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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符2型号页 > 首字符2的型号第487页 > 2SA1010
数据表
硅功率晶体管
2SA1010
PNP硅外延晶体管
高压高速开关
该2SA1010是开发高模功率晶体管
电压高速开关，非常适合用作驱动
如开关稳压器，DC / DC转换器，和高的设备
频功率放大器。
封装图（单位：mm ）
特点
低集电极饱和电压
开关速度快
互补晶体管： 2SC2334
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TC = 25
°C)
P
T
（ TA = 25
°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
7.0
15
3.5
40
1.5
150
55
+150
单位
V
V
引脚连接
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号D16118EJ2V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
2SA1010
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)1
条件
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
0.5
A，L = 1毫亨
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
I
C
=
10
A，I
B1
=
1.0
A，I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
CE
=
100
V ，R
BE
= 51
,
TA = 125
°C
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V,
TA = 125
°C
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
3.0
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
5.0
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，R
L
= 10
,
I
B1
=
I
B2
=
0.5
A，V
CC
50
V
参考测试电路。
下降时间
t
f
0.5
40
40
20
0.6
1.5
0.5
1.5
V
V
分钟。
100
100
100
10
1.0
10
1.0
10
200
200
典型值。
马克斯。
单位
V
V
集电极到发射极电压
V
CEX(SUS)2
V
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
A
mA
A
mA
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
开启时间
贮存时间
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
A
s
s
s
*脉冲试验PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
分类
记号
h
FE2
M
40至80
L
60至120
K
100至200
典型特性（ TA = 25 ° C）
°
总功耗P
T
(W)
具有无穷散热器
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
(A)
2毫米铝基板，
无绝缘板，
油脂涂料，天然
气冷
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
数据表D16118EJ2V0DS
直流电流增益
FE
I
C
降额的dT （ ％ ）
集电极电流I
C
(A)
案例温度T
C
(
°
C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
数据表D16118EJ2V0DS
基本饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
瞬态热阻
θ
日（J -C ）
(
°
C / W ）
脉冲宽度PW （ ms）的
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2SA1010
3
2SA1010
导通时间t
on
(
s)
StorageTime吨
英镑
(
s)
秋季时间t
f
(
s)
集电极电流I
C
(A)
基极电流
波形
集电极电流
波形
4
数据表D16118EJ2V0DS
2SA1010
[备忘录]
数据表D16118EJ2V0DS
5
数据表
硅功率晶体管
2SA1010
PNP硅外延晶体管
高压高速开关
该2SA1010是开发高模功率晶体管
电压高速开关，非常适合用作驱动
如开关稳压器，DC / DC转换器，和高的设备
频功率放大器。
封装图（单位：mm ）
特点
低集电极饱和电压
开关速度快
互补晶体管： 2SC2334
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TC = 25
°C)
P
T
（ TA = 25
°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
7.0
15
3.5
40
1.5
150
55
+150
单位
V
V
引脚连接
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号D16118EJ2V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
2SA1010
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)1
条件
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
0.5
A，L = 1毫亨
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
I
C
=
10
A，I
B1
=
1.0
A，I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
CE
=
100
V ，R
BE
= 51
,
TA = 125
°C
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V,
TA = 125
°C
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
3.0
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
5.0
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，R
L
= 10
,
I
B1
=
I
B2
=
0.5
A，V
CC
50
V
参考测试电路。
下降时间
t
f
0.5
40
40
20
0.6
1.5
0.5
1.5
V
V
分钟。
100
100
100
10
1.0
10
1.0
10
200
200
典型值。
马克斯。
单位
V
V
集电极到发射极电压
V
CEX(SUS)2
V
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
A
mA
A
mA
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
开启时间
贮存时间
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
A
s
s
s
*脉冲试验PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
分类
记号
h
FE2
M
40至80
L
60至120
K
100至200
典型特性（ TA = 25 ° C）
°
总功耗P
T
(W)
具有无穷散热器
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
(A)
2毫米铝基板，
无绝缘板，
油脂涂料，天然
气冷
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
数据表D16118EJ2V0DS
直流电流增益
FE
I
C
降额的dT （ ％ ）
集电极电流I
C
(A)
案例温度T
C
(
°
C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
数据表D16118EJ2V0DS
基本饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
瞬态热阻
θ
日（J -C ）
(
°
C / W ）
脉冲宽度PW （ ms）的
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2SA1010
3
2SA1010
导通时间t
on
(
s)
StorageTime吨
英镑
(
s)
秋季时间t
f
(
s)
集电极电流I
C
(A)
基极电流
波形
集电极电流
波形
4
数据表D16118EJ2V0DS
2SA1010
[备忘录]
数据表D16118EJ2V0DS
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1010
描述
·采用TO- 220封装
·补键入2SC2334
·低集电极饱和电压
·快速开关速度
应用
开关稳压器
·
DC / DC转换器
·
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25
P
T
总功耗
T
C
=25
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-7
-7
-15
-3.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
A
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -5.0A ，我
B
=-0.5A,L=1mH
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
40
40
20
民
-100
2SA1010
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
典型值。
最大
单位
V
-0.6
-1.5
-10
-10
200
200
V
V
A
A
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5.0A我
B1
=- I
B2
=-0.5A
R
L
=10A;V
CC
B50V
0.5
1.5
0.5
s
s
s
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1010
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1010
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
2SA1010
5
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2SA1010
描述
·带
的TO-220封装
.Complement
键入2SC2334
ULOW
集电极饱和电压
·快速
开关速度
应用
切换
稳压器
DC / DC转换器
高频功率放大器
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
Fig.1简化外形（ TO- 220 ）和符号
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
a
=25℃
P
T
总功耗
T
C
=25℃
T
j
T
英镑
结温
储存温度
40
150
-55~150
℃
℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-100
-100
-7
-7
-15
-3.5
1.5
W
单位
V
V
V
A
A
A
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -5.0A ，我
B
=-0.5A,L=1mH
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
I
C
= -5A ;我
B
=-0.5A
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-5V
I
C
= -3A ; V
CE
=-5V
I
C
= -5A ; V
CE
=-5V
40
40
20
民
-100
典型值。
2SA1010
最大
单位
V
-0.6
-1.5
-10
-10
200
200
V
V
μA
μA
开关时间阻性负载
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5.0A我
B1
=- I
B2
=-0.5A
R
L
=10Ω;V
CC
≈50V
0.5
1.5
0.5
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
包装外形
2SA1010
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2SA1010
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅PNP功率晶体管
2SA1010
JMnic
为了我们的客户，
旧公司名称在产品目录等资料
4月1日
st
2010年， NEC电子公司合并，瑞萨科技
公司和瑞萨
电子公司
接手两者的所有业务
公司。
因此，尽管老公司的名称仍然是这个文件中，它是一种有效的
瑞萨
电子文档。我们感谢您的理解。
瑞萨电子网站： http://www.renesas.com
4月1日
st
, 2010
瑞萨电子公司
由...发出：
瑞萨电子公司
（ http://www.renesas.com ）
任何发送查询http://www.renesas.com/inquiry 。
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电脑;办公设备;通信设备;测试和测量设备;音频和视频
设备;家用电子电器;机床;个人电子设备;与工业机器人。
“高品质” ：运输设备（汽车，火车，船舶等） ;交通控制系统;防灾系统;反
犯罪系统;安全设备;和医疗设备不包括专门为维持生命而设计。
“具体” ：
飞机;航空航天设备;海底中继设备;原子能控制系统;医疗器械或
生命支持系统（如人工生命支持设备或系统） ，外科手术植入，或保健
介入治疗（如切除等） ，并直接威胁到人类生活中的任何其他应用程序或用途。
您应该使用本文档中描述的瑞萨电子产品瑞萨电子指定的范围内，
特别是相对于最大额定值，工作电源电压范围，移动电源电压范围时，热辐射
特点，安装等产品特性。瑞萨电子将有故障不承担任何责任或
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本公司一直致力于提高产品的质量和可靠性，半导体产品有
具体特点，如发生故障以一定的速率和故障一定的使用条件下发生。此外，
瑞萨电子的产品不受辐射性的设计。请一定要落实安全措施，
防止它们之间的物理损伤中的一个的故障的情况下引起的火灾的可能性，并伤害或损坏
瑞萨电子产品，如安全性设计的硬件和软件，包括但不限于冗余，火
控制和故障的预防，对于老化降解或任何其他适当的措施，适当的治疗。因为
单独微机软件的评价是非常困难的，请评价最终产品或系统的安全性
由你制造的。
请联系瑞萨电子销售办事处联系，以环境问题，如环境
每个瑞萨电子产品的兼容性。请使用瑞萨电子的产品符合所有适用
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电子产品。
如果需要了解关于本资料的任何问题，请联系瑞萨电子销售办事处
文档或瑞萨电子的产品，或者如果您有任何疑问。
“标准” ：
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
（注1 ） “瑞萨电子”本文档中使用的手段瑞萨电子公司和它的majority-
资子公司。
（注2 ） “瑞萨电子的产品（S ） ”，是指开发或由或为瑞萨电子生产的任何产品。
数据表
硅功率晶体管
2SA1010
PNP硅外延晶体管
高压高速开关
该2SA1010是开发高模功率晶体管
电压高速开关，非常适合用作驱动
如开关稳压器，DC / DC转换器，和高的设备
频功率放大器。
封装图（单位：mm ）
特点
低集电极饱和电压
开关速度快
互补晶体管： 2SC2334
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
（ TC = 25
°C)
P
T
（ TA = 25
°C)
T
j
T
英镑
评级
100
100
7.0
7.0
15
3.5
40
1.5
150
55
+150
单位
V
V
引脚连接
V
A
A
A
W
W
°C
°C
* PW
≤
300
S，占空比
≤
10%
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
文档编号D16118EJ2V0DS00
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
2SA1010
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极到发射极电压
集电极到发射极电压
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)1
条件
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
0.5
A，L = 1毫亨
I
C
=
5.0
A，I
B1
=
I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
I
C
=
10
A，I
B1
=
1.0
A，I
B2
=
0.5
A,
V
BE （OFF）的
= 5.0 V，L = 180
H，钳位
V
CB
=
100
V，I
E
= 0
V
CE
=
100
V ，R
BE
= 51
,
TA = 125
°C
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V
V
CE
=
100
V, V
BE （OFF）的
= 1.5 V,
TA = 125
°C
V
EB
=
5.0
V，I
C
= 0
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
0.5
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
3.0
A*
V
CE
=
5.0
V，I
C
=
5.0
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，I
B
=
0.5
A*
I
C
=
5.0
A，R
L
= 10
,
I
B1
=
I
B2
=
0.5
A，V
CC
50
V
参考测试电路。
下降时间
t
f
0.5
40
40
20
0.6
1.5
0.5
1.5
V
V
分钟。
100
100
100
10
1.0
10
1.0
10
200
200
典型值。
马克斯。
单位
V
V
集电极到发射极电压
V
CEX(SUS)2
V
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
I
CER
I
CEX1
I
CEX2
A
mA
A
mA
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
基本饱和电压
开启时间
贮存时间
I
EBO
h
FE1
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
A
s
s
s
*脉冲试验PW
≤
350
S，占空比
≤
2%
h
FE
分类
记号
h
FE2
M
40至80
L
60至120
K
100至200
典型特性（ TA = 25 ° C）
°
总功耗P
T
(W)
具有无穷散热器
环境温度Ta （C ）
集电极电流I
C
(A)
2毫米铝基板，
无绝缘板，
油脂涂料，天然
气冷
集电极到发射极电压V
CE
(V)
2
数据表D16118EJ2V0DS
直流电流增益
FE
I
C
降额的dT （ ％ ）
集电极电流I
C
(A)
案例温度T
C
(
°
C)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
数据表D16118EJ2V0DS
基本饱和电压V
BE （ SAT ）
(V)
集电极饱和电压V
CE （ SAT ）
(V)
瞬态热阻
θ
日（J -C ）
(
°
C / W ）
脉冲宽度PW （ ms）的
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
2SA1010
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SA1010
描述
ULOW
集电极饱和电压
·快速
开关速度
.Complement
键入2SC2334
应用
·开发
高压高速切换，并且是
非常适合用作在诸如开关稳压装置的驱动器
lators ，直流/直流转换器，和高频功率上午
plifiers 。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
-100
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
-100
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
-7.0
V
I
C
集电极电流连续
-7.0
A
I
CM
集电极电流峰值
-15
A
I
B
B
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
-3.5
A
1.5
W
P
C
总功耗
@ T
C
=25℃
T
J
结温
40
150
℃
T
英镑
存储温度范围
-55~150
℃
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
CEX(SUS)-1
V
CEX(SUS)-2
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
CBO
I
CER
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
参数
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
条件
I
C
= -5.0A ;我
B
= -0.5A ，L = 1MH
I
C
= -5.0A ;我
B1
=-I
B2
= -0.5A,
V
BE （OFF）的
= 5.0V ， L = 180μH ，钳位
I
C
= -10A ;我
B1
= -1.0A ;我
B2
= -0.5A,
V
BE （OFF）的
= 5.0V ， L = 180μH ，钳位
I
C
= -5.0A ;我
B
= -0.5A
B
2SA1010
民
-100
-100
-100
最大
单位
V
V
V
-0.6
-1.5
-10
-1.0
-10
-1.0
-10
40
40
20
200
200
V
V
μA
mA
μA
mA
μA
I
C
= -5.0A ;我
B
= -0.5A
B
V
CB
= -100V ;我
E
=0
V
CE
= -100V ;
BE
= 51Ω,T
a
=125℃
V
CE
= -100V; V
BE （OFF）的
= -1.5V
V
CE
= -100V; V
BE （OFF）的
= -1.5V ，T
a
=125℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -5V
I
C
= -3.0A ; V
CE
= -5V
I
C
= -5.0A ; V
CE
= -5V
开关时间
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5.0A ，R
L
= 10Ω,
I
B1
= -I
B2
= -0.5A ，V
CC
≈-50V
0.5
1.5
0.5
μs
μs
μs
h
FE-2
分类
M
40-80
L
60-120
K
100-200
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
2SA1010
ISC的网站： www.iscsemi.cn
3
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推荐型号
295T220F253B11
2SK2590
2SJ347_07
2751350000
2SC2910T
2SK2528-01
27LV64-25I/P
2-102202-8
228TMA016M
2746
2SA10-10
22-02-2145
2SD2185S
2SC3101
2SK894
251B00F253A3T1
2N7311H
20KPA72A-B
2SB766AS
2SD1163
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    2SA1010
    -
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联系人：销售部
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电话：18926544209/18025435189
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电话：0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人：李
地址：深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
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电话：0755-83259954/0755-82701784
联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
地址：福田区振华路华乐楼615室
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