【2SA1031 ， 2SA1032PNP硅外延应用低频率的低噪声放大器互补配对2SC458 （ LG】,IC型号2SA1031C,2SA1031C PDF资料,2SA1031C经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SA1031 ， 2SA1032

PNP硅外延

应用

低频率的低噪声放大器

互补配对2SC458 （ LG）和2SC2310

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

3

2

1

2SA1031 ， 2SA1032

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

发射极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

E

P

C

Tj

TSTG

2SA1031

–30

–30

–5

–100

100

300

150

-55到+150

2SA1032

–55

–50

–5

–100

100

300

150

-55到+150

单位

V

V

V

mA

mA

mW

°C

°C

2

2SA1031 ， 2SA1032

电气特性

（ TA = 25°C ）

2SA1031

项

收藏家基地

击穿电压

集电极到发射极

击穿电压

发射器基

击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流转接率

符号

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

*

1

民

–30

–30

–5

—

—

100

—

—

200

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

280

3.3

—

最大

—

—

—

–0.5

–0.5

500

–0.8

–0.2

—

4.0

5

2SA1032

民

–55

–50

–5

—

—

100

—

—

200

—

—

典型值

—

—

—

—

—

—

—

—

280

3.3

—

最大

—

—

—

–0.5

–0.5

320

–0.8

–0.2

—

4.0

5

V

V

兆赫

pF

dB

单位

V

V

V

A

A

测试条件

I

C

= –10

A,

I

E

= 0

I

C

= -1毫安，R

BE

=

∞

I

E

= –10

A,

I

C

= 0

V

CB

= -18 V，I

E

= 0

V

EB

= -2 V，I

C

= 0

V

CE

= –12 V,

I

C

= -2毫安

V

CE

= –12 V,

I

C

= -2毫安

I

C

= -10毫安，

I

B

= -1毫安

V

CE

= –12 V,

I

C

= -2毫安

V

CB

= -10 V，I

E

= 0,

F = 1 MHz的

V

CE

= –6 V,

I

C

= -0.1毫安，

R

g

= 500

,

F = 120赫兹

基极至发射极电压V

BE

集电极到发射极

饱和电压

V

CE （ SAT ）

增益带宽乘积F

T

集电极输出

电容

噪声系数

COB

NF

注意：

1. 2SA1031与2SA1032是用h分组

FE

如下。

B

C

160到320

160到320

D

250至500

—

100至200

100至200

2SA1031

2SA1032

3

2SA1031 ， 2SA1032

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

C

（ mW）的

300

集电极电流I

C

（MA ）

典型的输出特性（ 1）

–10

–25

–8

–20

–6

–4

–15

–10

–5

A

I

B

= 0

0

100

150

50

环境温度Ta （C ）

0

–0.2

–0.4

–0.6

–0.8

–1.0

集电极发射极电压V

CE

(V)

200

100

–2

典型的输出特性（ 2）

–10

–25

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

–8

–20

–15

–4

–5

典型的传输特性

V

CE

= –5 V

–4

–10

–5

A

I

B

= 0

–2

–2

–1

0

–5

–10

–15

–20

–25

0

–0.2

–0.4

–0.6

25

–0.8

–6

–3

TA = 75

°C

–1.0

集电极发射极电压V

CE

(V)

基极至发射极电压V

BE

(V)

4

2SA1031 ， 2SA1032

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

700

600

V

CE

= –5 V

增益带宽乘积F

T

（兆赫）

直流电流传输比H

FE

500

400

V

CE

= –10 V

增益带宽积主场迎战

集电极电流

500

400

300

200

300

100

200

–0.01

–0.1

–1.0

–10

–100

0

–0.5

–1.0

–2

–5

–10

–20

集电极电流I

C

（MA ）

集电极电流I

C

（MA ）

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

集电极到发射极饱和

电压与集电极电流

–0.28

–0.24

–0.20

–0.16

–0.12

–0.08

–0.04

0

–1

–2

–5

–10

–20

–50 –100

集电极电流I

C

（MA ）

I

C

= 10 I

B

5

°

C

=7

Ta

25

5

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