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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1436
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 1000 （最小） @我
C
= 5A ，V
CE
= 3V
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
.Complement
到类型2SB1032
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
120
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
120
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
集电极电流连续
10
A
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
15
A
P
C
80
W
T
j
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
=的200mA，我
C
= 0
I
C
= 5A ，我
B
= 10毫安
B
2SD1436
民
120
7
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
3.5
0.1
10
1000
20000
V
V
V
V
mA
μA
I
C
= 10A ，我
B
= 0.1A
I
C
= 5A ，我
B
= 10毫安
B
I
C
= 10A ，我
B
= 0.1A
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
V
CE
= 100V ，R
BE
=
∞
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
开关时间
开启时间
I
C
= 5A ，我
B1
= -I
B2
= 10毫安
t
关闭
打开-O FF时间
4.0
μs
0.8
μs
t
on
ISC的网站： www.iscsemi.cn
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SD1436(K)
硅NPN三重扩散
ADE - 208-911 （ Z）
1日。版
2000年9月
应用
电源开关互补对与2SB1032 （ K）
概要
TO-3P
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
1.5 k
（典型值）
130
（典型值）
3
2
3
2SD1436(K)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
等级
120
120
7
10
15
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
120
7
—
—
1000
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
4.0
最大
—
—
100
10
20000
1.5
3.0
2.0
3.5
—
—
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 200毫安，我
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 10毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE （SAT） 1
V
CE （ sat）的2
V
BE （SAT） 1
V
BE （饱和）2
吨
花花公子
2SD1436(K)
最大集电极耗散曲线
120
集电极耗散功率PC（ W）
30
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
i
C（峰值）
I
C（最大值）
PW
安全工作区
1
s
s
s
0
m
1
10
80
集电极电流I
C
(A)
=
DC
(T
C
10
ms
=
40
)
°
C
25
TA = 25°C
1次脉冲
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
2.0
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
30,000
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 3 V
脉冲
5
°
C
=7
T
C
25
集电极电流I
C
(A)
8
1.5
10,000
3,000
1,000
300
100
30
0.3
1.0
6
0.8
0.7
0.6
0.5
I
B
= 0毫安
5
–2
4
2
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
5
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
2SD1436
描述
高
直流电流增益
: h
FE
= 1000 （最小） @我
C
= 5A ，V
CE
= 3V
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 120V （最小值）
.Complement
到类型2SB1032
应用
·设计
电源开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
参数
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
发射极 - 基极电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
单位
120
V
120
V
7
V
10
A
15
A
80
W
I
C
集电极电流连续
I
CM
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
P
C
T
j
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
(sat)-1
V
BE
(sat)-2
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
=的200mA，我
C
= 0
I
C
= 5A ，我
B
= 10毫安
B
2SD1436
民
120
7
典型值。
最大
单位
V
V
1.5
3.0
2.0
V
V
V
V
mA
μA
I
C
= 10A ，我
B
= 0.1A
I
C
= 5A ，我
B
= 10毫安
B
I
C
= 10A ，我
B
= 0.1A
V
CB
= 120V ，我
E
= 0
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
w
em
cs
。是
w
w
V
CE
= 100V ，R
BE
=
∞
I
C
= 5A ; V
CE
= 3V
I
C
= 5A ，我
B1
= -I
B2
= 10毫安
.CN
i
1000
0.8
4.0
3.5
0.1
10
20000
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2SD1436(K)
硅NPN三重扩散
应用
电源开关互补对与2SB1032 （ K）
概要
TO-3P
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
1.5 k
（典型值）
130
（典型值）
3
2
3
2SD1436(K)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
等级
120
120
7
10
15
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
120
7
—
—
1000
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
4.0
最大
—
—
100
10
20000
1.5
3.0
2.0
3.5
—
—
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 200毫安，我
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 10毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE （SAT） 1
V
CE （ sat）的2
V
BE （SAT） 1
V
BE （饱和）2
吨
花花公子
2
2SD1436(K)
最大集电极耗散曲线
120
集电极耗散功率PC（ W）
30
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
i
C（峰值）
安全工作区
1
s
10
集电极电流I
C
(A)
I
C（最大值）
PW
s
0
80
1
m
s
=
DC
(T
C
10
ms
=
40
)
°
C
25
TA = 25°C
1次脉冲
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
2.0
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
30,000
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 3 V
脉冲
°
C
75
=
T
C
25
集电极电流I
C
(A)
8
1.5
10,000
3,000
1,000
300
100
30
0.3
1.0
6
0.8
0.7
0.6
0.5
I
B
= 0毫安
5
–2
4
2
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
5
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
3
2SD1436(K)
集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （SAT）
(V)
饱和电压与集电极电流
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.3
V
CE （SAT）
500
200
l
C
/l
B
= 100
V
BE （SAT）
T
C
= 25°C
脉冲
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
4
单位：mm
5.0
±
0.3
15.6
±
0.3
1.0
φ
3.2
±
0.2
4.8
±
0.2
1.5
0.5
14.9
±
0.2
19.9
±
0.2
1.6
1.4最大
2.0
2.8
18.0
±
0.5
1.0
±
0.2
2.0
0.6
±
0.2
3.6
0.9
1.0
5.45
±
0.5
5.45
±
0.5
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-3P
—
符合
5.0 g
0.3
2SD1436(K)
硅NPN三重扩散
应用
电源开关互补对与2SB1032 （ K）
概要
TO-3P
2
1
1.基地
2.收集
（法兰）
3.辐射源
1
1.5 k
（典型值）
130
（典型值）
3
2
3
2SD1436(K)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
注意：
1.价值在T
C
= 25°C.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C（峰值）
P
C
*
1
Tj
TSTG
等级
120
120
7
10
15
80
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
°C
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
符号
民
120
7
—
—
1000
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.8
4.0
最大
—
—
100
10
20000
1.5
3.0
2.0
3.5
—
—
V
V
V
V
s
s
单位
V
V
A
A
测试条件
I
C
= 25毫安，R
BE
=
∞
I
E
= 200毫安，我
C
= 0
V
CB
= 120 V，I
E
= 0
V
CE
= 100 V ，R
BE
=
∞
V
CE
= 3 V，I
C
= 5 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B
= 10毫安*
1
I
C
= 10 A，I
B
= 0.1 A*
1
I
C
= 5 A，I
B1
= –I
B2
= 10毫安
集电极到发射极击穿V
（ BR ） CEO
电压
发射器基极击穿
电压
收藏家Cuto FF电流
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
首席执行官
直流电流传输比
集电极到发射极饱和
电压
基地发射极饱和
电压
启动时间
关闭时间
注意：
1.脉冲测试。
h
FE
V
CE （SAT） 1
V
CE （ sat）的2
V
BE （SAT） 1
V
BE （饱和）2
吨
花花公子
2
2SD1436(K)
最大集电极耗散曲线
120
集电极耗散功率PC（ W）
30
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
3
10
30
100
300
集电极到发射极电压V
CE
(V)
i
C（峰值）
安全工作区
1
s
10
集电极电流I
C
(A)
I
C（最大值）
PW
s
0
80
1
m
s
=
DC
(T
C
10
ms
=
40
)
°
C
25
TA = 25°C
1次脉冲
典型的输出特性
10
T
C
= 25°C
2.0
直流电流传输比主场迎战
集电极电流
30,000
直流电流传输比H
FE
V
CE
= 3 V
脉冲
°
C
75
=
T
C
25
集电极电流I
C
(A)
8
1.5
10,000
3,000
1,000
300
100
30
0.3
1.0
6
0.8
0.7
0.6
0.5
I
B
= 0毫安
5
–2
4
2
0
1
2
3
4
集电极到发射极电压V
CE
(V)
5
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
3
2SD1436(K)
集电极到发射极饱和电压V
CE （SAT）
(V)
基地发射极饱和电压V
BE （SAT）
(V)
饱和电压与集电极电流
10
3
1.0
0.3
0.1
0.03
0.01
0.3
V
CE （SAT）
500
200
l
C
/l
B
= 100
V
BE （SAT）
T
C
= 25°C
脉冲
1.0
3
10
集电极电流I
C
(A)
30
4
单位：mm
5.0
±
0.3
15.6
±
0.3
1.0
φ
3.2
±
0.2
4.8
±
0.2
1.5
0.5
14.9
±
0.2
19.9
±
0.2
1.6
1.4最大
2.0
2.8
18.0
±
0.5
1.0
±
0.2
2.0
0.6
±
0.2
3.6
0.9
1.0
5.45
±
0.5
5.45
±
0.5
日立代码
JEDEC
EIAJ
重量（参考值）
TO-3P
—
符合
5.0 g
0.3
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