2N5109
硅NPN晶体管
数据表
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N5109J ）
JANTX级别（ 2N5109JX ）
JANTXV级（ 2N5109JV ）
JANS级（ 2N5109JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
通用
VHF- UHF放大器晶体管
NPN硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸1009
参考文献：
MIL-PRF-19500/453
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25°C
线性降额25°C以上
功耗，T
C
= 25°C
线性降额25°C以上
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
等级
20
40
3
400
1
5.71
2.9
16.6
175
-65到+200
-65到+200
单位
伏
伏
伏
mA
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
J
T
英镑
Copyright 2002年
Rev. D的
Semicoa半导体公司
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N5109
硅NPN晶体管
数据表
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
基本特征
参数
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
开路输出电容
功率增益（窄带）电流
交叉调制
噪声系数
电压增益（宽带）
符号
|h
FE1
|
|h
FE2
|
|h
FE3
|
C
敖包
G
PE
cm
NF
G
测试条件
V
CE
= 15伏中，f = 200兆赫，
I
C
= 25毫安
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
V
CB
= 5伏，我
E
= 0 mA时，
100千赫< F < 1兆赫
V
CC
= 15伏特，我
C
= 50毫安，
F = 200兆赫，磷
in
= -10分贝
V
CC
= 15伏特，我
C
= 50毫安，
54分贝输出
V
CC
= 15伏特，我
C
= 10毫安，
F = 200兆赫，磷
in
= -10分贝
V
CC
= 15伏特，我
C
= 50毫安，
50兆赫< F < 216兆赫，
P
in
= -10dB
民
5
6
5
典型值
最大
10.0
11.0
10.5
3.5
11
-57
3.5
11
pF
dB
dB
dB
dB
单位
符号
h
FE1
h
FE2
V
CESAT
测试条件
I
C
= 50 mA时， V
CE
±15伏
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CER
V
（ BR ） EBO
I
CEO1
I
CEO2
测试条件
I
C
= 100
A
I
C
= 5毫安
I
C
= 5毫安，R
BE
= 10
I
E
= 100
A
V
CE
±15伏
V
CE
= 15伏，T
A
= 175°C
民
40
20
40
3
20
5
典型值
最大
单位
伏
伏
伏
伏
A
mA
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
民
40
15
典型值
最大
150
单位
0.5
伏
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