【晶体管2SD0874 ， 2SD0874A（ 2SD874 ， 2SD874A ）NPN硅外延平面型】,IC型号2SD0874Q,2SD0874Q PDF资料,2SD0874Q经销商,ic,电子元器件-51电子网

晶体管

2SD0874 ， 2SD0874A

（ 2SD874 ， 2SD874A ）

NPN硅外延平面型

对于低频功率放大

补充2SB0766 （ 2SB766 ）和2SB0766A （ 2SB766A ）

单位：mm

特点

0.4max.

45°

绝对最大额定值

参数

集电极

基极电压

集电极

2SD0874

2SD0874A

2SD0874

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

(Ta=25C)

评级

1.5

150

–55 ~ +150

单位

1.0

–0.2

+0.1

0.4±0.08

0.5±0.08

1.5±0.1

3.0±0.15

4.0

–0.20

0.4±0.04

发射极电压2SD0874A

发射器基极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

记号

1 ：基本

2 ：收藏家

3 ：发射器

EIAJ ：SC- 62

迷你功率型封装

印刷电路板：为1cm铜箔区

以上，板

厚度1.7毫米的集电极部

标记符号：

(2SD0874)

(2SD0874A)

电气特性

参数

收藏家Cuto FF电流

收藏家基地

电压

集电极到发射极

电压

2SD0874

2SD0874A

2SD0874

2SD0874A

(Ta=25C)

符号

CBO

首席执行官

EBO

FE1*1

FE2

CE （ SAT ）

BE （ SAT ）

条件

= 20V ，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 2毫安，我

= 0

= 10μA ，我

= 0

= 10V ，我

= 500毫安

= 5V ，我

= 1A

= 500毫安，我

= 50毫安

= 500毫安，我

= 50毫安

= 10V ，我

= -50mA ， F = 200MHz的

= 10V ，我

= 0中，f = 1MHz的

民

典型值

最大

0.1

单位

0.2

0.85

200

0.4

1.2

160

340

发射器基极电压

正向电流传输比

集电极到发射极饱和电压

基地发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

FE1

兆赫

等级分类

秩

FE1

85 ~ 170

2SD0874

2SD0874A

120 ~ 240

170 ~ 340

脉冲测量

记号

符号

注）括号中显示零件编号

传统的零件编号。

2.5±0.1

大集电极耗散功率P

低集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

小功率型封装，设备的小型化使

并通过带包装和maga-自动插入

杂志包装。

4.5±0.1

1.6±0.2

1.5±0.1

2.6±0.1

+0.25

晶体管

- TA

1.4

2SD0874 ， 2SD0874A

— V

集电极到发射极饱和电压V

CE （ SAT ）

(V)

1.50

Ta=25C

1.25

=10mA

9mA

1.00

8mA

7mA

6mA

0.75

5mA

4mA

0.50

3mA

2mA

0.25

1mA

0.3

0.1

0.03

0.01

0.003

0.001

0.01 0.03

Ta=75C

25C

–25C

CE （ SAT ）

— I

=10

集电极耗散功率P

(W)

1.2

印刷circut板：铜

为1cm箔领域

或更多，并且

的1.7毫米板厚度

对于集电部。

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

80 100 120 140 160

集电极电流I

(A)

0.1

0.3

环境温度Ta （C ）

集电极到发射极电压V

(V)

集电极电流I

(A)

BE （ SAT ）

— I

100

— I

=10

600

=10

200

=10V

Ta=25C

— I

基地发射极饱和电压V

BE （ SAT ）

(V)

500

过渡频率f

（兆赫）

25C

0.3

0.1

0.03

0.01

0.01 0.03

Ta=–25C

75C

正向电流传输比H

160

400

120

300

Ta=75C

200

25C

100

–25C

0.1

0.3

0.01 0.03

0.1

0.3

–1

–3

–10

–30

–100

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

发射极电流I

（MA ）

— V

f=1MHz

Ta=25C

安全操作区（ ASO ）

单脉冲

=25C

集电极输出电容C

（PF ）

集电极电流I

(A)

t=1s

0.3

0.1

2SD0874A

0.03

100

0.01

0.1

0.3

2SD0874

100

集电极基极电压V

(V)

集电极到发射极电压V

(V)

请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息

并在此材料中描述的半导体

（ 1）出口许可证需要从日本Govern-主管部门获得的

换货如果有下这种材料描述和控制的产品或技术

＆ QUOT ;外汇及外国贸易法＆ QUOT ;要导出或带出日本。

（ 2 ）在本材料中描述的技术信息仅限于展示代表character-

istics和产品的应用电路示例。它不构成产业的值得

物业，给予相对权利，或者给予任何许可。

（3）在此材料中描述的产品旨在被用于标准的应用程序或gen-

ERAL电子设备（如办公设备，通讯设备，测量IN-

struments和家用电器）。

提前为下列应用程序的信息，请咨询我们的销售人员：

特殊应用（例如用于飞机，航天，汽车，交通控制设备，

燃烧设备，生命支持系统和安全装置），其中卓越的品质和

可靠性是必需的，或者如果产品的失效或故障可能直接危及生命或

对人体的危害。

任何应用程序比预期的标准应用程序等。

（ 4 ）在这种材料中描述的产品和产品规格如有变更，恕不

通知进行修改和/或改进的原因。在设计的最后阶段，采购

荷兰国际集团，或使用的产品，因此，事先要求的最先进的最新产品标准

确保最新的技术规格满足您的要求。

（ 5 ）在设计你的装备，符合保障的价值，特别是对马克西 -

妈妈等级，操作电源电压和热辐射特性的范围内。其它 -

明智的，我们不会为可能在你的设备后出现的任何缺陷承担责任。

即使产品的保证值范围内使用，多余的设计建议，

所以，这样的设备可能没有违反，因为功能的有关法律，法规我们

产品。

（ 6 ）使用了该干的包装要求的产品，观察条件（包括保质期

及后拆包待机时间）约定，当规格表被单独更换。

（ 7 ）本资料的任何部分，未经书面许可，不得转载或复制任何手段

从我们公司。

使用数据表之前，请仔细阅读下面的注意事项

A.这些材料的目的是作为参考，以帮助客户松下的选择

半导体产品最适合他们的应用程序。

由于变形或其他原因，本资料中的任何信息，如可用的

产品类型，技术参数等，如有更改，恕不另行通知。

建议客户联系我们的半导体销售办事处，并获得最新信息

在开始之前，精确的技术研究和/或采购活动。

B.松下正在努力不断改进这些材料的质量和可靠性，但

总是有进一步的纠正将被要求在未来的可能性。因此，

松下将不承担任何错误等，可能AP-而引起的任何损失承担任何责任

梨在这种材料。

C.这些材料仅适用于客户的个人使用。

因此，如果没有松下的事先书面同意，任何其他用途，如再现，

销售或分发该材料给第三方，通过互联网或以任何其他方式，是禁止的。

2001年MAR