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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
描述
·采用TO- 220F封装
·补键入2SB1366
·低集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= 1.0V （最大） ，在我
C
=2A,I
B
=0.2A
·集电极耗散功率：
P
C
=25W(T
C
=25 )
应用
·与一般用途的应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25
P
C
集电极耗散
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
60
7
3
0.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
=60V;I
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
民
60
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
2SD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
3.0
10
1.0
V
V
A
mA
3.0
35
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15A
0.65
1.30
0.65
s
s
s
h
FE
分类
O
60-120
Y
100-200
G
150-300
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2058
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1366
ULOW
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= 1.0V （最大） ，在我
C
=2A,I
B
=0.2A
-collector
功耗：
P
C
=25W(T
C
=25
℃
)
应用
·带
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
25
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
60
60
7
3
0.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
=60V;I
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
3.0
35
3.0
民
60
2SD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
V
V
10
1.0
μA
mA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 2.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15Ω
0.65
1.30
0.65
μs
μs
μs
h
FE
分类
O
60-120
Y
100-200
G
150-300
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2058
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
4
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
描述
·带
TO- 220F封装
.Complement
键入2SB1366
ULOW
集电极饱和电压：
V
CE （ SAT ）
= 1.0V （最大） ，在我
C
=2A,I
B
=0.2A
-collector
功耗：
P
C
=25W(T
C
=25
℃
)
应用
·带
通用应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
参数
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
ES
昂
CH
导½
半
Fig.1简化外形（ TO- 220F ）和符号
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
60
60
7
3
0.5
单位
V
V
V
A
A
发射极开路
开基
集电极开路
T
a
=25℃
P
C
集电极耗散
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
1.5
W
25
150
-55~150
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
（ BR ） CEO
V
CESAT
V
BE
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
OB
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
条件
I
C
= 50毫安，我
B
=0
I
C
= 2A ，我
B
=0.2A
I
C
=0.5A;V
CE
=5V
V
CB
=60V;I
E
=0
V
EB
= 7V ;我
C
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
f=1MHz;V
CB
=10V
60
3.0
35
3.0
民
60
2SD2058
典型值。
最大
单位
V
1.5
V
V
10
1.0
μA
mA
兆赫
pF
开关时间
t
on
t
s
t
f
电半
固
开启时间
贮存时间
下降时间
h
FE
分类
O
60-120
Y
100-200
IN
ES
昂
CH
G
150-300
导½
I
C
= 2.0A ;我
B1
=-I
B2
=0.2A
V
CC
= 30V ，R
L
=15Ω
ON
MIC
E
OR
DUT
0.65
1.30
0.65
μs
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD2058
固电
IN
ES
昂
CH
图2外形尺寸
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD2058
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
4
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2SC5551E
22-55-2481
295T324R103A12
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    2SD2058
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2019
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TO-220
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