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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1148
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SB863
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
参数
基极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
55
25
20
200
140
典型值。
2SD1148
最大
单位
V
2.0
1.5
5
5
160
V
V
μA
μA
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1148
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1148
描述
·采用TO- 3P ( I)包
·补键入2SB863
应用
·功率放大器应用
·推荐70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
基极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
输出电容
条件
I
C
= 50mA时我
B
=0
I
C
= 5A ;我
B
=0.5A
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
V
CB
= 140V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
C
= 5A ; V
CE
=5V
I
C
= 1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
= 10V ; F = 1MHz的
55
25
140
2SD1148
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
C
ob
典型值。
最大
单位
V
2.0
1.5
5
5
160
V
V
A
A
20
200
兆赫
pF
h
FE-1
分类
R
55-110
O
80-160
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1148
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
2SD1148
音频功率放大器
直流到直流转换器
NPN
平面硅晶体管
SC-65
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SB863
绝对最大额定值(T
A
=25℃)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(T
A
=25℃)
特征
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
测试条件
I
C
= 5毫安我
E
=0
I
C
= 10毫安
BE
=
I
E
= 5毫安我
C
=0
V
CB
= 100V我
E
=0
V
EB
= 4V我
C
=0
V
CE
= 5V I
C
=1A
V
CE
= 5V I
C
=5A
I
C
= 5A我
B
=0.5A
200
140
6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
0.1
0.1
160
2.0
V
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
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    2SD1148
    -
    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
2SD1148
HITACHI
21+
15360
TO-3P
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
2SD1148
TOSHIBA
22+
22620
TO-3P
原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
2SD1148
TOSHIBA
20+
88800
TO-3P
进口原装公司现货
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
2SD1148
TOSHIBA/东芝
24+
32883
TO-3P
公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
2SD1148
TOSHIBA/东芝
2443+
23000
TO-3P
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:075584505750
联系人:刘生
地址:龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301
2SD1148
TOSHIBA/东芝
22+
18260
TO-3P
原装代理现货,价格最优
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电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
2SD1148
TOSHIBA/东芝
22+
12245
TO-3P
现货,原厂原装假一罚十!
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电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
2SD1148
TOSHIBA/东芝
24+
32000
TO-3P
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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TOSHIBA
2024
885600
TO-3P
原装现货上海库存!专营进口元件
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电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
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TOS
23+
3980
TO-3P
火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
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