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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第375页 > 2N3906RLRP
2N3906
首选设备
通用
晶体管
PNP硅
http://onsemi.com
集热器
3
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
625
5.0
PD
PD
1.5
12
TJ , TSTG
-55
+150
毫瓦/°C的
°C
2N
3906
YWW
单位
° C / W
° C / W
Y
WW
=年
=工作周
250
mW
毫瓦/°C的
mW
1
2
3
TO–92
CASE 29
风格1
价值
40
40
5.0
200
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
2
BASE
1
辐射源
风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ TA = 25°C
减免上述25℃
总功耗
@ TA = 60℃
器件总功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
标记DIAGRAMS
热特性
(注1 )
特征
热阻,
结到环境
热阻,
结到外壳
符号
R
θJA
R
θJC
最大
200
83.3
1.表示除了JEDEC要求的数据。
订购信息
设备
2N3906
2N3906RLRA
2N3906RLRE
2N3906RLRM
2N3906RLRP
2N3906RL1
2N3906ZL1
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
TO–92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2001年
1
2001年11月 - 修订版0
出版订单号:
2N3906/D
2N3906
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压(注2 ) ( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压( IC = 10
MADC ,
IE = 0 )
发射极 - 基极击穿电压( IE = 10
MADC ,
IC = 0)
底座截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
集电极截止电流( VCE = 30 V直流, VEB = 3.0伏)
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
IBL
ICEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
基本特征
(注2 )
直流电流增益
( IC = 0.1 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 1.0 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 100 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC
基射极饱和电压
( IC = 10 MADC , IB = 1.0 MADC )
( IC = 50 MADC , IB = 5.0 MADC )
的hFE
60
80
100
60
30
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
0.65
0.85
0.95
0.25
0.4
VDC
300
VDC
小信号特性
电流增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
输出电容( VCB = 5.0伏, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
输入电容( VEB = 0.5伏, IC = 0 , F = 1.0兆赫)
输入阻抗( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
电压反馈比例
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
小信号电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
输出导纳( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0千赫)
噪声系数
( IC = 100
MADC ,
VCE = 5.0伏, RS = 1.0千欧, F = 1.0千赫)
fT
250
科博
CIBO
缺氧缺血性脑病
HRE
0.1
的hFE
100
HOE
NF
4.0
3.0
400
60
毫姆欧
dB
10
2.0
4.5
10
12
pF
pF
k
X 10–4
兆赫
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
( VCC = 3.0伏, VBE = 0.5伏,
IC = 10 MADC , IB1 = 1.0 MADC )
( VCC = 3.0伏, IC = 10 MADC ,
IB1 = IB2 = 1.0 MADC )
( VCC = 3.0伏, IC = 10 MADC ,
IB1 = IB2 = 1.0 MADC )
td
tr
ts
tf
75
225
ns
35
35
ns
ns
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
http://onsemi.com
2
2N3906
3V
+9.1 V
& LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
CS < 4 PF *
300纳秒
占空比= 2 %
10 < T1 < 500
ms
占空比= 2 %
t1
10.9 V
275
0
10 k
1N916
CS < 4 PF *
& LT ; 1纳秒
3V
275
10.6 V
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间
等效测试电路
图2.存储和下降时间
等效测试电路
典型的瞬态特性
TJ = 25°C
TJ = 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
科博
CIBO
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
QT
VCC = 40 V
IC / IB = 10
3.0
2.0
QA
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置(伏)
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
图3.电容
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
500
300
200
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
1.0
2.0 3.0
图4.收费数据
IC / IB = 10
VCC = 40 V
IB1 = IB2
IC / IB = 20
时间(纳秒)
TR @ VCC = 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
TD @ VOB = 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ,集电极电流(毫安)
IC / IB = 10
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
IC ,集电极电流(毫安)
图5.开启时间
图6.下降时间
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3
2N3906
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
( VCE = -5.0伏, TA = 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0.1
源电阻= 2.0
IC = 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男,频率(KHz )
20
40
100
源电阻= 200
W
IC = 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
IC = 0.5毫安
源电阻= 2.0
IC = 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
8
6
4
2
0
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
RG ,源电阻(千欧)
IC = 50
mA
IC = 100
mA
IC = 1.0毫安
IC = 0.5毫安
NF ,噪声系数(dB )
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
( VCE = -10伏直流, F = 1.0千赫, TA = 25 ° C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
100
70
50
30
20
^ h FE , DC电流增益
200
100
70
50
30
10
7
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图9.电流增益
重,电压反馈比例( X 10
-4
)
20
即输入阻抗(千欧)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
IC ,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
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4
2N3906
典型静态特性
2.0
^ h FE , DC电流增益(标准化)
TJ = + 125°C
+25°C
-55°C
VCE = 1.0 V
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IC ,集电极电流(毫安)
20
30
50
70
100
200
图13.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.01
IC = 1.0毫安
10毫安
30毫安
百毫安
0.02
0.03
0.05
0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
IB ,基极电流(毫安)
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
图14.集电极饱和区
TJ = 25°C
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 1.0 V
q
V,温度系数(MV /
°
C)
1.0
0.8
V,电压(V )
0.6
0.4
0.2
0
1.0
0.5
0
-0.5
+ 25 ° C至+ 125°C
-1.0
-1.5
-2.0
0
20
q
VB的VBE (SAT)
40
60
80 100 120 140
IC ,集电极电流(毫安)
160
180 200
-55 ° C至+ 25°C
q
VC的VCE (SAT)
+ 25 ° C至+ 125°C
-55 ° C至+ 25°C
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
1.0
2.0
50
5.0
10
20
IC ,集电极电流(毫安)
100
200
图15为“ON”电压
图16.温度系数
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5
2N3906
PNP通用开关晶体管
电压
特点
PNP硅外延,平面设计
集电极 - 发射极电压V
CE
= 40V
集电极电流I
C
= -200mA
无铅产品可供选择: 99 %以上的锡能满足RoHS指令
环境物质指令的要求
40伏
动力
625毫瓦
机械数据
案例: TO- 92
码头:每MIL -STD- 750 ,方法2026
大约重量: 0.02克
标记: S2A
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
最大功率耗散
储存温度
结温
符号
V
EO
V
BO
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
J
价值
-40
-40
-5.0
-200
625
-55到150
-55到150
单位
V
V
V
mA
mW
O
C
C
O
热特性
参数
热阻,结到环境
符号
价值
200
单位
O
R
θ
JA
C / W
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 1
2N3906
电气特性
PA RA M E TE
C 0 LLE C到的R - é英里TTE 重新akdo WN武LTA阁B
C 0 LLE C到的R - 重新akdo WN武LTA阁B酶B
英里TTE的R - B A发E B再A K D 2 O WN武LTA克é
B A S式C UT F F C-UR 鄂西北
C 0 L L权证吨 R C UT F F C-UR 鄂西北
S YM B○升
V
( B R )
权证
V
( B R )
C B
V
( B R )
E B
I
B·L
I
权证X
T E S T C 0 N D资讯IO
I
C
= 1 。 0米A,I
B
= 0
I
C
= - 1 0 U A,I
E
= 0
I
E
= 1 0 U A,I
C
= 0
V
CE
=-3 0 V, V
EB
=-3 .0 V
V
CE
=-3 0 V, V
EB
=-3 .0 V
I
C
= - 0 。 1米,V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 。 0米A,V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0米A,V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 5 0米A,V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0 0米A,V
权证
= - 1 . 0 V
I
C
= - 1 0微米的,我
B
= - 1 。 0米一
I
C
= - 5 0微米的,我
B
= - 5 。 0米一
I
C
= - 1 0微米的,我
B
= - 1 。 0米一
I
C
= - 5 0微米的,我
B
= - 5 。 0米一
V
C B
= - 5 。 0 V,I
E
= 0中,f = 1 M·H
Z
V
C B
= - 0 。 5 V,I
C
= 0中,f = 1 M·H
Z
M IN 。
-40
-40
-5 .0
-
-
60
80
100
60
30
-
-
-0 .6 5
-
-
-
-
牛逼YP 。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
MA X 。
-
-
-
-50
-50
-
-
300
-
-
-0 .2 5
-0 .4
-0 .8 5
-0 .9 5
4 .5
10
35
35
225
75
加利IT
V
V
V
nA
nA
D C C-UR 鄂西北G A I N
h
FE
-
ollector - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
B ASE - é米特S上UR通报BULLETIN武ltage
C 0 L L权证T O服务的R - B A S式C一P A C I T A NC é
ê米I T T E的R - B A S式C一P A C I T A NC é
D E L的钛M E
R I发E钛M E
S T R A克é钛M E
F A L L钛M E
V
权证(S AT )
V
B E( AT )
C
CBO
C
EBO
t
d
t
r
t
s
t
f
V
V
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
CC
=-3 V, V
BE
=-0 .5 V,
I
C
= - 1 0微米的,我
B
= - 1米
-
-
V
C C
= - 3 V,I
C
= - 1 0微米的
I
B 1
= I
B 2
= - 1米
-
切换时间等效测试电路
3V
3V
275O
< 1ns的
0
0.5V
10KO
C
S
* < 4PF
1N916
275O
< 1ns的
+9.1V
0
10KO
C
S
* < 4PF
1N916
-10.9V
300ns
占空比= 2.0 %
-10.9V
10至500US
占空比= 2.0 %
延迟和上升时间等效测试电路
存储和下降时间等效测试电路
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 2
2N3906
电气特性曲线
300
T
J
= 150° C
250
1.0
1.2
V
CE
= 1V
200
的hFE
T
J
= 100° C
V
BE
(V)
0.8
T
J
= 25° C
0.6
T
J
= 100° C
0.4
T
J
= 150° C
150
T
J
= 25° C
100
50
V
CE
= 1V
0
0.01
0.2
0.1
1
10
100
1000
0.0
0.01
0.1
1
10
100
1000
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 1.典型
FE
与集电极电流
1.00
I
C
/I
B
= 10
图。 2.典型的V
BE
与集电极电流
1.000
T
J
= 25° C
的Vce ( sat)的(V)的
0.10
T
J
= 150°
T
J
= 25°
VBE (饱和) (V)的
T
J
= 100°
C
T
J
= 150° C
I /I
B
= 10
C
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.100
0.01
0.1
1
10
100
集电极电流,I
C
(MA )
集电极电流,I
C
(MA )
图。 3.典型的V
CE (SAT)
与集电极电流
10
图。 4.典型的V
BE (SAT)
与集电极电流
C
IB
( EB)的
电容(pF)
C
OB
( CB )
1
0.1
1
10
100
反向电压, V
R
(V)
图。 5.典型的电容与反向电压
REV.0-DEC.12.2005
PAGE 。 3
2N3906
TO- 92案例大纲
TO-92
法律声明
版权所有强茂国际, 2005年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格及信息
本文如有更改,恕不另行通知。潘日新使得对于任何担保,声明或保证
适合其产品的任何特定用途。潘日新产品未被授权用于生命支持设备或使用
系统。潘日新不转达根据其专利权或他人权利的任何许可。
STAD-AUG.23.2005
PAGE 。 4
2N3906
通用
晶体管
PNP硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
40
40
5.0
200
625
5.0
250
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
mW
W
毫瓦/°C的
°C
TO92
CASE 29
风格1
12
1
2
1
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
发射极电压
集热器
基极电压
辐射源
基极电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
总功率耗散@ T
A
= 60°C
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
热特性
(注1 )
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
2N
3906
ALYWG
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表示除了JEDEC要求的数据。
A
=大会地点
L
=晶圆地段
Y
=年
W =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年2月
第4版
1
出版订单号:
2N3906/D
2N3906
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注2 )
集热器
: BASE
击穿电压
辐射源
: BASE
击穿电压
基地截止电流
收藏家Cuto FF电流
基本特征
(注2 )
直流电流增益
(I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 100 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC
(I
C
= 10 MADC ,我
B
= 1.0 MADC )
(I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC )
(I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 20伏, F = 100兆赫)
(V
CB
= 5.0伏,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫)
(I
C
= 100
MADC ,
V
CE
= 5.0伏,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
h
FE
60
80
100
60
30
0.65
300
0.25
0.4
0.85
0.95
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
(I
C
= 10
MADC ,
I
E
= 0)
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
(V
CE
= 30伏直流电,V
EB
= 3.0伏)
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
BL
I
CEX
40
40
5.0
50
50
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
最大
单位
集热器
:辐射源
饱和电压
BASE
:辐射源
饱和电压
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
输出电容
输入电容
输入阻抗
电压反馈比例
小信号电流增益
输出导纳
噪声系数
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
VDC
VDC
f
T
C
敖包
C
IBO
h
ie
h
re
h
fe
h
oe
NF
250
2.0
0.1
100
3.0
4.5
10
12
10
400
60
4.0
兆赫
pF
pF
kW
X 10
4
毫姆欧
dB
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 3.0伏,V
BE
= 0.5伏,
I
C
= 10 MADC ,我
B1
= 1.0 MADC )
(V
CC
= 3.0伏,我
C
= 10 MADC ,我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC )
(V
CC
= 3.0伏,我
C
= 10 MADC ,我
B1
= I
B2
= 1.0 MADC )
t
d
t
r
t
s
t
f
35
35
225
75
ns
ns
ns
ns
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2%.
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2
2N3906
订购信息
设备
2N3906
2N3906G
2N3906RL1
2N3906RL1G
2N3906RLRA
2N3906RLRAG
2N3906RLRM
2N3906RLRMG
2N3906RLRP
2N3906RLRPG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
2000 /磁带&弹药盒
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
3V
275
& LT ; 1纳秒
+0.5 V
10 k
C
S
< 4 PF *
10.6 V
300纳秒
占空比= 2 %
*测试夹具和连接器共有并联电容
图1.延迟和上升时间等效测试电路
3V
+9.1 V
& LT ; 1纳秒
275
10 k
0
1N916
10 <吨
1
& LT ; 500
ms
占空比= 2 %
*测试夹具和连接器共有并联电容
t
1
10.9 V
C
S
< 4 PF *
图2.存储和下降时间等效测试电路
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3
2N3906
典型的瞬态特性
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
10
7.0
电容(pF)
Q, CHARGE ( PC)
5.0
C
敖包
C
IBO
3.0
2.0
5000
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
70
50
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
T
Q
A
1.0
0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0 5.0 7.0 10
反向偏置(伏)
20 30 40
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 50 70 100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
图3.电容
图4.收费数据
500
300
200
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
500
300
200
I
C
/I
B
= 20
五六,下降时间( NS )
100
70
50
30
20
10
7
5
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
时间(纳秒)
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
15 V
40 V
2.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
I
C
,集电极电流(毫安)
I
C
,集电极电流(毫安)
图5.打开
ΔON
时间
图6.下降时间
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4
2N3906
典型的音频小信号特性
噪声系数变异
(V
CE
=
5.0伏,T
A
= 25 ℃,带宽= 1.0赫兹)
5.0
源电阻= 200
W
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
源电阻= 200
W
I
C
- 0.5毫安
源电阻= 2.0
I
C
= 50
mA
12
F = 1.0千赫
10
I
C
- 0.5毫安
8
6
4
2
0
I
C
= 50
mA
I
C
= 100
mA
I
C
= 1.0毫安
NF ,噪声系数(dB )
4.0
3.0
2.0
源电阻= 2.0
I
C
= 100
mA
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
10
男,频率(KHz )
20
40
100
1.0
0
0.1
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0
4.0
10
20
R
g
,源电阻(千欧)
40
100
图7 。
网络连接gure 8 。
h参数值
(V
CE
=
10 VDC , F = 1.0千赫,T
A
= 25°C)
300
锄头,输出导纳(
m
姆欧)
100
70
50
30
20
^ h FE , DC电流增益
200
100
70
50
10
7
30
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图9.电流增益
重,电压反馈比例( X 10
-4
)
20
即输入阻抗(千欧)
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
10
7.0
5.0
3.0
2.0
图10.输出导纳
1.0
0.7
0.5
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
0.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
I
C
,集电极电流(毫安)
5.0 7.0 10
图11.输入阻抗
图12.电压反馈比例
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2N3906RLRP
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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ON
22+
166000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
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000¥/片,原装正品假一赔百!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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ON
21+
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全新原装正品/质量有保证
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
2N3906RLRP
ON SEMICONDUCTOR
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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电话:0755-83039139
联系人:邓小姐
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