【2SJ402东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型（长-π - MOSV ）22SJ402DC-DC转换】,IC型号2SJ402,2SJ402 PDF资料,2SJ402经销商,ic,电子元器件-51电子网

2SJ402

东芝场效应晶体管

硅P沟道MOS类型（长

-π - MOSV ）

2

2SJ402

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

4 -V栅极驱动

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

低漏电流

增强型

: R

DS （ ON）

= 29毫欧（典型值）。

: |Y

fs

| = 23 S（典型值）。

单位：mm

: I

DSS

=

100 μA

（最大值）（Ⅴ

DS

=

60

V)

: V

th

=

0.8

to

2.0

V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1

毫安）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

60

±20

30

120

100

936

30

10

150

55~150

单位

V

A

W

mJ

A

mJ

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复avalenche能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压，

等）的绝对最大额定值。请设计

经审查东芝半导体适当的可靠性

可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和

方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

1.25

83.3

单位

C / W

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S2B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

DD

=

50

V，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 747

μH,

R

G

= 25

,

I

AR

=

30

A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道

温度

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

重量：1.5克（典型值）。

1

2009-09-29

2SJ402

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈ 48

V, V

GS

=

10

V，I

D

=

30

A

V

DS

=

10

V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

60

V, V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

GS

=

4

V，I

D

=

15

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

15

A

V

DS

=

10

V，I

D

=

15

A

民

—

60

0.8

—

14

—

典型值。

—

46

29

23

3300

460

1450

20

最大

±10

100

—

2.0

60

38

—

pF

单位

μA

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

—

25

—

ns

—

35

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

130

110

75

35

—

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

QRR

测试条件

—

I

DR

=

30

A，V

GS

= 0 V

I

DR

=

30

A，V

GS

= 0 V

dl

DR

/ DT = 50 A /

μS

民

—

典型值。

—

100

0.16

最大

30

120

1.7

—

单位

A

V

ns

μC

记号

注4 ：根据地段第一个行标识产品的说明

标签。

没有下划线： [铅] /包括> MCV

下划线： [ [G ] /符合RoHS标准或[ G] ] / RoHS指令[铅]

产品型号（或缩写代码）

LOT号

注4

J402

请联系您的东芝销售代表了解详细信息，以

环境问题，如产品的RoHS指令的兼容性。

RoHS指令的指令欧洲议会的2002/95 / EC

与2003年1月27日，安理会对使用的限制

某些有害物质的电器和电子设备。

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2SJ402

3

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2SJ402

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2SJ402

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2SJ402

东芝场效应晶体管

硅P沟道MOS类型（长

-π - MOSV ）

2

2SJ402

DC-DC转换器，继电器驱动器和电机驱动器

应用

4 -V栅极驱动

低漏源导通电阻

高正向转移导纳

增强型

: R

DS （ ON）

= 29毫欧（典型值）。

: |Y

fs

| = 23 S（典型值）。

单位：mm

低漏电流：I

DSS

=

100 μA

（最大值）（Ⅴ

DS

=

60

V)

: V

th

=

0.8~2.0

V (V

DS

=

10

V，I

D

=

1

毫安）

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏极 - 栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流

DC

（注1 ）

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

E

AS

I

AR

E

AR

T

ch

T

英镑

等级

60

±20

30

120

100

936

30

10

150

55~150

单位

V

A

W

mJ

A

mJ

°C

脉冲（注1 ）

漏极功耗（ TC = 25 ° C）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

雪崩电流

重复avalenche能量（注3 ）

通道温度

存储温度范围

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S1B

重量：1.5克（典型值）。

注意：

在重负载下连续使用（高如应用程序

温度/电流/电压和温度的显著变化，

等）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至

如果操作条件（即工作温度/电流/电压，

等）的绝对最大额定值。请设计

经审查东芝半导体适当的可靠性

可靠性手册（ “注意事项” /降级的概念和

方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验报告，

估计的故障率，等）。

热特性

特征

耐热性，信道到外壳

耐热性，信道至

环境

符号

R

TH（ CH-C ）

R

第（章-a）的

最大

1.25

83.3

单位

C / W

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-10S2B

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ： V

DD

=

50

V，T

ch

= 25 ° C（初始）， L = 747

μH,

R

G

= 25

,

I

AR

=

30

A

注3 ：重复评价：脉冲宽度有限的最大通道

温度

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

重量：1.5克（典型值）。

1

2006-11-16

2SJ402

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

漏截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈ 48

V, V

GS

=

10

V，I

D

=

30

A

V

DS

=

10

V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

=

60

V, V

GS

= 0 V

I

D

=

10

毫安，V

GS

= 0 V

V

DS

=

10

V，I

D

=

1

mA

V

GS

=

4

V，I

D

=

15

A

V

GS

=

10

V，I

D

=

15

A

V

DS

=

10

V，I

D

=

15

A

民

—

60

0.8

—

14

—

典型值。

—

46

29

23

3300

460

1450

20

最大

±10

100

—

2.0

60

38

—

pF

单位

μA

V

m

S

开启时间

开关时间

下降时间

—

25

—

ns

—

35

—

关断时间

总栅极电荷（栅源

加栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

—

130

110

75

35

—

nC

源极 - 漏极额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

（注1 ）

脉冲漏极电流反向

（注1 ）

正向电压（二极管）

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

QRR

测试条件

—

I

DR

=

30

A，V

GS

= 0 V

I

DR

=

30

A，V

GS

= 0 V

dl

DR

/ DT = 50 A /

μS

民

—

典型值。

—

100

0.16

最大

30

120

1.7

—

单位

A

V

ns

μC

记号

J402

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

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