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JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1505
描述
·带
的TO-220封装
高
集电极 - 发射极电压
:
V
首席执行官
=300V
高
频率：F
T
=40MHz(Min)
应用
For
在线路经营彩电色度使用
输出电路和声音输出电路。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
=25℃
P
T
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
300
7
0.2
1.2
W
单位
V
V
V
A
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 1毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
=200V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=50V;f=1MHz
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
50
40
民
300
300
7
2SC1505
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
0.1
0.1
200
4.5
80
V
μA
μA
pF
兆赫
h
FE
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
JMnic
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1505
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1505
描述
·带
的TO-220封装
高
集电极 - 发射极电压
:
V
首席执行官
=300V
高
频率：F
T
=40MHz(Min)
应用
For
在线路经营彩电色度使用
输出电路和声音输出电路。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
固电
IN
导½
半
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
300
300
7
0.2
单位
V
V
V
A
开基
集电极开路
T
a
=25℃
P
T
集电极耗散功率
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.2
W
15
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
条件
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 1毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
=200V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=50V;f=1MHz
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
40
民
300
300
7
2SC1505
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
0.1
0.1
200
4.5
V
μA
μA
固电
L
跃迁频率
导½
半
K
100-200
pF
兆赫
h
FE
分类
M
40-80
IN
60-120
ES
昂
CH
ICO
EM
OR
UCT
ND
50
80
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1505
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
データシート
シリコンパワートランジスタ
硅功率晶体管
2SC1505
NPN
三重拡散½シリコントランジスタ
カラーテレビクロマ出力，音声出力用
2SC1505は，高耐圧かつ高周波特性にすぐれており，カラー·
テレビのクロマ出力，音声出力(1.5
W)に最適です。
★
オーダ情報
オーダ名称
2SC1505
パッケージ
TO-220AB
特徴
○ 高耐圧である。V
CBO
= 300 V
○コレクタ容量が小さい.Cob
= 4.5 pF的MAX 。
(TO-220AB)
絶対最大定格（T
A
= 25°C）
°
項目
コレクタ
–
ベース間電圧
コレクタ
–
エミッタ間電圧
エミッタ
–
ベース間電圧
コレクタ電流
全損失
略号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
ジャンクション温度
保存温度
T
j
T
英镑
条件
定格
300
300
7.0
200
1.2
15
150
–55+150
単½
V
V
V
mA
W
W
°C
°C
本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご½用ください。
資料番号
D14860JJ3V0DS00 （第3
版）
(旧資料番号TC-5084B）
発行年月
2000年10月NS
CP （ K）
本文欄外の印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。
1982, 2000
2SC1505
電気的特性（T
A
= 25°C）
°
項目
コレクタしゃ断電流
エミッタしゃ断電流
直流電流増幅率
コレクタ½和電圧
利得帯域幅積
コレクタ容量
略号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
条件
V
CB
= 200 V，I
E
= 0 A
V
EB
= 5.0 V，I
C
= 0 A
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
注
分钟。
典型值
.
马克斯。
100
100
単½
nA
nA
40
80
200
2.0
V
兆赫
4.5
pF
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5.0毫安
V
CE
= 30 V，I
E
= -10毫安
注
50
80
V
CB
= 50 V，I
E
= 0 ， F = 1.0 MHz的
注パルス测定PW
≦
350
S，占空比
≦
2%
h
FE
規格区分
捺印
h
FE
M
4080
L
60120
K
100200
2
データシート
D14860JJ3V0DS00
2SC1505
特性曲線（T
A
= 25°C）
°
总功耗 - 环境
温度
放熱板：
2 mmアルミ板
总功耗 - 环境
温度
16
14
1.2
全損失P
T
(W)
全損失P
T
(W)
12
10
8
6
4
2
0
0
50
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
放
50
0c
10
0c
無
m
2
熱
限
大
板
な
放
し
熱
m
2
板
付
cm
2
25
cm
2
10 c
2
m
放熱板なし
50
100
150
0
0
50
100
150
周囲温度T
A
(C)
周囲温度T
A
(C)
集电极电流主场迎战
基地发射极电压
200
V
CE
= 5 V
コレクタ電流I
C
（MA ）
200
集电极电流与集电极
发射极电压
10毫安
9.0毫安
8.0毫安
7.0毫安
6.0毫安
5.0毫安
コレクタ電流I
C
（MA ）
160
160
mA
4.0
A
3.0 m
0毫安
2.
I
B
= 1.0
mA
120
120
80
80
40
40
0
0
0
0.4
0.6
0.8
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
ベース - エミッタ間電圧V
BE
(V)
コレクタ - エミッタ間電圧V
CE
(V)
集电极电流与集电极
发射极电压
16
14
コレクタ電流I
C
（MA ）
160
A
140
A
120
A
100
A
80
A
直流电流增益与集电极电流
1000
V
CE
= 10 V
直流電流増幅率h
FE
12
10
8
6
4
I
B
= 20
A
100
T
A
= 125C
75C
25C
25C
60
A
40
A
10
2
0
1
0
50
100
150
200
250
1
10
100
1000
コレクタ - エミッタ間電圧V
CE
(V)
コレクタ電流I
C
（MA ）
データシート
D14860JJ3V0DS00
3
2SC1505
集电极和基极饱和
电压与集电极电流
输出电容与集热器
以基极电压
100
コレクタ容量C
ob
（PF ）
ベ ー ス ½ 和 電 圧 V
BE （ SAT ）
(V)
コレクタ½和電圧V
CE （ SAT ）
(V)
10
I
C
= 10
I
B
パルス測定
I
E
= 0 A
F = 1.0 MHz的
1
V
BE （ SAT ）
10
V
CE （ SAT ）
0.1
1
0.01
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
1000
コレクタ電流I
C
（MA ）
コレクタ - ベース間電圧V
CB
(V)
增益带宽积与辐射源
当前
160
V
CE
= 30 V
140
利得帯域幅積f
T
（兆赫）
120
100
80
60
40
20
0
5
10
エミッタ電流I
E
（MA ）
100
200
4
データシート
D14860JJ3V0DS00
2SC1505
★
外½図（単½：mm
）
TO- 220AB （ MP -25 ）
3.0±0.3
10.6 MAX 。
10.0
4.8最大。
φ
3.6±0.2
5.9 MIN 。
1.3±0.2
4
1 2 3
6.0 MAX 。
1.3±0.2
12.7分钟。
15.5 MAX 。
0.75±0.1
2.54 TYP 。
0.5±0.2
2.54 TYP 。
2.8±0.2
1.ベース
2.コレクタ
3.エミッタ
4.フィン(コレクタ)
データシート
D14860JJ3V0DS00
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SC1505
描述
·采用TO- 220封装
·高集电极发射极电压
:
V
首席执行官
=300V
·高频：F
T
=40MHz(Min)
应用
·对于线上经营的彩电色度使用
输出电路和声音输出电路。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
=25
P
T
集电极耗散功率
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
15
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
300
300
7
0.2
1.2
W
单位
V
V
V
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 10μA ;我
E
=0
I
C
= 1毫安，我
B
=0
I
E
= 10μA ;我
C
=0
I
C
= 50毫安，我
B
=5mA
V
CB
=200V;I
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10毫安; V
CE
=10V
I
E
=0; V
CB
=50V;f=1MHz
I
C
= 10毫安; V
CE
=30V
50
40
民
300
300
7
2SC1505
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
典型值。
最大
单位
V
V
V
2.0
0.1
0.1
200
4.5
80
V
A
A
pF
兆赫
h
FE
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SC1505
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
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26-64-5070
2-284541-2
22-28-0033
26-32-1162
25-21/T1D-ANQHY/2A
216-290-25
227.2
2-1393810-9
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2SK1529_06
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    2SC1505
    -
    -
    -
    -
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NEC
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