技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 620-2600 /传真： （ 978 ） 689-0803
网址：http ： //www.microsemi.com
P沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
器件
水平
2N6849
2N6849U
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
符号
V
DS
V
GS
价值
-100
± 20
-6.5
-4.1
25
(1)
0.3
(2)
-55到+150
单位
VDC
VDC
ADC
ADC
W
Ω
°C
2N6849
TO-205AF
（以前的TO- 39）
见图1
单位
VDC
-4.0
绝对最大额定值（T
C
= + 25 ° C除非另有说明）
参数/测试条件
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
连续漏电流
T
C
= +25°C
连续漏电流
T
C
= +100°C
马克斯。功耗
漏极至源极导通电阻
工作&储存温度
注意：
（ 1 ） 0.2 W / ℃，对于T线性下降
C
> + 25°C
(2) V
GS
= -10VDC ，我
D
= -4.1A
电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
参数/测试条件
漏源击穿电压
V
GS
= 0V时，我
D
= -1mAdc
栅源电压（阈值）
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= -0.25mA
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= -0.25mA ，T
j
= +125°C
V
DS
≥
V
GS
, I
D
= -0.25mA ，T
j
= -55°C
栅电流
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0V ，T
j
= +125°C
漏电流
V
GS
= 0V, V
DS
= -80V
V
GS
= 0V, V
DS
= -80V ，T
j
= +125°C
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.1A脉冲
V
GS
= -10V ，我
D
= -6.5A脉冲
T
j
= -125°C
V
GS
= -10V ，我
D
= -4.1A脉冲
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
D
= -6.5A脉冲
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS(th)1
V
GS(th)2
V
GS(th)3
I
GSS1
I
GSS2
I
DSS1
I
DSS2
r
DS(on)1
r
DS(on)2
r
DS(on)3
V
SD
分钟。
-100
-2.0
-1.0
-5.0
马克斯。
I
D1
I
D2
P
tl
R
DS （ ON）
T
op
, T
英镑
VDC
±100
±200
-25
-0.25
0.3
0.32
0.54
-4.3
NADC
μAdc
MADC
Ω
Ω
Ω
VDC
2N3849U
18引脚LCC
见图2
T4 - LDS -0009版本2 （ 091456 ）
第1页4
技术数据表
6湖街，劳伦斯，MA 01841
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P沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
动态特性
参数/测试条件
栅极电荷：
导通状态的栅极电荷
门源费
栅漏电荷
开关特性
参数/测试条件
开关时间测试：
导通延迟时间
冲洗时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的反向恢复时间
I
D
= -6.5A ，V
GS
= -10VDC ，
门极驱动电阻= 7.5Ω ，
V
DD
= -40Vdc
的di / dt
≤
-100A / μs的，V
DD
≤
-50V,
I
F
= -6.5A
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
分钟。
马克斯。
60
140
140
140
250
单位
符号
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
分钟。
马克斯。
34.8
6.8
23.1
单位
nC
V
GS
= -10V ，我
D
= -6.5A
V
DS
= -50V
ns
ns
T4 - LDS -0009版本2 （ 091456 ）
第2页4
技术数据表
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每个合格的MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
图1 - 案例外形和引脚配置为2N6849
T4 - LDS -0009版本2 （ 091456 ）
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P沟道MOSFET
每个合格的MIL -PRF-五百六十四分之一万九千五
图2 - 案例外形和引脚配置2N6849U
T4 - LDS -0009版本2 （ 091456 ）
第4页4
IRFE9130
机械数据
尺寸mm （英寸）
P- CHANNEL
功率MOSFET
≈
2.16 (0.085)
1.27 (0.050)
1.07 (0.040)
9.14 (0.360)
8.64 (0.340)
12 13 14 15 16
1.39 (0.055)
1.02 (0.040)
11
7.62 (0.300)
7.12 (0.280)
17
18
1
2
0.76 (0.030)
0.51 (0.020)
10
9
8
7
6
5
4
3
1.65 (0.065)
1.40 (0.055)
0.33 (0.013)
弧度。
0.08 (0.003)
V
DSS
I
D（续）
R
DS （ ON）
特点
=表面贴装
占用空间小
-100V
-6.1A
0.345
1.39 (0.055)
1.15 (0.045)
0.43 (0.017)
0.18 （ 0.007拉德。
LCC4
MOSFET
门
漏
来源
密封
引脚
4,5
1,2,15,16,17,18
6,7,8,9,10,11,12,13
晶体管
BASE
集热器
辐射源
动态的dv / dt额定值
雪崩能量评级
简单的驱动要求
重量轻
绝对最大额定值
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
栅 - 源电压
连续漏电流@ T
例
= 25°C
连续漏电流@ T
例
= 100°C
漏电流脉冲
功率耗散@ T
例
= 25°C
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
峰值二极管恢复
3
工作和存储温度范围
表面温度（ 5秒） 。
±20V
– 6.1A
– 3.8A
– 24A
22W
0.17W/°C
92mJ
- 5.5V / ns的
- 55至+ 150°C
300°C
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
网站http://www.semelab.co.uk
10/98
IRFE9130
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
参数
BV
DSS
ΔBV
DSS
T
J
R
DS （ ON）
静电额定值
漏极 - 源极击穿电压
温度COEF网络cient
击穿电压
静态漏 - 源极导通状态
阻力
1
正向跨导
1
零栅极电压漏极电流
正向栅 - 源极漏
反向栅极 - 源极漏
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅 - 源电荷
门 - 漏极（ “米勒” ）费
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0
I
D
= -1mA
参考至25℃
I
D
= -1mA
V
GS
= –10V
V
GS
= –10V
V
DS
= V
GS
V
DS
≥
–15V
V
GS
= 0
V
GS
= –20V
V
GS
= 20V
V
GS
= 0
V
DS
= –25V
F = 1MHz的
V
GS
= –10V
I
D
= –6.1A
V
DS
= 0.5BV
DSS
V
DD
= –50V
I
D
= –6.1A
R
G
= 7.5
I
D
= –3.8A
I
D
= –6.1A
I
D
= -250mA
I
DS
= –3.8A
V
DS
= 0.8BV
DSS
T
J
= 125°C
分钟。
–100
典型值。
马克斯。
单位
V
– 0.10
0.30
0.345
–2
2.5
– 25
– 250
– 100
100
800
350
125
14.7
1.0
2.0
38.4
7.1
21
60
140
140
140
–1.6
–24
–4.7
250
3.0
微不足道
1.8
4.3
5.8
19
–4
V /°C的
V
S ()
A
nA
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
g
fs
I
DSS
I
GSS
I
GSS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
L
D
L
S
pF
nC
ns
源 - 漏极二极管的特性
连续源电流
脉冲源电流
2
I
S
= –1.6A
T
J
= 25°C
二极管的正向电压
1
V
GS
= 0
反向恢复时间
I
F
= –6.1A
T
J
= 25°C
反向恢复电荷
1
d
i
/ d
t
≤
-100A /μs的V
DD
≤
–50V
向前开启时间
封装特性
内部排水电感
（从6mm向下漏极引出测量到模具的中心）
内部源极电感
（从6mm下来源铅源焊盘）
热特性
热阻结 - 壳
热电阻交界 - PC板
A
V
ns
C
nH
R
θJC
R
θJPC
° C / W
笔记
1 ）脉冲测试：脉冲宽度
≤
300ms,
δ ≤
2%
2 ）重复评价 - 脉冲宽度有限的最高结温。
Semelab PLC 。
电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612.电子邮件sales@semelab.co.uk
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10/98
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