2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器，DC-DC转换器和电动机驱动器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1315
2SK1316
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
8
32
8
60
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1315 V
（ BR ） DSS
2SK1316
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.55
0.60
7.5
1150
340
55
17
55
100
45
0.9
350
3.0
0.7
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 8 A，V
GS
= 0
I
F
= 8 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1315我
DSS
2SK1316
门源截止电压
静态漏源2SK1315
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1316
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
见2SK1159 ， 2SK1160特性曲线。
3
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
功率与温度降额
60
通道耗散P沟（W）的
40
20
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
4
我们所有的客户
关于文件中提到的名字，如日立的变化
电气与日立XX ，瑞萨科技公司
三菱电气公司和日立公司的半导体业务转移到瑞萨
科技公司4月1日2003年这些操作包括微机，逻辑，模拟
和分立器件和存储器芯片比DRAM （闪速存储器，静态存储器等）等
因此，虽然日立，日立制作所，日立半导体，和其他日立牌
名称被提到的文件中，这些名称实际上已全部被改变成瑞萨
科技公司感谢您的理解。除了我们的企业商标，标识和
企业声明，没有改变任何已对文档的内容，并且
这些变化不构成任何改动文件本身的内容。
瑞萨科技公司主页： http://www.renesas.com
瑞萨科技公司
客户服务部
2003年4月1日
注意事项
保持安全第一在你的电路设计！
1.瑞萨科技公司提出的最大的努力使半导体产品更好
和更可靠的，但总是有麻烦可能与它们发生的可能性。麻烦
半导体可能导致人身伤害，火灾或财产损失。
记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的
例如（i ）替代的布置，辅助电路，（ⅱ）使用不易燃的材料或措施
（三）预防对任何故障或事故。
对于这些材料的注意事项
1.这些材料的目的是作为一个参考，帮助我们的客户在瑞萨的选择
科技公司的产品最适合客户的应用;不传达任何
在任何知识产权或任何其他权利的许可，属于瑞萨科技
公司或第三方。
2.瑞萨科技公司不承担任何对任何损害概不负责，或侵权
第三方的权利，对原产于使用任何产品数据，图，表，程序，算法，或
这些材料所含的电路应用实例。
3.包含在这些资料，包括产品数据，图，表，程序和所有信息
算法代表了在发布这些材料的时间对产品的信息，并
受瑞萨科技公司，恕不另行通知更改由于产品改进或
其他原因。因此，建议客户联系瑞萨科技公司
或经授权的瑞萨科技产品分销商的最新产品信息
在购买之前，这里所列的产品。
这里描述的信息可能包含技术错误或印刷错误。
瑞萨科技公司不承担任何损失，责任或其他损失不承担责任
从这些不准确或错误上升。
另请注意发布的瑞萨科技公司通过各种信息
意味着，包括瑞萨科技半导体首页
（ http://www.renesas.com ） 。
4.当使用任何包含在这些资料，包括产品数据，图形或所有信息，
图表，程序和算法，请务必之前评估的所有信息作为一个整体系统
制作上的信息和产品的适用性作出最后决定。瑞萨科技
公司不承担任何损失，责任或其他损失所产生的任何责任
此处包含的信息。
5.瑞萨科技半导体产品不是设计或在设备制造中使用
或根据情况使用的系统中，人的生命是潜在的威胁。请联系
瑞萨科技公司或瑞萨科技公司授权的产品销售商
考虑到产品的本文中的任何特定的目的，例如装置或使用时
系统运输，车辆，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
6.瑞萨科技公司的事先书面批准，不得翻印或再现
全部或部分这些物料。
7.如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，它们必须是
日本政府根据许可证出口，不能导入到其他国家
超过批准的目的地。
任何转移或再出口违反出口管制法律和日本及/或规例
被禁止的目的国。
8.请与瑞萨科技公司对这些材料或产品的进一步详细信息
包含在其中。
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
硅N沟道MOS FET
ADE - 208-1267 （ Z）
1日。版
2001年3月
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器，DC-DC转换器和电动机驱动器
概要
LDPAK
4
4
1 2
1
D
G
2
3
3
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
2SK1315
2SK1316
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
散热通道
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在T
C
= 25°C
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
1
I
DR
PCH *
2
总胆固醇
TSTG
符号
V
DSS
评级
450
500
±30
8
32
8
60
150
-55到+150
V
A
A
A
W
°C
°C
单位
V
2
2SK1315 （L） （S） - ， 2SK1316 （L） （S）
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏极至源极
击穿电压
符号最小值
2SK1315 V
（ BR ） DSS
2SK1316
V
（ BR ） GSS
I
GSS
450
500
±30
—
—
—
—
—
—
±10
250
V
A
A
I
G
=
±100 A,
V
DS
= 0
V
GS
=
±25
V, V
DS
= 0
V
DS
= 360 V, V
GS
= 0
V
DS
= 400 V, V
GS
= 0
V
GS （ OFF ）
2.0
—
—
| YFS |
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
0.55
0.60
7.5
1150
340
55
17
55
100
45
0.9
350
3.0
0.7
0.8
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
ns
I
F
= 8 A，V
GS
= 0
I
F
= 8 A，V
GS
= 0,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V,
R
L
= 7.5
I
D
= 4 A，V
DS
= 10 V *
1
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0,
F = 1 MHz的
V
I
D
= 1毫安， V
DS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
GS
= 10 V *
1
典型值
—
最大
—
单位
V
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
栅源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压
漏电流
2SK1315我
DSS
2SK1316
门源截止电压
静态漏源2SK1315
DS （ ON）
导通状态电阻
2SK1316
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
身体向前漏二极管
电压
体漏二极管反向
恢复时间
注意：
1.脉冲测试
见2SK1159 ， 2SK1160特性曲线。
3
2SK1316 （L） 2SK1316 （S）
硅N沟道MOS FET
REJ03G0928-0200
（上一个： ADE- 208-1267 ）
Rev.2.00
2005年9月7日
应用
高速电源开关
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
无二次击穿
适合于开关稳压器，DC-DC转换器和电动机驱动器
概要
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -A
（包名称： LDPAK （ L） ）
4
4
G
1.门
2.漏
3.源
4.漏
S
瑞萨封装代码： PRSS0004AE -B
（包名称： LDPAK （ S） - （ 1 ） ）
D
1
1
2
3
2
3
Rev.2.00 2005年9月7日第1页7
2SK1316 （L） 2SK1316 （S）
静态漏源导通状态
电阻与温度
2.0
V
GS
= 10 V
脉冲测试
1.6
I
D
= 10 A
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
()
正向转移导纳
与漏电流
正向转移导纳
y
fs
(S)
50
V
DS
= 20 V
脉冲测试
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
20
10
5
1.2
0.8
2, 5 A
0.4
2
1.0
0.5
0.1
0
–40
0
40
80
120
160
0.2
0.5
1.0
2
5
10
案例温度T
C
(°C)
体漏二极管反向
恢复时间
反向恢复时间trr （ NS ）
5,000
2,000
1,000
500
200
100
的di / dt = 100 A / μs的，TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
10,000
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
电容C （PF ）
西塞
1,000
科斯
100
CRSS
50
0.2
10
0.5
1.0
2
5
10
20
0
10
20
30
40
50
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
500
开关特性
20
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
开关时间t（ NS ）
400
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
DS
V
GS
16
V
GS
= 10 V, V
DD
= 30 V
PW = 2
s,
值班< 1 ％
200
t
D（关闭）
100
50
t
r
20
10
5
0.2
t
f
t
D（上）
300
12
200
V
DD
= 400 V
250 V
100 V
20
40
60
8
100
I
D
= 8 A
4
0
0
80
100
0.5
1.0
2
5
10
20
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
Rev.2.00 2005年9月7日第4 7
QQ：2880707522 复制
