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硅MOS场效应管（小信号）
2SJ0536
硅P沟道MOS场效应管
二次电池（锂离子电池等）
切换
2.1±0.1
0.425
1.25±0.1
0.425
单位：mm
q
高速开关
q
S-迷你型封装，允许集合和自动的小型化
马蒂奇通过插入磁带/杂志包装。
q
低电压驱动（V
th
:
1
至2V ）
q
罗恩低
0.65
1
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65
3
2
0.2
0.9±0.1
s
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
最大漏极电流
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
V
DS
V
GSO
I
D
I
DP
P
D
T
ch
T
英镑
评级
30
±20
100
200
150
150
55
+150
单位
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
0.7±0.1
0-0.1
0.2±0.1
1 ：门
2 ：源
3 ：排水
EIAJ ： SC- 70
S-迷你型包装（ 3针）
标记符号： 2C
s
电气特性
（ TA = 25°C ）
参数
漏电流
栅极截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏极至源极导通电阻
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
DSS
I
GSS
V
th
| Y
fs
|
R
DS （ ON）
t
on
t
关闭
条件
V
DS
=
30V,
V
GS
= 0
V
GS
= ±20V, V
DS
= 0
V
DS
=
5V,
I
D
=
1A
V
DS
=
5V,
I
D
=
10mA
V
GS
=
5V,
I
D
=
10mA
V
DD
=
5V,
V
GS
=
5
到0V ，R
L
= 200
V
DD
=
5V,
V
GS
=
5
到0V ，R
L
= 200
1
8
50
100
25
75
民
典型值
最大
0.1
±1
2
单位
A
A
V
mS
s
s
0.15
–0.05
+0.1
0.3
–0
+0.1
s
特点
1
硅MOS场效应管（小信号）
P
D
Ta
200
–120
2SJ0536
I
D
V
DS
60
| Y
fs
|
V
GS
正向转移导纳| Y
fs
| （女士）
Ta=25C
V
DS
=–5V
50
允许功耗P
D
（ mW）的
160
–100
漏电流I
D
（MA ）
–80
V
GS
=–5.5V
–60
–5.0V
–4.5V
–40
–4.0V
–20
–3.5V
–3.0V
40
120
30
80
20
40
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0
0
–2
–4
–6
–8
–2.5V
–10
–12
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
–12
环境温度Ta （C ）
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
I
D
V
GS
–240
V
DS
=–5V
–200
–30
–100
V
IN
I
O
V
O
=–5V
Ta=25C
漏电流I
D
（MA ）
–160
输入电压V
IN
(V)
–12
–10
–3
–1
–120
Ta=–25C
–80
25C
75C
– 0.3
– 0.1
– 0.03
–40
0
0
–2
–4
–6
–8
–10
– 0.01
– 0.1 – 0.3
–1
–3
–10
–30
–100
栅极至源极电压V
GS
(V)
输出电流I
O
（MA ）
2
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2475-12D5H
2N6668
2010100002
2-1393763-0
2SD1063
2SK362BL
2SD1235L
供货商
型号
厂家
批号
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封装
单价/备注
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    2SJ0536
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