800
辐射源
1
2006-11-21
2SD2480
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
I
B1
测试条件
V
CB
= 80 V，I
E
= 0
V
EB
= 8 V，I
C
= 0
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
V
CE
= 2 V，I
C
= 1 （脉冲）
I
C
= 1 A，I
B
= 1 MA（脉冲）
I
C
= 1 A，I
B
= 1 MA（脉冲）
V
CE
= 2 V，I
C
= 0.5 A
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1 MHz的
产量
30
民
―
―
100
2000
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
100
20
0.4
最大
10
4
―
―
1.5
2.0
―
―
―
V
V
兆赫
pF
单位
μA
mA
V
20
μs
输入
I
B2
I
B1
I
B2
开关时间
贮存时间
t
英镑
―
4.0
―
μs
V
CC
= 30 V
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 1 mA时，占空比
≤
1%
―
0.6
―
记号
D2480
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
2
2006-11-21
2SD2480
I
C
– V
CE
4
10 k
h
FE
– I
C
(A)
3
3毫安2毫安
1毫安
700
μA
500
μA
400
μA
3k
TA = 100℃
25
直流电流增益
FE
集电极电流I
C
1k
55
300
2
300
μA
IB = 200
μA
1
共发射极
TA = 25°C
0
0
1
2
3
4
5
100
30
共发射极
VCE = 2 V
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
10
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
V
CE （SAT）
– I
C
3
V
BE （SAT）
– I
C
10
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
共发射极
IC / IB = 1000
共发射极
IC / IB = 1000
5
3
TA =
55°C
25
1
100
1
TA =
55°C
25
100
0.5
0.3
0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
0.5
0.1
0.3
0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
I
C
– V
BE
3
共发射极
1.6
P
C
- TA
(W)
P
C
集电极耗散功率
4.0
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
(A)
VCE = 2 V
2
集电极电流I
C
TA = 100℃
1
55
25
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
25
50
75
100
125
150
175
基射极电压
V
BE
(V)
环境温度Ta （C ）
3
2006-11-21
2SD2480
r
th
– t
w
300
瞬态热阻R
th
（ ° C / W）
曲线应该在热面积有限施加。
（单非重复脉冲） TA = 25℃
100
30
10
3
1
0.3
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
3
集成电路最大值（脉冲） *
IC MAX（连续）
10毫秒*
1
(A)
1毫秒*
0.3
直流操作
TA = 25°C
0.1
100毫秒*
集电极电流I
C
0.03
0.01
*:
单非重复性
脉冲TA = 25℃
曲线必须降低
线性地增加
温度。
1
3
10
0.003
最大VCEO
30
100
300
0.001
0.3
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
4
2006-11-21
2SD2480
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-11-21
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推荐型号
212T10S224RN3
2-535512-6
28C64AF-25/VS
2SK3280TP
2SA1405D
20020004-C061B01LF
206-4112P
274-7045-001
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2SA1384
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2SD2480
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