2SK3262-01MR
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
TO-220F15
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
3.源
2.54
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
符号
漏源电压
V
DS
连续漏电流
I
D
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
栅源电压
V
GS
最大雪崩能量
E
AV * 1
马克斯。功耗TA = 25 ℃， P
D
TC = 25 ℃， P
D
工作和存储
T
ch
温度范围
T
英镑
等级
200
±20
±80
±20
355
2
45
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 1.6mH ， VCC = 24V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=200V
V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0V
I
D
= 10A V
GS
=4V
I
D
= 10A V
GS
=10V
I
D
= 10A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 100V我
D
=20A
V
GS
=10V
R
GS
=10
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
20
0.93
250
2.90
1.40
分钟。
200
1.0
Tch=25°C
Tch=125°C
典型值。
1.5
10
0.2
10
110
85
19.0
1700
290
185
10
45
225
120
马克斯。
2.0
500
0.5
100
150
100
2550
435
280
15
70
340
180
单位
V
V
A
mA
nA
m
S
pF
9.0
ns
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3262-01MR
特征
功耗
（D）= F（ Tc）的
50
10
2
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ： D = 0.01 ，TC = 25°C
40
特区
10
30
1
t=
1s
10s
100s
PD [ W]
1ms
20
ID [ A]
10
0
10ms
t
10
T
D=
t
T
100ms
0
0
50
100
150
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：为80μs的脉冲测试，锝= 25℃
50
VGS=20V
15V
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
10V
40
5.0V
4.5V
4.0V
10
30
ID [ A]
3.5V
20
3.0V
10
1
0
0
1
2
3
4
5
6
ID [ A]
0.1
0
1
2
3
4
5
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型正向跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
2
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
0.22
0.20
0.18
0.16
VGS =
3.0V
3.5V
10
1
4.0V
0.14
4.5V
RDS （上）
]
GFS [S]
0.12
0.10
0.08
5.0V
10V
15V
20V
10
0
0.06
0.04
0.02
-1
10 10
-1
0.00
10
0
10
1
10
2
0
10
20
30
40
50
60
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3262-01MR
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10A ， VGS = 10V
300
3.0
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
250
2.5
200
2.0
马克斯。
RDS （上） [M
]
150
马克斯。
VGS （ TH） [V]
1.5
典型值。
典型值。
100
1.0
分钟。
50
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型的电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100n
200
180
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 20A ，总胆固醇= 25°C
20
18
VDS
160
140
VGS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10n
120
Vcc=160V
100V
40V
VGS电压[V]的
VDS [V]的
西塞
1n
科斯
CRSS
100p
10
-2
C [ F]
100
80
60
40
20
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VDS [V]的
QG [ NC ]
反向二极管的典型正向特性
-ID = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
50
25
最大雪崩电流与总胆固醇开始
I（ AV ） = F （开始TCH） ，不重复
40
20
30
15
I（ AV ） [A]
20
10
10
10V
5
VGS=0V
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
-ID [ A]
VSD [V]的
开始总胆固醇[° C]
3
2SK3262-01MR
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
EAS = F （首发TCH） ： VCC = 24V ，我< = 20A ，不重复
AV
500
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
10
1
D=0.5
400
10
0
0.2
0.1
0.05
300
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
0.02
0.01
EAS [兆焦耳]
200
10
-2
t
0
T
D=
t
T
100
10
-3
10
0
0
25
50
75
100
125
150
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
开始总胆固醇[° C]
4
2SK3262-01MR
N沟道硅功率MOS -FET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次breadown
低驱动功率
雪崩型
富士功率MOS场效应管
TO-220F15
应用
开关稳压器
UPS （不间断电源）
DC- DC转换器
3.源
2.54
最大额定值和特性
绝对最大额定值
（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
符号
漏源电压
V
DS
连续漏电流
I
D
漏电流脉冲
I
D（ PULS ]
栅源电压
V
GS
最大雪崩能量
E
AV * 1
马克斯。功耗TA = 25 ℃， P
D
TC = 25 ℃， P
D
工作和存储
T
ch
温度范围
T
英镑
等级
200
±20
±80
±20
355
2
45
+150
-55到+150
单位
V
A
A
V
mJ
W
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
* 1 L = 1.6mH ， VCC = 24V
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿voltaget
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
转发transcondutance
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
关断时间t
关闭
雪崩能力
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
td
（上）
t
r
td
（关闭）
t
f
I
AV
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
=200V
V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0V
I
D
= 10A V
GS
=4V
I
D
= 10A V
GS
=10V
I
D
= 10A V
DS
=25V
V
DS
=25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= 100V我
D
=20A
V
GS
=10V
R
GS
=10
L = 100μH牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
= 20A V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
20
0.93
250
2.90
1.40
分钟。
200
1.0
Tch=25°C
Tch=125°C
典型值。
1.5
10
0.2
10
110
85
19.0
1700
290
185
10
45
225
120
马克斯。
2.0
500
0.5
100
150
100
2550
435
280
15
70
340
180
单位
V
V
A
mA
nA
m
S
pF
9.0
ns
A
V
ns
C
Thermalcharacteristics
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
测试条件
渠道情况
渠道环境
分钟。
典型值。
马克斯。
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
1
2SK3262-01MR
特征
功耗
（D）= F（ Tc）的
50
10
2
FUJI功率MOSFET
安全工作区
ID = F （ VDS ） ： D = 0.01 ，TC = 25°C
40
特区
10
30
1
t=
1s
10s
100s
PD [ W]
1ms
20
ID [ A]
10
0
10ms
t
10
T
D=
t
T
100ms
0
0
50
100
150
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
锝[° C]
VDS [V]的
典型的输出特性
ID = F （VDS） ：为80μs的脉冲测试，锝= 25℃
50
VGS=20V
15V
100
典型的传输特性
ID = F（ VGS） ：为80μs的脉冲测试， VDS = 25V，总胆固醇= 25℃
10V
40
5.0V
4.5V
4.0V
10
30
ID [ A]
3.5V
20
3.0V
10
1
0
0
1
2
3
4
5
6
ID [ A]
0.1
0
1
2
3
4
5
VDS [V]的
VGS电压[V]的
典型正向跨导
GFS = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验， VDS = 25V ，总胆固醇= 25°C
10
2
典型的漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ ID ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
0.22
0.20
0.18
0.16
VGS =
3.0V
3.5V
10
1
4.0V
0.14
4.5V
RDS （上）
]
GFS [S]
0.12
0.10
0.08
5.0V
10V
15V
20V
10
0
0.06
0.04
0.02
-1
10 10
-1
0.00
10
0
10
1
10
2
0
10
20
30
40
50
60
ID [ A]
ID [ A]
2
2SK3262-01MR
漏源导通电阻
RDS （ ON） = F （ TCH） ： ID = 10A ， VGS = 10V
300
3.0
FUJI功率MOSFET
栅极阈值电压与总胆固醇
VGS （ TH） = F （ TCH） ： VDS = VGS ， ID = 1毫安
250
2.5
200
2.0
马克斯。
RDS （上） [M
]
150
马克斯。
VGS （ TH） [V]
1.5
典型值。
典型值。
100
1.0
分钟。
50
0.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TCH [° C]
TCH [° C]
典型的电容
C = F（ VDS ） ： VGS = 0V ， F = 1MHz的
100n
200
180
典型栅极电荷特性
VGS = F量（Qg ） ： ID = 20A ，总胆固醇= 25°C
20
18
VDS
160
140
VGS
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
10n
120
Vcc=160V
100V
40V
VGS电压[V]的
VDS [V]的
西塞
1n
科斯
CRSS
100p
10
-2
C [ F]
100
80
60
40
20
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
VDS [V]的
QG [ NC ]
反向二极管的典型正向特性
-ID = F （ VSD ） ：为80μs脉冲试验，总胆固醇= 25°C
50
25
最大雪崩电流与总胆固醇开始
I（ AV ） = F （开始TCH） ，不重复
40
20
30
15
I（ AV ） [A]
20
10
10
10V
5
VGS=0V
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
25
50
75
100
125
150
-ID [ A]
VSD [V]的
开始总胆固醇[° C]
3
2SK3262-01MR
最大雪崩能量对比开始总胆固醇
EAS = F （首发TCH） ： VCC = 24V ，我< = 20A ，不重复
AV
500
FUJI功率MOSFET
瞬态热阻抗
第i （ CH-C ） = F （T ） ： D = T / T
10
1
D=0.5
400
10
0
0.2
0.1
0.05
300
第i （ CH-C ） [℃ / W]
10
-1
0.02
0.01
EAS [兆焦耳]
200
10
-2
t
0
T
D=
t
T
100
10
-3
10
0
0
25
50
75
100
125
150
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
吨[秒]
开始总胆固醇[° C]
4
QQ：2881677436 复制
