【2SC2309NPN硅外延应用低频放大器概要TO-92 （1）1.发射器2.收集3. BASE321】,IC型号2SC2309,2SC2309 PDF资料,2SC2309经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SC2309

NPN硅外延

应用

低频放大器

概要

TO-92 （1）

1.发射器

2.收集

3. BASE

2SC2309

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

100

200

150

-55到+150

单位

°C

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿

电压

符号

（ BR ） CBO

民

—

250

—

典型值

—

230

1.8

最大

—

0.5

1200

0.75

0.2

—

3.5

兆赫

单位

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

= 0

= 18 V，I

= 0

= 2 V，I

= 0

= 12 V，I

= 2毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

集电极到发射极击穿V

（ BR ） CEO

电压

发射器基极击穿

电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和

电压

增益带宽积

集电极输出电容

注意：

250至500

400至800

600至1200

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

1. 2SC2309用h分组

如下。

见2SC1345的特性曲线。

2SC2309

最大集电极耗散曲线

集电极耗散功率P

（ mW）的

250

200

150

100

环境温度Ta （C ）

150

单位：mm

4.8

0.3

3.8

0.3

2.3最大

0.5

0.1

0.7

0.60 MAX

12.7分

5.0

0.2

0.5

1.27

2.54

日立代码

JEDEC

EIAJ

重量（参考值）

TO-92 （1）

符合

0.25 g

注意事项

1.日立公司并不保证或日立或任何权利，任何第三方的专利授权许可，

本文档中包含的信息，版权，商标或其他知识产权。

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收到最终的设计，购买或使用前的最新产品标准或规范。

3.日立一切努力，以确保其产品的高品质和可靠性。不过，

使用该产品，要求特别高的应用程序之前，请联系日立的销售办事处

质量和可靠性或者它的失效或故障可能直接威胁人的生命或造成危险

人身伤害，如航天，航空，核电，燃烧控制，运输，

交通，安全设备，或用于生命支持医疗器械。

4.设计你的应用程序，使产品由日立公司保证范围内使用特别

对于最大额定值，工作电源电压范围，热辐射等特性，安装

条件和其他特征。日立负有故障或损坏不承担任何责任使用时

超越了保障范围。即使在保障范围内，考虑通常预期

失败率或半导体器件的失效模式，并采用系统性的措施，如故障 -

保险柜，使结合日立产品的设备不会造成人身伤害，火灾或其它

间接损失是由于日立产品的操作。

5，本产品不设计成抗辐射。

6.没有一种是允许复制或重复的，任何形式的，该文献的全部或部分，而不

书面批准日立。

7.联系方式日立的销售办事处对本文档或Hitachi半导体任何问题

产品。

株式会社日立制作所

半导体&集成电路。

立邦大厦， 2-6-2 ， Ohte酒店町，千代田区，东京100-0004 ，日本

联系电话：东京（ 03 ） 3270-2111传真：（ 03 ） 3270-5109

网址

北美洲

： HTTP ： semiconductor.hitachi.com/

欧洲

： http://www.hitachi-eu.com/hel/ecg

亚洲（新加坡）

： http://www.has.hitachi.com.sg/grp3/sicd/index.htm

亚洲（台湾）

： http://www.hitachi.com.tw/E/Product/SICD_Frame.htm

亚洲（香港）： http://www.hitachi.com.hk/eng/bo/grp3/index.htm

日本

： http://www.hitachi.co.jp/Sicd/indx.htm

欲了解更多信息，写信至：

日立半导体

（美国）有限公司

179东塔斯曼驱动器，

圣何塞， CA 95134

联系电话： <1> （ 408 ） 433-1990

传真： <1> （ 408 ） 433-0223

日立欧洲公司

电子元件组

Dornacher大街3

D- 85622克恩，慕尼黑

德国

联系电话： <49> （ 89 ） 9 9180-0

传真： <49> （ 89 ） 9 29 30 00

日立欧洲公司

电子元件组。

Whitebrook公园

较低的Cookham路

梅登黑德

伯克希尔SL6 8YA ，英国

联系电话： <44> （ 1628 ） 585000

传真： <44> （ 1628 ） 778322

日立（亚洲）。有限公司

16哥烈码头20-00 ＃

日立塔

新加坡049318

联系电话： 535-2100

传真： 535-1533

日立亚洲有限公司

台北分公司

3F ，洪郭建设。 167号，

敦华北路，台北（ 105 ）

联系电话： <886> （ 2 ） 2718-3666

传真： <886> （ 2 ） 2718-8180

日立亚洲（香港）有限公司

第三组（电子元器件）

7 / F。，北塔，世界金融中心，

海港城，广东道，尖沙咀，

香港九龙

联系电话： <852> （ 2 ） 735 9218

传真： <852> （ 2 ） 730 0281

电传： 40815国际展贸中心HX

2SC2309

NPN硅外延

REJ03G0696-0200

（上ADE- 208-1061 ）

Rev.2.00

Aug.10.2005

应用

低频放大器

概要

瑞萨封装代码： PRSS0003DA -A

（包名称： TO- 92 （ 1 ））

1.发射器

2.收集

3. BASE

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

TSTG

评级

100

200

150

-55到+150

单位

°C

Rev.2.00 2005年8月10日第1页6

2SC2309

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

集电极基极击穿电压

集电极到发射极击穿电压

发射极基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

基地发射极电压

集电极到发射极饱和电压

增益带宽积

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

COB

民

—

250

—

典型值

—

230

1.8

最大

—

0.5

500

0.75

0.2

—

3.5

单位

兆赫

测试条件

= 10

= 0

= 1毫安，R

∞

= 10

= 0

= 18 V，I

= 0

= 2 V，I

= 0

= 12 V，I

= 2毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 12 V，I

= 2毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

Rev.2.00 2005年8月10日第2页6

2SC2309

主要特点

最大集电极耗散曲线

典型的输出特性

= 0

集电极耗散功率P

（ mW）的

250

集电极电流I

（MA ）

200

150

100

150

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

直流电流传输比主场迎战

集电极电流

700

典型的传输特性

直流电流传输比H

600

集电极电流I

（MA ）

= 12 V

500

400

300

200

0.01 0.02 0.05 0.1 0.2

0.5 1.0 2

10 20

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

集电极电流I

（MA ）

基地发射极电压与环境

温度

基极至发射极电压V

(V)

集电极输出电容与

集电极 - 基极电压

集电极输出电容C

（PF ）

0.9

= 0

F = 1 MHz的

基极至发射极电压V

(V)

0.8

= 12 V

= 2毫安

0.7

0.6

0.5

0.4

-20

环境温度Ta （C ）

集电极基极电压V

(V)

Rev.2.00 2005年8月10日第3页6

2SC2309

发射器的输入电容与

发射器基极电压

发射器的输入电容C

（PF ）

信号源电阻R

(k)

= 0

F = 1 MHz的

100

恒噪声等高线图

D B

6分贝

2 d

1.0

0.3

0.1

0.001 0.003 0.01

= 6 V

F = 10赫兹

0.03

0.1

0.3

1.0

3.0

发射器基极电压V

(V)

集电极电流I

（MA ）

恒噪声等高线图

信号源电阻R

(k)

信号源电阻R

(k)

100

恒噪声等高线图

100

= 6 V

F = 1千赫

= 6 V

F = 120赫兹

1.0

0.3

1.0

0.3

0.1

0.001 0.003 0.01

0.03

0.1

0.3

1.0

3.0

0.1

0.001 0.003 0.01

0.03

0.1

0.3

1.0

3.0

集电极电流I

（MA ）

集电极电流I

（MA ）

噪声系数与集电极

发射极电压

噪声系数与频率的关系

100

200

500

= 6 V

- 0.1毫安

= 10 k

噪声系数NF （ dB）的

- 0.1毫安

F = 10赫兹

= 10 k

频率f（赫兹）

集电极到发射极电压V

(V)

Rev.2.00 2005年8月10日第4 6

2SC2309

噪声系数与集电极

发射极电压

- 0.1毫安

F = 120赫兹

= 10 k

- 0.1毫安

F = 1千赫

= 10 k

噪声系数与集电极

发射极电压

噪声系数NF （ dB）的

集电极到发射极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

Rev.2.00 2005年8月10日第5 6