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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC2928
描述
·带
TO- 3封装
击穿电压
应用
For
高电压,高转速和高
电源开关应用
钉扎(参照图2)
1
2
3
BASE
辐射源
Fig.1简化外形( TO- 3 )和符号
集热器
描述
绝对最大额定值(T
C
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
1500
800
7
5
7
2.5
80
150
-45~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
I
CBO
I
首席执行官
h
FE-1
h
FE-2
参数
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= 0.2A ;
BE
=∞
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
I
C
= 1.5A ;我
B
=0.3A
V
CB
= 1200V ;我
E
=0
V
CE
= 650V ;
BE
=∞
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=5V
15
7
800
7
典型值。
2SC2928
最大
单位
V
V
1.0
1.5
100
100
V
V
μA
μA
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3.0A ; V
CC
=250V
I
B1
= 0.6A ,我
B2
=-1.5A
1.0
3.0
1.0
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC2928
图2外形尺寸( unindicated公差:为±0.1mm )
3
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地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
2SC2928
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2024
2800
CAN/TO-3
原装现货上海库存,欢迎查询
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