【2SK1637 ， 2SK2422硅N沟道MOS FET应用高速电源开关特点低导通电阻高速开关低驱动】,IC型号2SK1637,2SK1637 PDF资料,2SK1637经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1637 ， 2SK2422

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

TO-220FM

D

G

1

2 3

1.门

2.漏

3.源

S

2SK1637 ， 2SK2422

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

2SK1637

2SK2422

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

记

1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25°C

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

符号

V

DSS

评级

600

650

±30

4

16

4

35

150

-55到+150

V

A

W

°C

单位

V

2

2SK1637 ， 2SK2422

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏极至源极

击穿电压

符号最小值

2SK1637 V

（ BR ） DSS

2SK2422

V

（ BR ） GSS

I

GSS

600

650

±30

—

±10

250

V

A

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

V

DS

= 550 V, V

GS

= 0

V

GS （ OFF ）

2.0

—

| YFS |

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2.2

—

1.8

2.0

3.5

600

140

25

8

30

60

35

0.9

300

3.0

2.4

2.6

—

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

I

F

= 4 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 15

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V *

1

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

V

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V *

1

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压

漏电流

2SK1637我

DSS

2SK2422

门源截止电压

静态漏源2SK1637

DS （ ON）

导通状态电阻

2SK2422

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

见2SK1402 ， 2SK1402A的特性曲线。

3

2SK1637 ， 2SK2422

功率与温度降额

60

P沟（W）的

50

30

漏电流I

D

(A)

O

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

D是

S

（O一

n)

最高安全工作区

10

3

1

0.3

0.1

10

40

s

10

0

散热通道

DC

O

PW

ra

K2422

s

pe

20

TA = 25_C

10

ms

TIO

ms

n

(T

(1 S

ho

C

=

25

t)

°C

)

K1637

=

1

0

50

外壳温度

100

T

C

(°C)

150

0.05

1

3

10

30

100 300 1,000

漏极至源极电压V

DS

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

1.0

T

C

= 25°C

0.1

θch -C

(t) =

γ

S

(t) ·

θch -C

= 3.57 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

LSE

0.05

0.02

0.03

0.01

10

0.01

普热

1S

T

1m

10 m

100 m

脉冲宽度PW （S ）

PW

D = PW

T

100

1

10

4

10.0

±

0.3

7.0

±

0.3

φ

3.2

±

0.2

2.8

±

0.2

2.5

±

0.2

单位：mm

0.6

5.0

±

0.3

2.0

±

0.3

1.2

±

0.2

1.4

±

0.2

12.0

±

0.3

4.45

±

0.3

2.5

14.0

±

1.0

0.5

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220FM

—

符合

1.8 g

0.7

±

0.1

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

17.0

±

0.3

2SK1637

硅N沟道MOS FET

REJ03G0962-0200

（上一个： ADE- 208-1305 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器和DC-DC转换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AD -A

（包名称： TO- 220FM ）

D

G

1.门

2.漏

3.源

1

2 3

S

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1637

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

10

s,

占空比

≤

1%

2.价值在T

C

= 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

600

±30

4

16

4

35

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向恢复

时间

注意：

3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

600

±30

—

2.0

—

2.2

—

典型值

—

1.8

3.5

600

140

25

8

30

60

35

0.9

300

最大

—

±10

250

3.0

2.4

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 500 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V *

I

D

= 2 A，V

DS

= 10 V *

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 15

3

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

I

F

= 4 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1637

主要特点

功率与温度降额

最高安全工作区

50

30

P沟（W）的

60

漏电流I

D

(A)

O

每

在林

ITE离子

d。在

由次

R是

AR

S

e

（O一

n)

10

3

1

0.3

0.1

10

散热通道

40

s

0

10

DC

O

PW

pe

20

TA = 25

°

C

1

10

ms

ra

TIO

ms

n

(T

(1 S

ho

C

=

25

t)

°

C

)

=

30

100

300 1,000

s

0

50

100

150

0.05

1

3

10

外壳温度

T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

10 V

6V

5V

脉冲测试

5

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

3

4.5 V

漏电流I

D

(A)

4

3

2

4V

V

GS

= 3.5 V

0

10

20

30

40

50

2

1

T

C

= –25°C

25°C

75°C

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

20

脉冲测试

16

I

D

= 5 A

12

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

50

脉冲测试

20

10

5

2

1

0.5

0.2

V

GS

= 10 V

15 V

漏极至源极饱和电压V

DS （ ON）

(V)

8

2A

1A

0

4

8

12

16

20

4

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.5

1

2

5

10

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1637

静态漏源导通状态

电阻与温度

10

V

GS

= 10 V

脉冲测试

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

10

V

DS

= 20 V

脉冲测试

5

2

1

0.5

T

C

= –25°C

25°C

75°C

8

6

I

D

= 5 A

2A

4

1A

2

0.2

0.1

0.05

0

–40

0

40

80

120

160

0.1

0.2

0.5

1

2

5

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1,000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

西塞

反向恢复时间trr （ NS ）

500

200

100

50

20

的di / dt = 100 A / μs的，V

GS

= 0

TA = 25°C

0.2

0.5

1

2

5

电容C （PF ）

100

科斯

10

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

10

0.05 0.1

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

1,000

V

DD

= 100 V

250 V

400 V

20

500

开关特性

V

GS

= 10 V ， PW = 2

s

税

＆ LT ;

1%, V

DD

= 30 V

=

.

16

12

V

GS

开关时间t（ NS ）

800

200

100

t

D（关闭）

50

t

f

20

t

r

10

5

0.1

t

D（上）

600

V

DS

I

D

= 4 A

200

V

DD

= 400 V

250 V

100 V

0

8

16

24

32

400

8

4

0

40

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

反向漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1637

反向漏电流 -

源极到漏极电压

5

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

4

3

2

1

5 V, 10 V

0

0.4

0.8

V

GS

= 0, –5 V

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

1.0

T

C

= 25°C

0.1

θch -C

(t) =

γ

S

(t)

θch -C

= 3.57 ° C / W ，T

C

= 25°C

P

DM

升SE

0.05

0.02

0.03

0.01

10

0.01

普热

1S

T

1m

10 m

100 m

PW

D = PW

T

100

1

10

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T.

R

L

VOUT

VIN

10 V

50

V

DD

= 30 V

t

D（上）

VIN

10%

波形

90%

10%

90%

t

D（关闭）

t

f

90%

t

r

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6