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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第91页 > 2SK2329S
SMD型
硅N沟道MOSFET
2SK2329S
IC
MOSFET
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
+0.2
9.70
-0.2
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
2.5 V门极驱动器可以在3 V电源驱动
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
10
10
40
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=10mA,V
GS
=0
I
G
= 200 A，V
GS
=0
V
DS
=25V,V
GS
=0
V
GS
= 6.5V,V
DS
=0
0.4
10
18
0.03
0.04
1250
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
540
120
20
I
D
=5A,V
GS （ ON）
=4V,R
L
=2
145
225
125
0.04
0.06
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
30
10
100
10
1.4
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
V
GS （ OFF ）
V
DS
=10V,I
D
=1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
V
DS
=10V,I
D
=5A
V
GS
=4V,I
D
=5A
V
GS
=2.5V,I
D
=5A
3
.8
0
www.kexin.com.cn
1
2SK2329 （L） 2SK2329 （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
2.5 V门极驱动器可以在3 V电源驱动
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
概要
DPAK-2
4
4
1
1
D
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2
3
2 3
2SK2329 （L） 2SK2329 （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项1. PW
≤
10
s,
占空比
≤
1 %
2.价值在Tc = 25
°C
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
评级
30
±10
10
40
10
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
2
2SK2329 （L） 2SK2329 （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
栅源击穿
电压
门源漏电流
符号
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） GSS
I
GSS
民
30
±10
—
—
0.4
—
—
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
记
1.脉冲测试
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
—
0.03
0.04
18
1250
540
120
20
145
225
125
0.9
100
最大
—
—
±10
100
1.4
0.04
0.06
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
单位
V
V
A
A
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 10 A，V
GS
= 0
I
F
= 10 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 20 A /
s
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
I
G
=
±200 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±6.5
V, V
DS
= 0
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 4 V*
1
I
D
= 5 A
V
GS
= 2.5 V*
1
I
D
= 5 A
V
DS
= 10 V*
1
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
I
D
= 5 A
V
GS
= 4 V
R
L
= 2
零栅极电压漏极电流I
DSS
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
3
2SK2329 （L） 2SK2329 （S）
功率与温度降额
40
P沟（W）的
I
D
(A)
100
50
30
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0
50
100
150
TC （ ℃）
200
0.1
0.5
TA = 25℃
1
2
5
10 20
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
DC
最高安全工作区
10
10
PW
Op
e
s
s
散热通道
漏电流
20
操作
这个区域是
限于由R
DS （ ON）
s
0m
s(
RAT
1s
离子
(T
c=
=1
1m
0
25
ho
t)
°C
)
10
外壳温度
典型的输出特性
20
10 V
5V
4V
2.5 V
20
2V
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
(A)
12
I
D
漏电流
(A)
16
16
漏电流
12
TC = 75℃
25°C
4
–25°C
8
V
GS
= 1.5 V
8
4
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
4
2SK2329 （L） 2SK2329 （S）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
V
DS （ ON）
(V)
脉冲测试
0.8
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(
)
1.0
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
1
脉冲测试
0.5
0.2
0.1
V
GS
= 2.5 V
4V
漏源极电压
0.6
0.4
I
D
= 10 A
0.2
5A
2A
2
4
6
栅极至源极电压
8
V
GS
(V)
10
0.05
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5
1
2
0
5
10 20
50 100
漏电流
I
D
(A)
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(
)
正向转移导纳| YFS | （ S）
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
0.10
脉冲测试
0.08
I
D
= 2 A, 5 A, 10 A
50
正向转移导纳主场迎战
漏电流
20
10
TC = -25°C
25 °C
0.06
2.5 V
5
2
1
0.5
0.1
75 °C
0.04
2 A, 5 A, 10 A
V
GS
= 4 V
0.02
0
–40
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.3
1
3
10
30
100
0
40
80
120
160
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
5
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SK2329S
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
+0.2
9.70
-0.2
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位：mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
2.5 V门极驱动器可以在3 V电源驱动
适合于开关稳压器， DC-DC变换器
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
1门
2漏
3源
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
功耗
通道温度
储存温度
* PW
10秒，占空比1 ％
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
dp
*
P
D
T
ch
T
英镑
等级
30
10
10
40
20
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
漏源击穿电压
栅极至源极电压
排水截止电流
栅极漏电流
门源截止电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
V
DSS
V
GSS
I
DSS
I
GSS
Testconditons
I
D
=10mA,V
GS
=0
I
G
= 200 A，V
GS
=0
V
DS
=25V,V
GS
=0
V
GS
= 6.5V,V
DS
=0
0.4
10
18
0.03
0.04
1250
V
DS
=10V,V
GS
=0,f=1MHZ
540
120
20
I
D
=5A,V
GS （ ON）
=4V,R
L
=2
145
225
125
0.04
0.06
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
民
30
10
100
10
1.4
典型值
最大
单位
V
V
A
A
V
S
V
GS （ OFF ）
V
DS
=10V,I
D
=1mA
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
r
t
关闭
tf
V
DS
=10V,I
D
=5A
V
GS
=4V,I
D
=5A
V
GS
=2.5V,I
D
=5A
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
3
.8
0
4008-318-123
1 1
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24LC024TSN
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2N481
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202D107X0150A3
218-12LPST
2SC4197TI-TL-E
2-826661-8
24FC512T-I/SN
22-21SYGC/S530-XX/TR8
2SC1613AS
26-03-3071
2SK2742
227CKE025MGM
28C256TRT2FB-12
2N4126/E6
2N1157
252A503A40TA
2N2369AUB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    2SK2329S
    -
    -
    -
    -
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