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RoHS指令
2SC2786
NPN外延硅晶体管
前置放大器，低噪声LEVEL&LOW
*
补充S9015LT1
*
集电极电流： IC =百毫安
*
集电极 - 发射极电压：的Vce = 45V
*
高总功耗： PC =为225mW
*
高HFE和良好的线性
1.
在Ta = 25绝对最大额定值
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散TA = 25 *
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
P
D
Tj
TSTG
等级
50
45
5
100
225
150
-55-150
单位
2.9
1.9
0.95 0.95
V
V
V
mA
在Ta = 25电气特性
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
电压＃
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 基极截止电流
发射基截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
W
J
E
*
#
基射极电压上
输出电容
电流增益带宽积
噪声系数
E
C
E
L
击穿
R
T
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
的hFE
VCE （ SAT ）
VBE （ SAT ）
VBE （ON）的
COB
f
T
NF
民
50
45
O
典型值
N
50
50
0.3
mW
C
I
单位
V
V
V
nA
nA
C
IC = 1毫安
2.4
1.3
O
0.4
1.BASE
2.EMITTER
3.COLLECTOR
L
,
.
D
T
ü尼特： M M
最大
测试条件
IC = 100uA的IE = 0
Ib=0
5
IE = 100uA的IC = 0
VCB = 50V IE = 0
VEB = 5V， IC = 0
VCE = 5V， IC = 1毫安
60
300
1000
V
V
V
PF
兆赫
10
dB
IC = 100毫安IB = 5毫安
IC = 100毫安IB = 5毫安
VCE = 5V， IC = 2毫安
VCB = 10V IE = 0 F = 1MHz的
VCE = 5V， IC = 10毫安
VCE = 5V， IC = 0.2毫安
F = 1KHz的卢比= 2Kohm
1.00
0.58
0.63
2.2
150
270
o.7
3.5
器件总功耗： FR = 1
X
0.75
X
0.062in局，减免25 。
脉冲测试：脉冲宽度
300US ，占空比
2%
器件标识： 2SC2786 = L6 ， F1X
永而佳电子有限公司。
HTTP ： // www.wej.cn
电子信箱： wej@yongerjia.com
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