2SK2883
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
2
2SK2883
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 3.0
（典型值）。
: |Y
fs
| = 2.6 S（典型值）。
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 640 V)
: V
th
= 2.0 4.0 V（V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
单位：mm
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
800
800
±30
3
9
75
300
3
7.5
150
55
150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-10S1B
重量：1.5克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化等）
可能会导致该产品的可靠性降低显著即使
的操作条件（即工作温度/电流/电压等）是
内的绝对最大额定值。请设计适当的
经审查东芝半导体可靠性手册可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人
可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.67
83.3
单位
C / W
C / W
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 60.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 3 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-10S2B
重量：1.5克（典型值）。
1
2009-09-29
2SK2883
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
栅源击穿电压
漏截止电流
漏源击穿电压
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向转移导纳
输入电容
反向传输电容
输出电容
上升时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） GSS
I
DSS
V
（ BR ） DSS
V
th
R
DS （ ON）
|Y
fs
|
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
r
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
测试条件
V
GS
= ±30 V, V
DS
= 0 V
I
G
= ±10
μA,
V
DS
= 0 V
V
DS
= 640 V, V
GS
= 0 V
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0 V
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
V
GS
= 10 V，I
D
= 1.5 A
V
DS
= 20 V，I
D
= 1.5 A
民
—
±30
—
800
2.0
—
0.65
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
3.0
2.6
750
10
70
15
最大
±10
—
100
—
4.0
3.6
—
—
—
—
—
pF
单位
μA
V
μA
V
V
S
开启时间
开关时间
下降时间
t
on
—
55
—
ns
t
f
—
30
—
关断时间
总栅极电荷（栅源
加栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ “米勒” ）费
t
关闭
Q
g
Q
gs
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
—
—
—
—
110
25
13
12
—
—
—
—
nC
源极 - 漏极额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
连续漏电流反向
（注1 ）
脉冲漏极电流反向
（注1 ）
正向电压（二极管）
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
DR
I
DRP
V
DSF
t
rr
Q
rr
I
DR
= 3 A，V
GS
= 0 V
I
DR
= 3 A，V
GS
= 0 V
dI
DR
/ DT = 100 A /
μs
测试条件
—
—
民
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
900
6
最大
3
9
1.9
—
—
单位
A
A
V
ns
μC
记号
注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明
标签。
没有下划线： [铅] /包括> MCV
下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]
产品型号（或缩写代码）
LOT号
注4
K2883
请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以
环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。
RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC
与2003年1月27日，安理会对使用的限制
某些有害物质的电器和电子设备。
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2009-09-29
2SK2883
东芝场效应晶体管硅N沟道MOS型（L
-π - MOSV ）
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2SK2883
斩波稳压器， DC-DC转换器和电机驱动器
应用
低漏源导通电阻
高正向转移导纳
低漏电流
增强型
: R
DS （ ON）
= 3.0
（典型值）。
: |Y
fs
| = 2.6 S（典型值）。
单位：mm
: I
DSS
= 100
μA
（最大值） （Ⅴ
DS
= 640 V)
: V
th
= 2.0~4.0 V (V
DS
= 10 V，I
D
= 1 mA）的
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
漏源电压
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流
DC
（注1 ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
I
D
I
DP
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
T
ch
T
英镑
等级
800
800
±30
3
9
75
300
3
7.5
150
55~150
单位
V
V
V
A
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
脉冲（注1 ）
漏极功耗（ TC = 25 ° C）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
雪崩电流
重复雪崩能量（注3 ）
通道温度
存储温度范围
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-10S1B
重量：1.5克（典型值）。
注意：
在重负载下连续使用（高如应用程序
温度/电流/电压和温度的显著变化，
等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压，
等）的绝对最大额定值。请设计
经审查东芝半导体适当的可靠性
可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和
方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，
估计的故障率，等）。
热特性
特征
耐热性，信道到外壳
耐热性，信道至
环境
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
最大
1.67
83.3
单位
C / W
C / W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-10S2B
注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。
注2 ： V
DD
= 90 V，T
ch
= 25 ° C（初始） ， L = 60.0 mH的，R
G
= 25
,
I
AR
= 3 A
注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道
温度
此晶体管是静电感应装置。
请谨慎操作。
重量：1.5克（典型值）。
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2006-11-10
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