【2SK1808硅N沟道MOS FETREJ03G0975-0200（上一个： ADE- 208-13】,IC型号2SK1808,2SK1808 PDF资料,2SK1808经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SK1808

硅N沟道MOS FET

REJ03G0975-0200

（上一个： ADE- 208-1322 ）

Rev.2.00

2005年9月7日

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合于开关稳压器， DC-DC变换器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003AD -A

（包名称： TO- 220FM ）

D

G

1.门

2.漏

3.源

1

2 3

S

Rev.2.00 2005年9月7日第1页6

2SK1808

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项： 1， PW

≤10 s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°

C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

I

DR

PCH

总胆固醇

*1

评级

900

±30

4

10

4

35

150

-55到+150

单位

V

A

W

°

C

*2

TSTG

°

C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿电压

栅源击穿电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体流失二极管正向电压

体漏二极管反向

恢复时间

注：1，脉冲测试

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

民

900

±30

—

2.0

—

1.7

—

典型值

—

3.0

2.7

740

305

150

15

60

100

80

0.9

800

最大

—

±10

250

3.0

4.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 720 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V*

I

D

= 2 A，V

DS

= 20 V*

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0,

F = 1 MHz的

I

D

= 2 A，V

GS

= 10 V,

R

L

= 15

3

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

I

F

= 4 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A / μs的

Rev.2.00 2005年9月7日第2 6

2SK1808

主要特点

功率与温度降额

60

100

30

最高安全工作区

通道耗散P沟（W）的

漏电流I

D

(A)

10

3

1

0.3

0.1

0.03

0.01

TA = 25°C

n是

蒂奥一（O

RA是

DS

R

pe

被O这

在资讯科技教育

LIM

)

40

10

s

10

0

PW

=

10

1

m

s

m

s

D

C

O

pe

ra

TIO

s

(1

)

ot

°

C

Sh

25

=

c

n

20

(T

0

50

100

150

1

3

10

30

100 300 1000 3000 10000

案例温度T

C

(°C)

漏极至源极电压V

DS

(V)

典型的输出特性

5

10 V

6V

脉冲测试

5V

5

典型的传输特性

V

DS

= 20 V

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

3

4

3

2

4.5 V

2

1

75°C

T

C

= 25°C

–25°C

4V

V

GS

= 3.5 V

1

0

10

20

30

40

50

0

2

4

6

8

10

漏极至源极电压V

DS

(V)

漏极至源极饱和电压

与门源电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

20

5A

16

12

脉冲测试

栅极至源极电压V

GS

(V)

静态漏源导通状态

电阻与漏极电流

50

脉冲测试

20

10

V

GS

= 10 V

5

15 V

2

1

0.5

0.2

8

2A

I

D

= 1 A

0

4

8

12

16

20

4

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

0.5

1

2

5

10

20

栅极至源极电压V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第3页6

2SK1808

静态漏源导通状态

电阻与温度

10

V

GS

= 10 V

脉冲测试

8

6

I

D

= 5 A

2A

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

()

正向转移导纳

与漏电流

正向转移导纳

y

fs

(S)

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.05

V

DS

= 20 V

脉冲测试

0.1

0.2

0.5

1

2

5

–25°C

TC = 25°C

75°C

4

1A

2

0

–40

0

40

80

120

160

案例温度T

C

(°C)

体漏二极管反向

恢复时间

反向恢复时间trr （ NS ）

5,000

的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃

V

GS

= 0

脉冲测试

10,000

漏电流I

D

(A)

典型的电容比。

漏源极电压

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

电容C （PF ）

2,000

1,000

500

1,000

西塞

科斯

100

CRSS

10

200

100

50

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

0

10

20

30

40

50

反向漏电流I

DR

(A)

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

漏极至源极电压V

DS

(V)

栅极至源极电压V

GS

(V)

1,000

V

DD

= 250 V

800

400 V

600 V

V

DS

V

GS

16

I

D

= 5 A

12

20

500

开关特性

V

GS

= 10 V V

DD

= 30 V

PW = 2

s,

值班< 1 ％

开关时间t（ NS ）

200

100

50

t

r

t

D（关闭）

t

f

600

400

600 V

400 V

V

DD

= 250 V

20

40

60

80

100

8

20

10

5

0.1

t

D（上）

200

4

0

0.2

0.5

1

2

5

10

栅极电荷Qg （ NC ）

漏电流I

D

(A)

Rev.2.00 2005年9月7日第4 6

2SK1808

反向漏电流 -

源极到漏极电压

10

反向漏电流I

DR

(A)

脉冲测试

8

6

4

2

5 V, 10 V

V

GS

= 0, –5 V

0.8

1.2

1.6

2.0

0

0.4

源极到漏极电压V

SD

(V)

归瞬态热阻抗

γ

S

(t)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

3

D=1

1.0

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

10

1次脉冲

100

1m

10 m

100 m

1

10

θch

- C （T ） =

γS （T ） θch

– c

θch

- C = 3.57 ° C / W。锝= 25°C

P

DM

T

PW

= T

TC = 25°C

脉冲宽度PW （S ）

开关时间测试电路

输入电压监视器

VOUT监控

D.U.T

R

L

50

V

DD

= 30 V

VIN

VOUT

10%

波形

90%

10%

90%

t

D（关闭）

10%

VIN

10 V

t

D（上）

t

r

t

f

Rev.2.00 2005年9月7日第5 6

2SK1808

硅N沟道MOS FET

应用

高速电源开关

特点

低导通电阻

高速开关

低驱动电流

无二次击穿

适合switchingregulator ， DC-DC转换

概要

TO-220FM

D

G

1

2 3

1.门

2.漏

3.源

S

2SK1808

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意事项1. PW

≤

10

s,

占空比

≤

1 %

2.价值在Tc = 25

°C

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

1

I

DR

PCH *

2

总胆固醇

TSTG

评级

900

±30

4

10

4

35

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

2

2SK1808

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

民

900

±30

—

2.0

—

1.7

—

典型值

—

3.0

2.7

740

305

150

15

60

100

80

0.9

800

最大

—

±10

250

3.0

4.0

—

单位

V

A

V

S

pF

ns

V

ns

I

F

= 4 A，V

GS

= 0

I

F

= 4 A，V

GS

= 0,

di

F

/ DT = 100 A /

s

测试条件

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0

I

G

=

±100 A,

V

DS

= 0

V

GS

=

±25

V, V

DS

= 0

V

DS

= 720 V, V

GS

= 0

I

D

= 1毫安， V

DS

= 10 V

I

D

= 2 A

V

GS

= 10 V*

1

I

D

= 2 A

V

DS

= 10 V*

1

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

I

D

= 2 A

V

GS

= 10 V

R

L

= 15

零栅极电压漏极电流I

DSS

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

身体向前漏二极管

电压

体漏二极管反向

恢复时间

记

1.脉冲测试

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DF

t

rr

见2SK1340特性曲线

3

2SK1808

功率与温度降额

60

通道耗散P沟（W）的

10

3

1

0.3

0.1

TA = 25°C

最高安全工作区

n)

n

io的一个是（O

t

岭重

S

P·E是Y

D

日B

在资讯科技教育

LIM

10

s

)

s

ot

0

°C

Sh

10

25

(1

=

s

c

m

(T

n

10

TIO

=

ra

pe

O

漏电流I

D

(A)

PW

1

m

40

s

C

D

20

0.03

0.01

0

50

100

150

1

3

10

30

100 300 1000

壳温度（ ° C）

漏极至源极电压V

DS

(V)

归瞬态热阻抗与脉冲宽度

归瞬态热阻抗

γ

秒（ t）的

3

D=1

1.0

0.5

0.3

0.2

0.1

0.05

0.02

0.03

0.01

10

1次脉冲

100

1m

10 m

脉冲宽度PW （S ）

100 m

1

10

θ

CH - C （ T） =

γ

秒（吨）。

θ

CH - C

θ

CH - C = 3.57 ° C / W。 TC = 25℃

PW

= T

P

DM

T

PW

TC = 25°C

4

10.0

±

0.3

7.0

±

0.3

φ

3.2

±

0.2

2.8

±

0.2

2.5

±

0.2

单位：mm

0.6

5.0

±

0.3

2.0

±

0.3

1.2

±

0.2

1.4

±

0.2

12.0

±

0.3

4.45

±

0.3

2.5

14.0

±

1.0

0.5

±

0.1

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-220FM

—

符合

1.8 g

0.7

±

0.1

2.54

±

0.5

2.54

±

0.5

17.0

±

0.3