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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD849
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
应用
·线操作
横向挠度
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=90℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3
5
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 3 A;我
B
=1A
I
C
= 3 A;我
B
=1A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
下降时间
I
C
= 3 A;我
B
结束
=1A;L
B
=20μH
贮存时间
13
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
8
4
民
600
5
典型值。
2SD849
最大
单位
V
V
5.0
1.5
0.1
V
V
mA
1.0
12
0.9
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD849
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD849
描述
·带
TO- 3封装
高
电压，高速
应用
·线操作
横向挠度
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
固电
IN
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
ES
昂
CH
导½
半
参数
发射极开路
开基
ON
MIC
E
条件
OR
DUT
价值
1500
600
5
3
5
单位
V
V
V
A
A
W
℃
℃
集电极开路
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=90℃
25
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 3 A;我
B
=1A
I
C
= 3 A;我
B
=1A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
8
民
600
5
典型值。
2SD849
最大
单位
V
V
5.0
1.5
0.1
V
V
mA
1.0
固电
下降时间
导½
半
贮存时间
的HAn
INC。
ES
G
I
C
= 3 A;我
B
结束
=1A;L
B
=20μH
ON
MIC
E
OR
DUT
4
12
0.9
13
μs
μs
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD849
固电
IN
ES
昂
CH
导½
半
ON
MIC
E
OR
DUT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD849
描述
·采用TO-3封装
·高电压，高转速
应用
·线操作水平偏转
输出的应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
C
=90
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3
5
25
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
I
E
= 10毫安;我
C
=0
I
C
= 3 A;我
B
=1A
I
C
= 3 A;我
B
=1A
V
CB
=750V;I
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
=1500V;I
E
=0
h
FE-1
h
FE-2
t
f
t
s
直流电流增益
直流电流增益
下降时间
I
C
= 3 A;我
B
结束
=1A;L
B
=20H
贮存时间
13
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 3A ; V
CE
=10V
8
4
民
600
5
典型值。
2SD849
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
最大
单位
V
V
5.0
1.5
0.1
V
V
mA
1.0
12
0.9
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD849
图2外形尺寸
3
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推荐型号
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2SA1547AR
202250
250B15B102A2CA
220XL037
28C64B-12ID
27LV256-20I/J
2SD1802T-TL-E
28GR12D
220907
24AA32A-/SN
22-05-1032
2SK30A-Y
229004P
295T220F253B11
2SK2590
2SJ347_07
2751350000
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