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数据表
MOS场效应
2SK3116
开关
N沟道功率MOS FET
描述
该2SK3116是N通道DMOS FET器件,具有一个
低栅极电荷和开关特性优良,并
设计用于高电压应用,例如开关电源
电源,交流电源适配器。
订购信息
产品型号
2SK3116
2SK3116-S
2SK3116-ZJ
TO-220AB
TO-262
TO-263
特点
ULOW
栅极电荷
Q
G
= 26 NC TYP 。 (我
D
= 7.5 A,V
DD
= 450 V, V
GS
= 10 V)
-GATE
额定电压
±30
V
ULOW
导通状态电阻
R
DS ( ON)
= 1.2
MAX 。 (V
GS
= 10 V,I
D
= 3.75 A)
雪崩
能力评级
绝对最大额定值(T
A
= 25
°C
)
漏源极电压(V
GS
= 0 V)
门源电压(V
DS
= 0 V)
漏电流( DC )
漏电流(脉冲)
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D( DC)的
I
D(脉冲)
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
600
±30
±7.5
±30
1.5
70
150
55
+150
7.5
37.5
3.5
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
V / ns的
总功率耗散(T
A
= 25°C)
总功率耗散(T
C
= 25°C)
通道温度
储存温度
单雪崩电流
单雪崩能量
二极管恢复的dv / dt
Note2
Note2
I
AS
E
AS
dv / dt的
Note3
注意事项1 。
PW
10
S,占空比
1%
2.
起始物为
ch
= 25 ° C,V
DD
= 150 V ,R
G
= 25
, V
GS
= 20
0 V
3.
I
F
3.0 A,V
= 600 V , di / dt的
100 A/
S,T
A
= 25°C
本文档中的信息如有更改,恕不另行通知。使用本文档,请前
证实,这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D13339EJ2V0DS00 (第2版)
发布日期2002年5月NS CP ( K)
日本印刷
商标
5
表示主要修改点。
1998
2SK3116
电气特性(T
A
= 25°C)
CHRACTERISTICS
零栅极电压漏极电流
栅极漏电流
门放电截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
体二极管正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( OFF )
| y
fs
|
R
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
F( S- D)的
T
rr
Q
rr
测试条件
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0 V
V
DS
= 10 V,I
D
= 1毫安
V
DS
= 10 V,I
D
= 3.75 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 3.75 A
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
V
DD
= 150 V,I
D
= 3.75 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
R
L
= 50
V
DD
= 450 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.5 A
I
F
= 7.5 A,V
GS
= 0 V
I
F
= 7.5 A,V
GS
= 0 V
的di / dt = 50A /
s
2.5
2.0
0.9
1100
200
20
18
15
50
15
26
6
10
1.0
1.6
7.6
1.2
分钟。
典型值。
马克斯。
100
±100
3.5
单位
A
nA
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
s
C
测试电路1雪崩能力
D.U.T.
R
G
= 25
PG 。
V
GS
= 20
0 V
50
测试电路2开关时间
D.U.T.
L
V
DD
PG 。
R
G
R
G
= 10
V
GS
R
L
V
DD
I
D
90%
90%
I
D
V
GS
电波表
0
10%
V
GS
90%
BV
DSS
I
AS
I
D
V
DD
V
DS
V
GS
0
τ
τ
= 1
s
占空比
1%
I
D
电波表
0
10%
t
D(上)
t
on
t
r
t
D(关闭)
t
关闭
10%
t
f
起始物为
ch
测试电路3栅极电荷
D.U.T.
I
G
= 2毫安
PG 。
50
R
L
V
DD
2
数据表D13339EJ2V0DS
2SK3116
典型特征(T
A
= 25°C)
漏电流与
漏源极电压
脉冲
25
20
15
10
5
6V
正向传递特性
100
I
D
- 漏电流 - 一个
V
GS
= 10 V
8V
T
ch
= 125C
75C
10
T
ch
= 25C
25
C
I
D
- 漏电流 - 一个
1.0
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲
15
0
10
20
30
40
0
5
10
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
GATE截止电压主场迎战
通道温度
正向转移导纳主场迎战
漏电流
| y
fs
| - 正向转移导纳 - S
5.0
10
T
ch
=
25
C
25
C
75
C
125
C
1.0
V
GS ( OFF )
- 栅极截止电压 - V
4.0
3.0
2.0
1.0
V
DS
= 10 V
I
D
= 1毫安
0
50
0
50
100
150
0.1
0.1
V
DS
= 10 V
脉冲
1.0
I
D
- 漏电流 - 一个
10
T
ch
- 通道温度 -
C
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
栅极至源极电压
3.0
脉冲
漏极至源极导通状态
电阻与漏极电流
3.0
脉冲
2.0
I
D
= 4.0 A
7.5 A
1.0
2.0
V
GS
= 10 V
20 V
1.0
0
0
5
10
15
0
1.0
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
10
I
D
- 漏电流 - 一个
100
数据表D13339EJ2V0DS
3
2SK3116
R
DS ( ON)
- 漏极至源极导通状态电阻 -
漏极至源极导通电阻与
通道温度
4.0
源极到漏极二极管
正向电压
I
SD
- 二极管正向电流 - 一个
100
3.0
I
D
= 7.5 A
4.0 A
10
2.0
1.0
V
GS
= 10 V
0V
1.0
V
GS
= 10 V
脉冲
0
50
100
150
T
ch
- 通道温度 -
C
0.1
0
50
脉冲
0
0.5
1.0
1.5
V
SD
- 源极到漏极电压 - V
电容与漏极TO
源极电压
100
开关特性
10000
C
国际空间站
t
D(上)
, t
r
, t
D(关闭)
, t
f
- 开关时间 - NS
C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
- 电容 - pF的
t
D(关闭)
t
f
10
t
D(上)
1000
100
C
OSS
t
r
1
V
DD
= 150 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 10
1
I
D
- 漏电流 - 一个
10
10
V
GS
= 0 V
F = 1 MHz的
10
100
C
RSS
1000
1
1.0
0.1
0.1
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
反向恢复时间对比
漏电流
10000
t
rr
- 反向恢复时间 - NS
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
600
1000
V
DD
= 450 V
300 V
150 V
12
V
GS
10
8
6
400
100
200
V
DS
4
2
12
20
0
32
10
0.1
1.0
10
100
0
8
I
D
- 漏电流 - 一个
Q
G
- 栅极电荷 - 数控
4
数据表D13339EJ2V0DS
V
GS
- 栅极至源极电压 - V
的di / dt = 50A /
s
V
GS
= 0 V
动态输入/输出特性
16
I
D
= 7.5 A
14
2SK3116
5
100
正向偏置的降额因子
安全工作区
5
80
总功耗对比
外壳温度
胸苷 - 百分比额定功率 - %
P
T
- 总功耗 - W
20
40
60
80
100
120 140
160
70
60
50
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120 140
160
80
60
40
20
0
0
T
C
- 外壳温度 -
C
T
C
- 外壳温度 - C
正向偏置安全工作区
100
I
D(脉冲)
PW
I
D
- 漏电流 - 一个
10
R
)
(上
DS
Li
摊晒
mi
=
I
D( DC)的
1
10
0
10
s
s
m
s
Po
we
r
1
Di
ss
IPA
TIO
n
3
10
ms
30
m
10
m
s
0
s
DC
ms
LIM
ITE
d
0.1
1
T
C
= 25C
单脉冲
10
100
1000
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
5
r
日(T )
- 瞬态热阻 - C / W
瞬态热阻与脉冲宽度
100
R
第(章-a)的
= 83.3C / W
10
R
TH( CH-C )
= 1.79 ° C / W
1
0.1
0.01
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D13339EJ2V0DS
5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SK3116-ZJ
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SK3116-ZJ
NEC
2443+
23000
TO-263
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
2SK3116-ZJ
NEC
24+
12300
TO-263
全新原装现货,原厂代理。
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SK3116-ZJ
NEC
21+
18500
TO-263
全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
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NEC
21+
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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2SK3116-ZJ
√ 欧美㊣品
▲10/11+
7938
贴◆插
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2SK3116-ZJ
NEC
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20918
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