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2N4126
威世半导体
原通用半导体
小信号晶体管( PNP )
TO- 226AA ( TO-92 )
0.181 (4.6)
分钟。 0.492 ( 12.5 ) 0.181 ( 4.6 )
0.142 (3.6)
特点
PNP硅外延晶体管的切换和
放大器应用。
特别适用于自动对焦驱动器和低功耗
输出级。
互补型, NPN晶体管
2N4124建议。
机械数据
案例:
TO- 92塑料包装
重量:
约。 0.18克
包装代码/选项:
E6 /散 - 每个集装箱5K , 20K /箱
E7 / 4K每个弹药倍率, 20K /箱
马克斯。
0.022 (0.55)
0.098 (2.5)
尺寸以英寸
(毫米)
底部
意见
最大额定值&热特性
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
= 25°C
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
符号
–V
首席执行官
–V
CBO
–V
EBO
–I
C
–I
CM
–I
B
P
合计
R
θJA
T
j
T
S
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
价值
25
25
4
200
800
50
625
(1)
200
(1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
° C / W
°C
°C
注意:
(1)有效的规定,导致在从情况下的距离为2mm的被保持在环境温度。
文档编号88116
07-May-02
www.vishay.com
1
2N4126
威世半导体
原通用半导体
电气特性
(T
参数
直流电流增益
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极饱和电压
基本饱和电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
增益带宽积
集电极 - 基极电容
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
h
FE
–I
CBO
–I
EBO
–V
CESAT
–V
BESAT
–V(
BR ) CEO
–V(
BR ) CBO
–V(
BR ) EBO
f
T
C
CBO
测试条件
V
CE
= -1 V,I
C
= -2.0毫安
V
CE
= -1 V,I
C
= -50毫安
V
CB
= –20 V
V
EB
= –3 V
I
C
= -50毫安,我
B
= -5毫安
I
C
= -50毫安,我
B
= -5毫安
I
C
= -1毫安
I
C
= –10
A
I
E
= –10
A
V
CE
= -5 V,I
C
= -10毫安
F = 50MHz的
V
CB
= -10 V , F = 1MHz的
120
25
25
4
典型值
60
200
12
最大
360
50
50
0.4
0.95
单位
nA
nA
V
V
V
V
V
兆赫
pF
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
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2
文档编号88116
07-May-02
2N4126
威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
文档编号88116
07-May-02
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3
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威世半导体
原通用半导体
收视率和
特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
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