INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1148
描述
·带
TO-3P (Ⅰ)包
.Complement
键入2SB863
应用
“权力
扩增fi er应用
※推荐
为70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1148
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1148
描述
·采用TO- 3P ( I)包
·补键入2SB863
应用
·功率放大器应用
·推荐70W高保真音频
频放大器的输出级
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (Ⅰ) )和符号
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
140
140
5
10
1
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1148
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
2SD1148
音频功率放大器
直流到直流转换器
NPN
平面硅晶体管
SC-65
!
!
!
高电流能力
高功率耗散
补充2SB863
绝对最大额定值(T
A
=25℃)
℃
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
200
140
6
10
100
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
电气特性(T
A
=25℃)
℃
特征
集电极基极击穿电压
集电极发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
*直流电流增益
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE ( SAT )
测试条件
I
C
= 5毫安我
E
=0
I
C
= 10毫安
BE
=
∞
I
E
= 5毫安我
C
=0
V
CB
= 100V我
E
=0
V
EB
= 4V我
C
=0
V
CE
= 5V I
C
=1A
V
CE
= 5V I
C
=5A
I
C
= 5A我
B
=0.5A
民
200
140
6
典型值
最大
单位
V
V
V
mA
mA
55
50
0.1
0.1
160
2.0
V
永诚电脑配件有限公司, (香港)有限公司。
主页:
http://www.wingshing.com
联系电话: ( 852 ) 2341 9276传真: ( 852 ) 2797 8153
电子信箱: wsccltd@hkstar.com