功率晶体管
2SA2140
PNP硅外延平面型
单位：mm
进行功率放大
电视VM电路
■
特点
正向电流传输比H良好的线性
FE
高转换频率（f
T
)
这可以用一个可安装在散热片的全包包
螺丝。
15.0
±0.5
9.9
±0.3
3.0
±0.5
4.6
±0.2
2.9
±0.2
φ
3.2
±0.1
13.7
±0.2
4.2
±0.2
浸焊
1.4
±0.2
1.6
±0.2
0.8
±0.1
2.6
±0.1
0.55
±0.15
■
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压（发射极开路）
集电极 - 发射极电压（基本开）
发射极 - 基极电压（集电极开路）
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
a
=
25°C
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
180
180
6
1.5
3
20
2.0
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
2.54
±0.30
5.08
±0.50
1
2
3
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TO- 220D -A1套餐
内部连接
C
B
E
■
电气特性
T
C
=
25°C
±
3°C
参数
集电极 - 发射极电压（基本开）
集电极 - 基极截止电流（发射极开路）
发射极 - 基极截止电流（集电极开路）
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
（共同的基础，输入开路）
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
t
on
t
英镑
t
f
条件
I
C
= 10
妈，我
B
=
0
V
CB
= 180
V，I
E
=
0
V
EB
= 6
V，I
C
=
0
V
CE
=
5
V，I
C
=
0.1 A
I
C
= 1
A，I
B
=
0.1 A
V
CE
= 10
V，I
C
=
0.2 A，F
=
10兆赫
V
CB
= 10
V，I
E
=
0, f
=
1兆赫
I
C
=
0.4 A ，电阻负载
I
B1
=
0.04 A，I
B2
=
0.04 A
V
CC
=
100 V
100
30
0.1
1.0
0.1
60
民
180
100
100
240
0.5
典型值
最大
单位
V
A
A
V
兆赫
pF
s
s
s
注） 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * ：等级分类
秩
h
FE
Q
60至140
P
120至240
出版日期： 2004年7月
SJD00316AED
1
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息
并在此材料中描述的半导体
（ 1）出口许可证需要从日本政府（如果有）的主管当局获得的
下"Foreign交易所在这种材料中描述和控制的产品或技术信息
外贸Law"是要出口或带出日本。
（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示有代表性的特点和
该产品的应用电路的例子。它既不保证不侵犯知识产权
或拥有本公司或第三方，也没有授予任何许可的任何其他权利。
（ 3 ）我们不为权利所因使用该技术的第三方拥有的侵权责任
在本材料中描述的信息。
（4）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或一般elec-
TRONIC设备（如办公设备，通讯设备，测量仪器及住户
持设备） 。
提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：
特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备， combus-
化设备，生命支持系统和安全装置），其中出色的质量和可靠性
必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或损害人类
体。
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
（ 5 ）在本材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不另行通知
修改和/或改进。在您的设计，采购，或者使用的产品的最后阶段，
因此，要求最先进的最新产品标准提前，以确保最新的规范
系统蒸发散满足您的要求。
（ 6 ）在设计你的装备，顺应保证值，尤其是最大额定的
荷兰国际集团，工作电源电压，以及热辐射特性的范围内。否则，我们不会
对于可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。
即使产品的保证值范围内使用，考虑到发病的代价
分解和破坏模式，可能发生对半导体产品。在这样的制度措施
作为冗余设计，阻止火灾或防止毛刺的蔓延，建议为了防止
物理损伤，火灾，社会的损害，例如，通过使用产品。
（7 ）在使用的量防潮包装是必需的产品，观察的条件（包括货架寿命
和时间量，让站在密封的物品）约定，当规格表被单独
交换。
（ 8 ）该材料可不能转载或复制全部或部分，未经事先书面
松下电器产业株式会社许可
2003年九月
C/
'J
, U
NC 。
电话： （ 973 ） 376-2922
20斯特恩AVE 。
SPRINGFIELD ，新泽西州07081
U.S.A.
(212)227-6005
传真： （ 973 ） 376-8960
硅PNP功率晶体管
2SA2140
描述
集电极 - 发射极击穿电压 -
:V
（ BR
)CEo=-180V(Min)
h的线性度好
FE
1
PPF
i
2
＆ LT ;
针
1.BASE
2.收集
3.辐射源
i
应用
专为功率放大和电视VM电路。
1 2 3
TO- 220F封装
. B
绝对最大额定值（T
a
=25°C)
F
t. -*
O' """ 'O
Q
*
-a-
H
:
,c -
*
! O
U
i
， " ：
V
__.'
O
符号
VCBO
VCEO
VEBO
Ic
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
集电极耗散功率
@T
a
=25"C
价值
-180
-180
-6
单位
V
-.
A
',
I
_
L 4 - 我：
I
' '''
I '
H
1
-R'-
K
V
V
-
-o
- N-
J --
mm
-1.5
-3
A
ICP
A
2
W
PC
集电极耗散功率
@T
C
=25
B
C
Tj
20
结温
储存温度
150
r
c
TSTG
-55-150
暗淡
民
A 14.95
B 10.00
C
4,40
D
0.75
3.10
F
3.70
H
J
0.50
K
13.4
1.10
L
N
5.00
q
2.70
R
2.20
2.65
S
6.40
U
最大
15.05
10.10
4.60
0.80
3.30
3.90
0.70
13.6
1.30
5.20
2.90
2.40
2.85
6.60
NJ半导体保留更改测试条件，参数限制和封装尺寸不正确
通知。提供的信息NJ半导体被认为是他既准确又可靠的在走的时候
按。然而， NJ半导体承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。
NJ半导体鼓励客户以验证数据表是在下订单之前电流。
质量半导体
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