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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1447
描述
·带
的TO-220封装
高
击穿电压
高
跃迁频率
应用
For
彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
7
0.15
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
=250V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
40
民
300
300
7
2SC1447
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.0
1.0
170
80
V
μA
μA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1447
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1447
描述
·采用TO- 220封装
·高击穿电压
·高转换频率
应用
·对于彩电色度输出应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
300
300
7
0.15
20
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 10毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
=250V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 50毫安; V
CE
=10V
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
40
民
300
300
7
2SC1447
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
1.0
1.0
170
80
V
A
A
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1447
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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