2SJ347
东芝场效应晶体管
硅P沟道MOS型
2SJ347
高速开关应用
模拟开关应用
低阈值电压： V
th
=
0.5~1.5
V
高速
小型封装
补充2SK1830
单位：mm
记号
等效电路
绝对最大额定值
（大
=
25°C)
特征
漏源电压
栅源电压
直流漏电流
漏极功耗
通道温度
存储温度范围
符号
V
DS
V
GSS
I
D
P
D
T
ch
T
英镑
等级
20
7
50
100
150
55~150
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-2H1B
重量： 2.4毫克（典型值）。
注：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品在可靠性，降低显著甚至
如果操作条件（即工作温度/电流/电压等）内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
电气特性
（大
=
25°C)
特征
Gateate漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
门threshould电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开启时间
开关时间
打开-O FF时间
t
关闭
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
th
Y
fs
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
测试条件
V
GS
= 7
V, V
DS
=
0
I
D
= 100 μA,
V
GS
=
0
V
DS
= 20
V, V
GS
=
0
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 3
V，I
D
= 10
mA
I
D
= 10
毫安，V
GS
= 2.5
V
V
DS
= 3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 3
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= 3
V，I
D
= 10
毫安，
V
GS
=
0~2.5 V
V
DD
= 3
V，I
D
= 10
毫安，
V
GS
=
0~2.5 V
民
20
0.5
15
典型值。
20
10.4
2.8
8.4
0.15
0.13
最大
1
1
1.5
40
μs
单位
μA
V
μA
V
mS
Ω
pF
pF
pF
1
2007-11-01
2SJ347
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品，不得使用或嵌入到任何下游产品，其中
制造，使用和/或出售的任何可适用的法律，法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
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兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
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2007-11-01
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