【2SK2737硅N沟道MOS FET高速电源开关REJ03G1031-0400（上一个： ADE- 】,IC型号2SK2737,2SK2737 PDF资料,2SK2737经销商,ic,电子元器件-51电子网

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2SK2737

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

REJ03G1031-0400

（上一个： ADE- 208-533B ）

Rev.4.00

2005年9月7日

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 10毫欧（典型值）。

4 V栅极驱动装置。

高速开关

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AE -A

（包名称： TO- 220C FM）

D

G

1.门

2.漏

3.源

12

3

S

Rev.4.00 2005年9月7日第1页6

2SK2737

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

30

±20

45

180

45

30

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

°

C

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注： 3.脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

30

±20

—

—

1.0

—

—

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

10

15

30

1570

1100

410

32

300

180

200

1.0

75

最大

—

—

±10

10

2.0

14

25

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16

V, V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

Note3

I

D

= 20 A，V

GS

= 10 V

Note3

I

D

= 20 A，V

GS

= 4 V

Note3

I

D

= 20 A，V

DS

= 10 V

Note3

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1MHz的

V

GS

= 10 V，I

D

= 20 A,

R

L

= 0.5

I

F

= 45 A，V

GS

= 0

I

F

= 45 A，V

GS

= 0

di

F

/ DT = 50A /

s

Rev.4.00 2005年9月7日第2 6

2SK2737

主要特点

功率与温度降额

40

最高安全工作区

500

200

10

PW

通道耗散P沟（W）的

10

0

s

漏电流I

D

(A)

s

30

100

50

20

10

5

2

D

C

1

m

s

10

=

O

20

pe

m

s

)

ot

sh

(1

TIO

ra

10

n

操作

(T

c

这个区域是

=

25

限于由R

DS （ ON）

°

C

)

0

50

100

150

200

1

TA = 25°C

0.5

0.1 0.3

1

3

10

30

100

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

10 V 8 V

100

6V

5V

脉冲测试

4.5 V

4V

100

典型的传输特性

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

80

80

TC = -25°C

25°C

75°C

60

60

40

3.5 V

3V

V

GS

= 2.5 V

40

20

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

2

4

6

8

10

0

2

4

6

8

10

0

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

100

脉冲测试

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

1.0

脉冲测试

0.8

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

50

0.6

I

D

= 50 A

0.4

20 A

10 A

20

V

GS

= 4 V

0.2

10

10 V

5

1

2

5

10

20

50

100

0

4

8

12

16

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第3页6

2SK2737

静态漏源导通状态

电阻与温度

50

脉冲测试

40

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m)

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

50

20

10

5

TC = -25°C

25°C

30

I

D

= 20 A

20

V

GS

= 4 V

10 A

75°C

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

1

3

10

30

100

10

10 V

0

–40

0

40

80

50 A

10, 20 A

120

160

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

1000

10000

5000

漏电流I

D

(A)

典型电容

与漏极至源极电压

反向恢复时间trr （ NS ）

500

电容C （PF ）

200

100

50

20

10

0.1

2000

1000

500

200

100

50

西塞

科斯

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

0

10

20

30

40

50

的di / dt = 50A /

s

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

50

20

1000

500

开关特性

I

D

= 45 A

40

V

GS

V

DS

V

DD

= 5 V

10 V

15 V

16

开关时间t（ NS ）

200

100

50

TD （关闭）

tf

tr

TD （上）

V

GS

= 10 V, V

DD

= 10 V

PW = 5

s,

值班< 1 ％

0.3

1

3

10

30

100

30

12

20

8

10

V

DD

= 15 V

10 V

5V

20

40

60

80

4

0

100

20

10

0.1

0

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.4.00 2005年9月7日第4 6

2SK2737

反向漏电流 -

源极到漏极电压

反向漏电流I

DR

(A)

100

10 V

5V

60

V

GS

= 0, –5 V

80

40

20

脉冲测试

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

源极到漏极电压

V

SD

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

TC = 25°C

1

D=1

0.5

0.3

0.2

0.1

0.1

0.05

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（ t）的

θ

CH - C

θ

CH - C = 4.17 ° C / W ，TC = 25°C

PDM

PW

T

D=

0.03

0.01

10

0.02

1

LSE

0.0

pu

t

ho

1s

PW

T

100

1m

10 m

100 m

1

10

脉冲宽度

开关时间测试电路

PW （S ）

波形

90%

输入电压监视器

D.U.T.

R

L

VOUT

MONITOR

VIN

VOUT

10%

10%

10%

VIN

10 V

50

V

DD

= 10 V

TD （上）

90%

90%

TD （关闭）

tf

tr

Rev.4.00 2005年9月7日第5 6

2SK2737

硅N沟道MOS FET

高速电源开关

ADE-208-533B(Z)

3 。版

1998年6月

特点

低导通电阻

R

DS （ ON）

= 10毫欧（典型值）。

4V栅极驱动装置。

高速开关

概要

TO–220CFM

D

G

1 2

3

S

1.门

2.漏

3.源

2SK2737

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25℃

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D(pulse)Note1

I

DR

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

30

±20

45

180

45

30

150

-55到+150

单位

V

V

A

A

A

W

°C

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

30

±20

—

—

1.0

—

—

20

—

—

—

—

—

—

—

—

—

典型值

—

—

—

—

—

10

15

30

1570

1100

410

32

300

180

200

1.0

75

最大

—

—

±10

10

2.0

14

25

—

—

—

—

—

—

—

—

—

—

单位

V

V

A

A

V

m

m

S

pF

pF

pF

ns

ns

ns

ns

V

ns

I

F

= 45A ，V

GS

= 0

I

F

= 45A ，V

GS

= 0

DIF / DT = 50A / μs的

测试条件

I

D

= 10毫安，V

GS

= 0

I

G

=

±100A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±16V,

V

DS

= 0

V

DS

= 30 V, V

GS

= 0

I

D

= 1mA时， V

DS

= 10V

Note3

I

D

= 20A ，V

GS

= 10V

Note3

I

D

= 20A ，V

GS

= 4V

Note3

I

D

= 20A ，V

DS

= 10V

Note3

V

DS

= 10V

V

GS

= 0

F = 1MHz的

V

GS

= 10V ，我

D

= 20A

R

L

= 0.5

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅源击穿电压

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

2

2SK2737

主要特点

功率与温度降额

40

500

200

P沟（W）的

I

D

(A)

最高安全工作区

10

0

s

10

PW

s

30

100

50

20

10

5

2

D

C

1

s

m

=

漏电流

10

散热通道

20

O

pe

r

s(

m

ho

1s

t)

10

(T

操作

c=

这个区域是

25

°C

限于由R

DS （ ON）

)

at

io

n

0

50

100

150

200

壳温度（ ° C）

1

TA = 25℃

0.5

3

0.1 0.3

1

10

漏极至源极电压V

30

(V)

DS

100

典型的输出特性

10 V 8 V

100

6V

5V

80

I

D

(A)

I

D

(A)

典型的传输特性

100

脉冲测试

4.5 V

4V

80

TC = -25°C

25°C

75°C

60

60

漏电流

40

漏电流

3.5 V

3V

V

GS

= 2.5 V

40

20

20

V

DS

= 10 V

脉冲测试

2

4

6

栅极至源极电压V

8

(V)

GS

10

0

2

4

6

漏极至源极电压V

8

(V)

DS

10

0

3

2SK2737

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(m

W

)

1.0

100

脉冲测试

50

0.8

0.6

I

D

= 50 A

0.4

20 A

10 A

0

12

4

8

栅极至源极电压

16

20

V

GS

(V)

20

V

GS

= 4 V

10

10 V

0.2

5

1

2

10 20

50

5

漏电流I

D

(A)

100

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(m

W

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

50

脉冲测试

40

正向转移导纳主场迎战

漏电流

50

20

10

5

75 °C

2

1

0.5

0.1

V

DS

= 10 V

脉冲测试

0.3

30

1

3

10

漏电流I

D

(A)

100

TC = -25°C

25 °C

30

I

D

= 20 A

20

V

GS

= 4 V

10 A

10

10 V

0

–40

50 A

10, 20 A

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

4

2SK2737

体漏二极管的反向

恢复时间

1000

反向恢复时间trr （ NS ）

典型的电容比。

漏源极电压

10000

5000

电容C （PF ）

500

200

100

50

20

10

0.1

2000

1000

500

200

100

50

0

10

20

西塞

科斯

CRSS

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

30

40

50

的di / dt = 50A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

0.3

1

3

10

30

100

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

开关特性

V

GS

(V)

50

I

D

= 45 A

40

V

GS

V

DS

V

DD

= 5 V

10 V

15 V

20

1000

500

开关时间t（ NS ）

16

漏源极电压

30

12

栅极至源极电压

200

100

50

20

10

0.1

吨D（关闭）

tf

tr

吨D（上）

V

GS

= 10 V, V

DD

= 10 V

PW = 5微秒，占空比< 1 ％

0.3

1

3

漏电流

30

10

I

D

(A)

100

20

8

10

V

DD

= 15 V

10 V

5V

20

40

60

80

栅极电荷Qg （ NC ）

4

0

100

0

5

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