【2SK2796 （L） 2SK2796 （S）硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1034】,IC型号2SK2796L-E,2SK2796L-E PDF资料,2SK2796L-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK2796 （L） 2SK2796 （S）

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1034-0500

（上一个： ADE- 208-534C ）

Rev.5.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 0.12

典型值。

4 V栅极驱动装置。

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -A

（包名称： DPAK （ L） - （ 1 ））

4

瑞萨封装代码： PRSS0004ZD -C

（包名称： DPAK （ S））

4

G

1

2

3

D

1.门

2.漏

3.源

4.漏

1

2 3

S

Rev.5.00 2005年9月7日第1页8

2SK2796 （L） 2SK2796 （S）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

雪崩电流

雪崩能量

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

3.价值在总胆固醇= 25

°

C， RG

≥

50

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

I

注3 AP

E

AR注3

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

60

±20

5

20

5

2.14

20

150

-55到+150

单位

V

A

mJ

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门源漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

4.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

60

±20

—

1.0

—

2.5

—

典型值

—

0.12

0.16

4.0

180

90

30

9

25

35

55

1.0

40

最大

—

10

±10

2.0

0.16

0.25

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

DS

= 60 V, V

GS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 3 A，V

GS

= 10 V

Note4

I

D

= 3 A，V

GS

= 4 V

Note4

I

D

= 3 A，V

DS

= 10 V

Note4

V

DS

= 10V, V

GS

= 0,

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A,

R

L

= 10

I

F

= 5A ，V

GS

= 0

I

F

= 5A ，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50 A /

s

Rev.5.00 2005年9月7日第2页8

2SK2796 （L） 2SK2796 （S）

主要特点

功率与温度降额

40

100

30

10

3

1

0.3

PW

C

D

O

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

10

1

=

10

m

s

30

漏电流I

D

(A)

s

0

m

(1

s

20

10

操作

这个区域是

限于由R

DS （ ON）

pe

t

ra

sh

io

n

ot

)

c

(T

=

25

°

C

0

50

100

150

200

TA = 25°C

0.1

0.2 0.5 1 2

5

10 20

50 100

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

10 V 6 V

5V

4V

3.5 V

脉冲测试

5

典型的传输特性

25°C

–25°C

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

TC = 75℃

3V

3

2

2.5 V

1

V

GS

= 2 V

2

1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

5

脉冲测试

2

1

0.5

V

GS

= 4 V

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

2.0

脉冲测试

1.6

1.2

0.8

I

D

= 5 A

2A

1A

2

4

6

8

10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.2

0.1

0.05

0.1

0.4

10 V

0.3

1

3

10

30

100

0

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第3页8

2SK2796 （L） 2SK2796 （S）

静态漏源导通状态

电阻与温度

正向转移导纳

y

fs

(S)

0.5

脉冲测试

0.4

2A

0.3

V

GS

= 4 V

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

10

TC = -25°C

5

2

1

0.5

75°C

25°C

1A

I

D

= 5 A

0.2

5A

0.1

10 V

0

–40

0

40

80

120

160

1, 2 A

0.2

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.2

0.5

1

2

5

10

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

500

1000

500

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

反向恢复时间trr （ NS ）

电容C （PF ）

200

100

50

20

10

5

0.1

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.2

0.5

1

2

5

10

200

100

50

西塞

科斯

20

CRSS

10

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

100

I

D

= 5 A

V

DD

= 10 V

25 V

50 V

V

DS

V

GS

开关特性

20

100

50

20

10

5

TD （关闭）

tf

开关时间t（ NS ）

80

16

tr

TD （上）

60

12

40

8

20

V

DD

= 50 V

25 V

10 V

4

0

10

2

1

0.1

0.2

V

GS

= 10 V,

V

DD

= 30 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

0

2

4

6

8

0.5

1

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.5.00 2005年9月7日第4页8

2SK2796 （L） 2SK2796 （S）

反向漏电流 -

源极到漏极电压

最大雪崩能量 -

通道温度降额

(A)

10

重复性雪崩能量ê

AR

（兆焦耳）

2.5

I

AP

= 5 A

V

DD

= 25 V

值班< 0.1 ％

RG > 50

反向漏电流I

DR

8

5V

2.0

6

10 V

V

GS

= 0, –5 V

1.5

4

1.0

2

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

0.5

0

25

50

75

100

125

150

源极到漏极电压

V

SD

(V)

沟道温度Tch （ ° C）

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

1

0.1

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（ t）的

θ

CH - C

θ

CH - C = 6.25 ° C / W ，TC = 25°C

u

tP

LSE

PDM

PW

T

0.03

0.0

D=

1s

ho

PW

T

0.01

10

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

雪崩测试电路

V

DS

MONITOR

L

I

AP

MONITOR

PW （S ）

雪崩波形

E

AR

=

1

2

L

I

AP2

V

DSS

V

DSS

– V

DD

V

（ BR ） DSS

I

AP

Rg

D. U.牛逼

V

DD

ID

V

DS

VIN

15 V

50

0

V

DD

Rev.5.00 2005年9月7日第5页8