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2SC6061

东芝三极管

硅NPN外延型

2SC6061

高速开关应用

DC- DC转换器应用

·高-DC

电流增益：H

= 120 300 （我

= 0.1 A)

0.95 0.95

2.9±0.2

1.9±0.2

单位：mm

+0.2

2.8-0.3

+0.2

1.6-0.1

·低集电极 - 发射极

饱和度： V

CE （SAT）

= 0.14 V（最大值）

- 高速

开关：吨

= 0.2

μs

（典型值）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（注1 ）

基极电流

集电极电源

耗散（注2 ）

结温

存储温度范围

T = 10秒

脉冲

符号

CBO

CEX

首席执行官

EBO

英镑

等级

180

150

120

1.0

2.0

0.1

1000

625

150

单位

°C

0.7±0.05

1.基地

2.辐射源

3.收集

JEDEC

JEITA

东芝

0½0.1

―

2-3S1A

重量： 0.01克（典型值）。

注1 ：确保通道温度不超过150 ℃。

注2 ：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6mm ，铜面积： 645毫米）

注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

2006-11-13

0.16±0.05

0.15

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

0.4±0.1

2SC6061

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

符号

CBO

EBO

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

FE （1）

直流电流增益

FE （2）

FE （3）

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

上升时间

开关时间

贮存时间

下降时间

CE （SAT）

BE （SAT）

英镑

测试条件

= 180 V，I

= 0

= 7 V，I

= 0

= 1毫安，我

= 0

= 10 mA时，我

= 0

= 2 V，I

= 1毫安

= 2 V，I

= 0.1 A

= 2 V，I

= 0.3 A

= 0.3 A，I

= 0.01 A

= 0.3 A，I

= 0.01 A

参见图3电路原理图

≒72

V ，R

= I

10毫安

民

―

180

120

100

120

―

典型值。

―

0.1

1.5

0.2

最大

100

―

300

―

0.14

1.1

―

μs

单位

图3开关时间测试电路&时序图

μs

占空比

＆ LT ;

产量

输入

记号

产品型号（或缩写代码）

W N

批号（年）

点：偶数年

没有点：奇数年

很多代码（月）

2006-11-13

2SC6061

– V

共发射极

TA = 25

℃

单一非重复脉冲

(A)

集电极电流I

0.6

集电极电流I

(A)

0.8

0.6

0.4

TA = 100 C

0.2

IB=1mA

共发射极

TA = 25

℃

单一非重复脉冲

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

集电极 - 发射极电压V

(V)

基极 - 发射极电压V

(V)

– I

1000

CE （SAT）

– I

集电极发射极饱和电压

CE （SAT）

(V)

共发射极

= 30

单一非重复脉冲

TA = 100 C

直流电流增益

100

0.1

TA = 100 C

0.001

共发射极

VCE = 2 V

单一非重复脉冲

0.01

0.1

0.01

0.001

0.01

0.1

集电极电流I

(A)

集电极电流I

(A)

BE （SAT）

– I

基地发射极饱和电压

BE （SAT）

(V)

共发射极

= 30

单一非重复脉冲

TA = 55°C

100

0.1

0.001

0.01

0.1

集电极电流I

(A)

2006-11-13

2SC6061

– t

1000

瞬态热阻

（ ° C / W）

100

0.001

曲线仅适用于有限的区域

热阻。

单一非重复脉冲的Ta

25°C

安装在FR4电路板（环氧玻璃;

1.6mm厚;铜区， 645毫米

)

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度

(s)

安全工作区

IC MAX（パルス） *

集成电路最大值（脉冲） *

10 ms

μs※

100毫秒

IC最大

IC MAX（连続）

（连续）

直流動½*

手术

TA = 25℃

*单

非重复脉冲

25°C

注意，曲线100

毫秒， 10秒和DC操作

会有所不同，当

设备不是安装在一

0.01

FR4板（玻璃 - 环氧树脂， 1.6

毫米厚，铜面积： 645毫米

单设备操作

100毫秒※ *

这些特性曲线

必须降额使用线性

温度上升。

0.001

0.1

μs

集电极电流I

(A)

1毫秒

0.1

10 s※*

最大VCEO

100

1000

集电极发射极电压

(V)

2006-11-13

2SC6061

限制产品使用

此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。

20070701-EN

东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体

在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理

压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准

安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效

如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。

在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用

阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，

设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性

手册“等。

本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用

（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，

等），这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法

非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或

人身伤害（ “意外用法” ）。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或

太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，

医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他

文件应在客户自己的风险进行。

本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中

制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。

此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有

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可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利

东芝或第三方。

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如发生不遵守适用的法律和法规的结果。

2006-11-13